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公开(公告)号：TWI642092B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW106123081
申请日：2017-07-10
发明人： 瑪札姆 富爾維 , MAZZAMUTO, FULVIO
IPC分类号： H01L21/268 , H01L29/36
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公开(公告)号：TWI634661B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106125730
申请日：2017-07-31
发明人： 陳永翔 , CHEN, YUNG-HSIANG , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN
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公开(公告)号：TWI634659B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW104143026
申请日：2015-12-21
发明人： 詹景琳 , CHING-LIN, CHAN , 林正基 , CHENG-CHI, LIN
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/739 , H01L21/71 , H01L21/265
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公开(公告)号：TW201832362A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106106083
申请日：2017-02-23
发明人： 蔡英杰 , TSAI, YING-CHIEH
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/772 , H01L21/24 , H01L21/335
摘要： 一種半導體元件，包括：具有第一導電型的基底、具有第二導電型的第一井區、具有第一導電型的第一摻雜區、具有第二導電型的第二井區、具有第一導電型的至少一第二摻雜區、具有第二導電型的至少一第三摻雜區以及具有第二導電型的第四摻雜區。第一井區位於基底中。第一摻雜區位於第一井區中。第二井區位於第一井區中且位於第一摻雜區與基底之間。至少一第二摻雜區位於第一摻雜區中。至少一第三摻雜區位於第一摻雜區的第一側的第一井區中。第四摻雜區位於第一摻雜區的第二側的第一井區中。
简体摘要： 一种半导体组件，包括：具有第一导电型的基底、具有第二导电型的第一井区、具有第一导电型的第一掺杂区、具有第二导电型的第二井区、具有第一导电型的至少一第二掺杂区、具有第二导电型的至少一第三掺杂区以及具有第二导电型的第四掺杂区。第一井区位于基底中。第一掺杂区位于第一井区中。第二井区位于第一井区中且位于第一掺杂区与基底之间。至少一第二掺杂区位于第一掺杂区中。至少一第三掺杂区位于第一掺杂区的第一侧的第一井区中。第四掺杂区位于第一掺杂区的第二侧的第一井区中。
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公开(公告)号：TW201832361A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106105440
申请日：2017-02-18
申请人： 瀚薪科技股份有限公司 , HESTIA POWER INC.
发明人： 顏誠廷 , YEN, CHENG-TYNG , 洪建中 , HUNG, CHIEN-CHUNG , 李傳英 , LEE, CHWAN-YING
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/872
摘要： 一種碳化矽半導體元件，利用一碳化矽基板形成一整合結構，該整合結構具有一金屬氧化物半導體場效應電晶體以及一反向並聯該金屬氧化物半導體場效應電晶體的接面能障蕭基二極體。
简体摘要： 一种碳化硅半导体组件，利用一碳化硅基板形成一集成结构，该集成结构具有一金属氧化物半导体场效应晶体管以及一反向并联该金属氧化物半导体场效应晶体管的接面能障萧基二极管。
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公开(公告)号：TWI628792B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106132415
申请日：2017-09-21
发明人： 迪 瓦 , DEIVASIGAMANI, RAVI , 陳柏安 , CHEN, PO AN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/861
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公开(公告)号：TW201824538A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105143811
申请日：2016-12-29
发明人： 溫文瑩 , WEN, WEN-YING
摘要： 一種半導體元件，包括具有第一導電型的基底、金氧半場效電晶體、接面場效電晶體、隔離結構以及具有第二導電型的埋入層。金氧半場效電晶體位於基底上。接面場效電晶體位於基底上。隔離結構位於金氧半場效電晶體與接面場效電晶體之間。埋入層位於金氧半場效電晶體與基底之間。埋入層自金氧半場效電晶體的下方延伸至隔離結構的下方以及接面場效電晶體的下方。
简体摘要： 一种半导体组件，包括具有第一导电型的基底、金氧半场效应管、接面场效应管、隔离结构以及具有第二导电型的埋入层。金氧半场效应管位于基底上。接面场效应管位于基底上。隔离结构位于金氧半场效应管与接面场效应管之间。埋入层位于金氧半场效应管与基底之间。埋入层自金氧半场效应管的下方延伸至隔离结构的下方以及接面场效应管的下方。
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公开(公告)号：TW201817000A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106125165
申请日：2017-07-26
申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. , 國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人： 楊哲維 , YANG, CHE WEI , 林浩雄 , LIN, HAO HSIUNG , 潘正聖 , PAN, SAMUEL C.
摘要： 一種半導體元件，包括自基板突出的半導體鰭片、半導體鰭片上方的閘極電極、半導體鰭片與閘極電極之間的閘極絕緣層、半導體鰭片之相對側上設置的源極區域與汲極區域、源極區域與汲極區域之間的區域中所形成之第一應力源。第一應力源包括一種選自由He、Ne及Ga組成之群組的材料。
简体摘要： 一种半导体组件，包括自基板突出的半导体鳍片、半导体鳍片上方的闸极电极、半导体鳍片与闸极电极之间的闸极绝缘层、半导体鳍片之相对侧上设置的源极区域与汲极区域、源极区域与汲极区域之间的区域中所形成之第一应力源。第一应力源包括一种选自由He、Ne及Ga组成之群组的材料。
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公开(公告)号：TWI612661B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW106100292
申请日：2017-01-05
发明人： 黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI , 林盈秀 , LIN, YING-SHIOU
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1083 , H01L21/74 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/6659 , H01L29/7833
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公开(公告)号：TW201739060A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105112365
申请日：2016-04-21
发明人： 邱俊閔 , CHIOU, CHUN-MING , 張宇瑞 , CHANG, YU-JUI , 林正基 , LIN, CHENG-CHI
IPC分类号： H01L29/866 , H01L29/36 , H01L21/329
摘要： 半導體元件包括：基底；具有第一導電型的井區，配置於基底中；具有第一導電型的第一雜質區，配置於井區中；具有第二導電型的第二雜質區，配置於井區中，第二導電型與第一導電型相反；第三雜質區，配置於井區中，第一雜質區的一部分與第三雜質區的第一部分重疊，第二雜質區的一部分與第三雜質區的第二部分重疊，且第三雜質區的第三部分配置於第一雜質區與第二雜質區之間；以及第四雜質區和阻障層，配置於基底中，第四雜質區以及阻障層分別從周圍以及下方圍住井區。
简体摘要： 半导体组件包括：基底；具有第一导电型的井区，配置于基底中；具有第一导电型的第一杂质区，配置于井区中；具有第二导电型的第二杂质区，配置于井区中，第二导电型与第一导电型相反；第三杂质区，配置于井区中，第一杂质区的一部分与第三杂质区的第一部分重叠，第二杂质区的一部分与第三杂质区的第二部分重叠，且第三杂质区的第三部分配置于第一杂质区与第二杂质区之间；以及第四杂质区和阻障层，配置于基底中，第四杂质区以及阻障层分别从周围以及下方围住井区。
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