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公开(公告)号:TWI622256B
公开(公告)日:2018-04-21
申请号:TW105137484
申请日:2016-11-16
发明人: 羅炯竣 , NA, HYOUNGJUN , 利行健 , TOSHIYUKI, KEN , 安保正治 , ABOU, SHOUJI
CPC分类号: H03K17/06 , H01L23/528 , H01L27/0635 , H01L27/0825 , H01L28/20 , H01L29/73 , H01L29/7393 , H01L29/861 , H03K17/168 , H03K17/567
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公开(公告)号:TWI616982B
公开(公告)日:2018-03-01
申请号:TW104122488
申请日:2015-07-13
发明人: 霍克孝 , HUO, KER HSIAO , 蔣昕志 , CHIANG, HSIN CHIH , 陳奕寰 , CHEN, YI HUAN , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN LIN , 陳益民 , CHEN, YI MIN
IPC分类号: H01L21/8232 , H01L29/772
CPC分类号: H01L27/0629 , H01L21/76202 , H01L28/20 , H01L29/063 , H01L29/0653 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/405 , H01L29/42356 , H01L29/42368 , H01L29/66681 , H01L29/7816
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公开(公告)号:TWI610347B
公开(公告)日:2018-01-01
申请号:TW103102013
申请日:2014-01-20
发明人: 納薩 克里斯多福 , NASSAR, CHRISTOPHER , 金成龍 , KIM, SUNGLYONG , 萊比格爾 史蒂文 , LEIBIGER, STEVEN , 霍爾 詹姆士 , HALL, JAMES
IPC分类号: H01L21/22 , H01L21/8249
CPC分类号: H01L29/66681 , H01L21/02595 , H01L21/0415 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L28/20 , H01L29/0634 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/66272 , H01L29/7322 , H01L29/7816 , H01L29/7817
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公开(公告)号:TW201725168A
公开(公告)日:2017-07-16
申请号:TW105133746
申请日:2016-10-19
发明人: 程世偉 , CHENG, SHYH WEI , 王誌佑 , WANG, CHIH YU , 許希丞 , HSU, HSI CHENG , 陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 蔣季宏 , CHIANG, JI HONG , 翁睿均 , WENG, JUI CHUN , 吳威鼎 , WU, WEI DING
CPC分类号: B81B7/0041 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/09 , B81C1/00293 , B81C2201/013 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/037 , B81C2203/038 , B81C2203/0735 , H01L28/20
摘要: 微機電系統封裝,具有加熱元件用以透過引導排氣進入腔體來調整氣密密封腔內的壓力,與相關的方法。微機電系統封裝具有互補式金氧半導體基板,互補式金氧半導體基板具有設置於半導體本體內的一或多個半導體裝置。微機電系統結構連接至互補式金氧半導體基板且具有微機電系統裝置。互補式金氧半導體基板與微機電系統結構形成緊靠微機電系統裝置的氣密密封腔。加熱元件電性耦合至一或多個半導體裝置且與氣密密封腔被沿著氣密密封腔的內表面設置的排氣層隔開。透過操作加熱元件使排氣層排放氣體,在氣密密封腔形成後,氣密密封腔的壓力可調整。
简体摘要: 微机电系统封装,具有加热组件用以透过引导排气进入腔体来调整气密密封腔内的压力,与相关的方法。微机电系统封装具有互补式金属氧化物半导体基板,互补式金属氧化物半导体基板具有设置于半导体本体内的一或多个半导体设备。微机电系统结构连接至互补式金属氧化物半导体基板且具有微机电系统设备。互补式金属氧化物半导体基板与微机电系统结构形成紧靠微机电系统设备的气密密封腔。加热组件电性耦合至一或多个半导体设备且与气密密封腔被沿着气密密封腔的内表面设置的排气层隔开。透过操作加热组件使排气层排放气体,在气密密封腔形成后,气密密封腔的压力可调整。
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公开(公告)号:TWI573255B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:TW101129605
申请日:2012-08-15
发明人: 永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 細川暢郎 , HOSOKAWA, NOBURO , 鈴木智史 , SUZUKI, TOMOFUMI , 馬場隆 , BABA, TAKASHI
IPC分类号: H01L27/144
CPC分类号: H01L31/107 , G01J1/42 , G01T1/208 , H01L27/144 , H01L27/1443 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14658 , H01L27/14663 , H01L28/20 , H01L31/02005 , H01L31/022408
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公开(公告)号:TWI563603B
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:TW103144713
申请日:2014-12-22
发明人: 洪奕翔 , HUNG, I HSIANG , 孫維德 , SUN, WEI DER , 郝靜晨 , HAO, CHING CHEN
IPC分类号: H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/08
CPC分类号: H01L27/0629 , H01L21/26506 , H01L21/28052 , H01L21/28518 , H01L21/823418 , H01L21/823443 , H01L28/20 , H01L29/0847 , H01L29/665
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公开(公告)号:TWI556286B
公开(公告)日:2016-11-01
申请号:TW103133289
申请日:2014-09-25
申请人: 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人: 巴斯卡蘭 瑞嘉敘利 , BASKARAN, RAJASHREE , 全箕玟 , JUN, KIMIN , 摩洛 派翠克 , MORROW, PATRICK
IPC分类号: H01L21/20
CPC分类号: H01L27/10832 , H01L21/84 , H01L27/0629 , H01L27/0688 , H01L27/10861 , H01L27/10867 , H01L27/1087 , H01L28/20 , H01L28/87 , H01L28/91 , H01L29/945
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公开(公告)号:TWI553863B
公开(公告)日:2016-10-11
申请号:TW102118582
申请日:2013-05-27
发明人: 呂嘉裕 , LU, CHIA YU , 陳建豪 , CHEN, JIAN HAO , 王智弘 , WANG, CHIH HUNG , 謝東衡 , HSIEH, TUNG HENG , 游國豐 , YU, KUO FENG , 侯錦珊 , HOU, CHIN SHAN , 林學仕 , LIN, SHYUE SHYH
CPC分类号: H01L27/0629 , H01L21/76811 , H01L23/485 , H01L23/5228 , H01L27/0688 , H01L28/20 , H01L28/24 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TW201635504A
公开(公告)日:2016-10-01
申请号:TW105120052
申请日:2012-08-15
发明人: 永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 細川暢郎 , HOSOKAWA, NOBURO , 鈴木智史 , SUZUKI, TOMOFUMI , 馬場隆 , BABA, TAKASHI
IPC分类号: H01L27/144
CPC分类号: H01L27/1446 , H01L27/1443 , H01L27/14605 , H01L28/20 , H01L31/02005 , H01L31/02322 , H01L31/107 , H01L2224/11
摘要: 本發明之半導體光檢測元件10係將包含以蓋革模式動作之複數個雪崩光電二極體APD、相對於各雪崩光電二極體APD串列連接之滅弧電阻R1、及並列地連接滅弧電阻R1之信號線TL之光電二極體陣列PDA作為一個通道且具有複數個通道。搭載基板20係與各通道對應之複數個電極E9配置於主面20a側,並且處理來自各通道之輸出信號之信號處理部SP配置於主面20b側。於半導體基板1N中,針對各通道而形成有與信號線TL電性連接之貫通電極TE。貫通電極TE與電極E9經由凸塊電極BE而電性連接。
简体摘要: 本发明之半导体光检测组件10系将包含以盖革模式动作之复数个雪崩光电二极管APD、相对于各雪崩光电二极管APD串行连接之灭弧电阻R1、及并列地连接灭弧电阻R1之信号线TL之光电二极管数组PDA作为一个信道且具有复数个信道。搭载基板20系与各信道对应之复数个电极E9配置于主面20a侧,并且处理来自各信道之输出信号之信号处理部SP配置于主面20b侧。于半导体基板1N中,针对各信道而形成有与信号线TL电性连接之贯通电极TE。贯通电极TE与电极E9经由凸块电极BE而电性连接。
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公开(公告)号:TWI548085B
公开(公告)日:2016-09-01
申请号:TW100133828
申请日:2011-09-20
发明人: 堤聰明 , TSUTSUMI, TOSHIAKI , 船戶是宏 , FUNATO, YOSHIHIRO , 奧平智仁 , OKUDAIRA, TOMONORI , 山形整人 , YAMAGATA, TADATO , 內田明久 , UCHIDA, AKIHISA , 寺崎健 , TERASAKI, TAKESHI , 鈴木智久 , SUZUKI, TOMOHISA , 鐘江義晴 , KANEGAE, YOSHIHARU
IPC分类号: H01L29/06
CPC分类号: H03B5/24 , H01L23/3107 , H01L23/5228 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L28/24 , H01L2224/05554 , H01L2224/06179 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/01015 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H03L7/24 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
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