公开(公告)号：TW201810666A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW105126092

申请日：2016-08-16

Applicant: 台灣半導體股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.

Inventor： 蔡宜龍 ,  TSAI, YI LUNG ,  馬林納 阿亞弟 ,  MRINAL, ARYADEEP ,  阿馬努拉 穆罕默德 ,  AMANULLAH, MOHAMMAD ,  楊博文 ,  YANG, PO WEN ,  梁書祥 ,  LIANG, SHU SIANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4916

Abstract: 一種具有多重寬度電極結構之場效電晶體及其製造方法，場效電晶體中的半導體基板上的磊晶層開設有一溝槽，且溝槽內設有氧化層，而氧化層上設有具有第一寬度與第一高度之第一電極部與具有第二寬度與第二高度之第二電極部。閘極氧化層覆蓋於氧化層及第二電極部上，閘極氧化層上設有具有第三寬度之閘極部，磊晶層中設有鄰近於閘極部處之本體區及源極區，且源極區與閘極部上覆蓋有層間介電層。源極電極覆蓋本體區與層間介電層並接觸於源極區。其中，第一高度大於或等於第二高度，第一寬度小於第二寬度，第二寬度小於第三寬度。

Abstract in simplified Chinese: 一种具有多重宽度电极结构之场效应管及其制造方法，场效应管中的半导体基板上的磊晶层开设有一沟槽，且沟槽内设有氧化层，而氧化层上设有具有第一宽度与第一高度之第一电极部与具有第二宽度与第二高度之第二电极部。闸极氧化层覆盖于氧化层及第二电极部上，闸极氧化层上设有具有第三宽度之闸极部，磊晶层中设有邻近于闸极部处之本体区及源极区，且源极区与闸极部上覆盖有层间介电层。源极电极覆盖本体区与层间介电层并接触于源极区。其中，第一高度大于或等于第二高度，第一宽度小于第二宽度，第二宽度小于第三宽度。

公开(公告)号：TW201742123A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW105115025

申请日：2016-05-16

Applicant: 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： 蘇柏文 ,  SU, PO-WEN ,  吳振 ,  WU, ZHEN ,  周孝邦 ,  CHOU, HSIAO-PANG ,  葉秋顯 ,  YEH, CHIU-HSIEN ,  呂水煙 ,  LU, SHUI-YEN ,  陳建維 ,  CHEN, JIAN-WEI

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/512 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/088 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/78

Abstract: 一種半導體裝置及其形成方法，該半導體裝置包含基底以及設置於其上的第一閘極結構以及第二閘極結構。第一閘極結構包含依序堆疊的阻障層、第一功函數層、第二功函數層以及導電層。該第二閘極結構則包含依序堆疊的該阻障層、一部分的該第一功函數層以及該導電層，其中該部分的該第一功函數層具有小於該第一功函數層的厚度。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备及其形成方法，该半导体设备包含基底以及设置于其上的第一闸极结构以及第二闸极结构。第一闸极结构包含依序堆栈的阻障层、第一功函数层、第二功函数层以及导电层。该第二闸极结构则包含依序堆栈的该阻障层、一部分的该第一功函数层以及该导电层，其中该部分的该第一功函数层具有小于该第一功函数层的厚度。

公开(公告)号：TW201739035A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW106124016

申请日：2012-12-22

Applicant: 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 蔡 庫提斯 ,  TSAI, CURTIS ,  簡嘉宏 ,  JAN, CHIA-HONG ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA DAVID ,  朴洙東 ,  PARK, JOODONG ,  哈弗茲 華利德M ,  HAFEZ, WALID MAC

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/401 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7855

Abstract: 所描述的是具有不同閘極結構且形成於一單一積體電路上的兩種或兩種以上類型之鰭式電晶體。用於每一類型之電晶體的該等閘極結構係至少藉由閘極介電質層之厚度或組合物或藉由閘極電極中之功函數金屬層之組合物加以區別。亦提供的是用於製作具有至少兩種不同類型之鰭式電晶體之一積體電路的方法，其中該等電晶體類型係藉由閘極介電質層之厚度及組合物及/或藉由閘極電極中之功函數金屬之厚度及組合物加以區別。

Abstract in simplified Chinese: 所描述的是具有不同闸极结构且形成于一单一集成电路上的两种或两种以上类型之鳍式晶体管。用于每一类型之晶体管的该等闸极结构系至少借由闸极介电质层之厚度或组合物或借由闸极电极中之功函数金属层之组合物加以区别。亦提供的是用于制作具有至少两种不同类型之鳍式晶体管之一集成电路的方法，其中该等晶体管类型系借由闸极介电质层之厚度及组合物及/或借由闸极电极中之功函数金属之厚度及组合物加以区别。

公开(公告)号：TW201735361A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105126194

申请日：2016-08-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 戴爾茲 卡羅斯H ,  DIAZ, CARLOS H. ,  柯林基 尚 皮耶 ,  COLINGE, JEAN-PIERRE ,  張 琮永 ,  CHANG, JONATHAN TSUNG-YUNG ,  池育德 ,  CHIH, YUE DER

IPC: H01L29/68

CPC classification number: H01L29/7827 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/1023 ,  H01L27/1027 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66121 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775 ,  H01L29/87

Abstract: 提供了一種半導體元件結構。半導體元件結構包括具有一頂面之一基板。半導體元件結構包括位於該基板上之一第一柱狀結構。該第一柱狀結構包括依序堆疊在一起之一第一重度N摻雜層、一第一P摻雜層、一N摻雜層及一第一重度P摻雜層。該第一柱狀結構沿一第一方向延伸遠離該基板。

Abstract in simplified Chinese: 提供了一种半导体组件结构。半导体组件结构包括具有一顶面之一基板。半导体组件结构包括位于该基板上之一第一柱状结构。该第一柱状结构包括依序堆栈在一起之一第一重度N掺杂层、一第一P掺杂层、一N掺杂层及一第一重度P掺杂层。该第一柱状结构沿一第一方向延伸远离该基板。

公开(公告)号：TW201730981A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW106113505

申请日：2014-11-17

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 莫希 安拿 ,  MURTHY, ANAND ,  林德 尼克 ,  LINDERT, NICK ,  葛雷斯 葛蘭 ,  GLASS, GLENN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78696

Abstract: 揭露經由在源極區及汲極區之通道介面之閘極控制層(GCL)之沉積，增加有效電閘極長度(Leff)而增進閘極對電晶體通道之控制的技術。GCL為名義上未摻雜層(或相對於重摻雜S/D填充材料之實質上較低摻雜層)，當使用置換S/D沉積形成電晶體時可予沉積。在空腔形成之後及重摻雜S/D填充材料沉積之前，GCL可選擇性沉積於S/D空腔中。以此方式，GCL以閘極堆疊減少源極及汲極欠疊(Xud)，並進一步分離重摻雜源極區及汲極區。接著，增加有效電閘極長度(Leff)及增進閘極對通道之控制。

Abstract in simplified Chinese: 揭露经由在源极区及汲极区之信道界面之闸极控制层(GCL)之沉积，增加有效电闸极长度(Leff)而增进闸极对晶体管信道之控制的技术。GCL为名义上未掺杂层(或相对于重掺杂S/D填充材料之实质上较低掺杂层)，当使用置换S/D沉积形成晶体管时可予沉积。在空腔形成之后及重掺杂S/D填充材料沉积之前，GCL可选择性沉积于S/D空腔中。以此方式，GCL以闸极堆栈减少源极及汲极欠叠(Xud)，并进一步分离重掺杂源极区及汲极区。接着，增加有效电闸极长度(Leff)及增进闸极对信道之控制。

公开(公告)号：TWI595661B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW103124570

申请日：2014-07-17

Applicant: 元太科技工業股份有限公司 ,  E INK HOLDINGS INC.

Inventor： 冉曉雯 ,  ZAN, HSIAO WEN ,  蔡娟娟 ,  TSAI, CHUANG CHUANG ,  喬欣 ,  CHIAO, HSIN ,  陳蔚宗 ,  CHEN, WEI TSUNG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/3242 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201727767A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW106109786

申请日：2011-04-20

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969

Abstract: 本發明的目的之一是對使用氧化物半導體的半導體裝置賦予穩定的電特性，以實現高可靠性化。在具有氧化物半導體膜的底閘極結構的電晶體的製造製程中，進行由熱處理的脫水化或脫氫化處理以及氧摻雜處理。具有經過氧摻雜處理的閘極絕緣膜、受到由熱處理的脫水化或脫氫化處理的氧化物半導體膜的電晶體在偏壓-熱應力試驗(BT試驗)的前後也可以減小電晶體的閾值電壓的變化量，從而可以實現可靠性高的電晶體。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是对使用氧化物半导体的半导体设备赋予稳定的电特性，以实现高可靠性化。在具有氧化物半导体膜的底闸极结构的晶体管的制造制程中，进行由热处理的脱水化或脱氢化处理以及氧掺杂处理。具有经过氧掺杂处理的闸极绝缘膜、受到由热处理的脱水化或脱氢化处理的氧化物半导体膜的晶体管在偏压-热应力试验(BT试验)的前后也可以减小晶体管的阈值电压的变化量，从而可以实现可靠性高的晶体管。

公开(公告)号：TWI593117B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW105126092

申请日：2016-08-16

Applicant: 台灣半導體股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.

Inventor： 蔡宜龍 ,  TSAI, YI LUNG ,  馬林納 阿亞弟 ,  MRINAL, ARYADEEP ,  阿馬努拉 穆罕默德 ,  AMANULLAH, MOHAMMAD ,  楊博文 ,  YANG, PO WEN ,  梁書祥 ,  LIANG, SHU SIANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4916

公开(公告)号：TWI590337B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW103139774

申请日：2014-11-17

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 莫希 安拿 ,  MURTHY, ANAND ,  林德 尼克 ,  LINDERT, NICK ,  葛雷斯 葛蘭 ,  GLASS, GLENN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201721837A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW106104796

申请日：2012-12-22

Applicant: 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 蔡 庫提斯 ,  TSAI, CURTIS ,  簡嘉宏 ,  JAN, CHIA-HONG ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA DAVID ,  朴洙東 ,  PARK, JOODONG ,  哈弗茲 華利德M ,  HAFEZ, WALID MAC

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/401 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7855

Abstract: 所描述的是具有不同閘極結構且形成於一單一積體電路上的兩種或兩種以上類型之鰭式電晶體。用於每一類型之電晶體的該等閘極結構係至少藉由閘極介電質層之厚度或組合物或藉由閘極電極中之功函數金屬層之組合物加以區別。亦提供的是用於製作具有至少兩種不同類型之鰭式電晶體之一積體電路的方法，其中該等電晶體類型係藉由閘極介電質層之厚度及組合物及/或藉由閘極電極中之功函數金屬之厚度及組合物加以區別。

Abstract in simplified Chinese: 所描述的是具有不同闸极结构且形成于一单一集成电路上的两种或两种以上类型之鳍式晶体管。用于每一类型之晶体管的该等闸极结构系至少借由闸极介电质层之厚度或组合物或借由闸极电极中之功函数金属层之组合物加以区别。亦提供的是用于制作具有至少两种不同类型之鳍式晶体管之一集成电路的方法，其中该等晶体管类型系借由闸极介电质层之厚度及组合物及/或借由闸极电极中之功函数金属之厚度及组合物加以区别。