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公开(公告)号：TWI477760B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW100149661
申请日：2011-12-29
发明人： 廖述良 , LIAW, SHU LIANG , 陳建谷 , CHEN, CHIEN KU , 王欣怡 , WANG, HSIN YI , 林泱瑜 , LIN, YANG YU , 朱振華 , CHU, CHEN HUA , 詹志中 , CHAN, CHIH CHUNG
CPC分类号： G01N21/17 , G01N21/0303 , G01N21/31
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公开(公告)号：TWI473157B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW101129434
申请日：2012-08-14
发明人： 鄭紹良 , CHENG, SHAO LIANG , 林耀星 , LIN, YAO HSING
IPC分类号： H01L21/306
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公开(公告)号：TW201503877A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW102126068
申请日：2013-07-22
发明人： 鄭憲清 , JANG, SHIANG CHING , 黃志青 , HUANG, CHIH CHING , 李嘉彬 , LI, JIA BIN , 林泓成 , LIN, HUNG CHENG
CPC分类号： B22F3/006 , A61F2002/30968 , A61L27/047 , A61L27/06 , A61L27/56 , A61L2400/08 , A61L2430/24 , B22F3/1134 , B22F3/14 , B22F2998/10 , C22C1/0458 , C22C1/08 , C22C45/10 , C22C2200/02 , B22F9/04
摘要： 本發明係有關於一種多孔非晶質合金人工關節及其製備方法，其中該多孔非晶質合金人工關節材料係由至少一式1至式4之多孔非晶質合金化合物所組成，該式1至式4係如說明書所述。
简体摘要： 本发明系有关于一种多孔非晶质合金人工关节及其制备方法，其中该多孔非晶质合金人工关节材料系由至少一式1至式4之多孔非晶质合金化合物所组成，该式1至式4系如说明书所述。
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公开(公告)号：TW201442618A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102116576
申请日：2013-05-09
发明人： 李宇翔 , LEE, YU HSIANG , 葉昱伶 , YEH, YU LING
CPC分类号： Y02P60/216
摘要： 一種可以降低氧氣抑制的擬球藻培養系統。該系統在設置上包括：在一可透光之攪拌槽中置入一氧氣載體以及細胞培養液，其中該氧氣載體為碳氟化合物液體而細胞培養液則為酸鹼值(pH)為8的韋因培養基(Walne’s medium)；二者溶液不互溶而分成下、上兩相。該可透光之攪拌槽具有複數個開口。在使用時，韋因培養基的溫度得控制在25±2℃之下，並以照明強度為80 μE/m2/s之單一光源連續照射之；另外該可透光之攪拌槽內的葉片是以連續攪拌的方式混合該氧氣載體以及該培養基。下方之該氧氣載體將可攜帶上方培養液中生物體所產生的氧氣，並由一幫浦自其中一個開口抽離該可透光之攪拌槽而進入一氣體交換槽，並且在該氣體交換槽內與連續注入之氮氣接觸後再由該幫浦抽離，經由另一開口而再次進入該可透光之攪拌槽的下方。
简体摘要： 一种可以降低氧气抑制的拟球藻培养系统。该系统在设置上包括：在一可透光之搅拌槽中置入一氧气载体以及细胞培养液，其中该氧气载体为碳氟化合物液体而细胞培养液则为酸碱值(pH)为8的韦因培养基(Walne’s medium)；二者溶液不互溶而分成下、上两相。该可透光之搅拌槽具有复数个开口。在使用时，韦因培养基的温度得控制在25±2℃之下，并以照明强度为80 μE/m2/s之单一光源连续照射之；另外该可透光之搅拌槽内的叶片是以连续搅拌的方式混合该氧气载体以及该培养基。下方之该氧气载体将可携带上方培养液中生物体所产生的氧气，并由一帮浦自其中一个开口抽离该可透光之搅拌槽而进入一气体交换槽，并且在该气体交换槽内与连续注入之氮气接触后再由该帮浦抽离，经由另一开口而再次进入该可透光之搅拌槽的下方。
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公开(公告)号：TWI459247B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW101142395
申请日：2012-11-14
发明人： 潘敏俊 , PAN, MINCHUN , 楊其泰 , YANG, CHITAI , 吳炤民 , WU, CHAOMIN
CPC分类号： A61B5/1122
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公开(公告)号：TWI458119B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW097116535
申请日：2008-05-05
发明人： 孫慶成 , SUN, CHING CHERNG , 何信穎 , HO, HSINH YING , 許哲誌 , HSU, CHE CHIH , 蔡昌宇 , TSAI, CHANG YU
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： G02B19/0028 , G02B19/0061 , H01L33/58 , H01L33/60
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公开(公告)号：TWI456135B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW100128922
申请日：2011-08-12
发明人： 楊建裕 , YANG, CHIEN YUH , 劉建富 , LIU, CHIEN FU
CPC分类号： Y02E60/321
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公开(公告)号：TWI455355B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW099110501
申请日：2010-04-06
发明人： 陳鵬壬 , CHEN, PENG REN , 劉學興 , LIU, HSUEH HSING , 綦振瀛 , CHYI, JEN INN
IPC分类号： H01L33/14
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公开(公告)号：TW201436205A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103102864
申请日：2014-01-27
发明人： 綦振瀛 , CHYI, JENINN , 李庚諺 , LEE, GENGYEN , 沈煒凱 , SHEN, WEIKAI , 薛清全 , SHIUE, CHINGCHUAN , 邢泰剛 , SHING, TAIKANG
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L29/045 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/7786
摘要： 一種半導體裝置包含基板、異質結構體、保護層、源極、汲極與閘極。異質結構體置於基板上，異質結構體包含第一半導體層、遮罩層、成長層與第二半導體層。第一半導體層置於基板上。遮罩層置於部份之第一半導體層上。成長層置於第一半導體層上，且毗鄰遮罩層設置。成長層包含主體部與至少一傾斜部。第二半導體層置於遮罩層與成長層上。保護層置於第二半導體層上，且至少置於遮罩層與成長層之傾斜部的上方。源極與汲極分別與異質結構體電性耦合。閘極置於保護層上，置於源極與汲極之間，並至少置於成長層之傾斜部上方。
简体摘要： 一种半导体设备包含基板、异质结构体、保护层、源极、汲极与闸极。异质结构体置于基板上，异质结构体包含第一半导体层、遮罩层、成长层与第二半导体层。第一半导体层置于基板上。遮罩层置于部份之第一半导体层上。成长层置于第一半导体层上，且毗邻遮罩层设置。成长层包含主体部与至少一倾斜部。第二半导体层置于遮罩层与成长层上。保护层置于第二半导体层上，且至少置于遮罩层与成长层之倾斜部的上方。源极与汲极分别与异质结构体电性耦合。闸极置于保护层上，置于源极与汲极之间，并至少置于成长层之倾斜部上方。
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公开(公告)号：TW201435512A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102107410
申请日：2013-03-01
发明人： 陳奇夆
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一種掃描式UV-LED曝光裝置，係運用一以固定速率做週期循環之UV-LED曝光光源，對大面積目標區域進行掃描曝光製程時不需停止移動，達到可將曝光光源不斷循環重複利用而增加能量使用效率之目的，並以錯位排列增加發光二極體陣列光源對於輻射照度之均勻性，俾以增加曝光均勻性，進而有效提高產品良率；此外，本發明透過上下曝光台與循環週期移動環之結構設計，可使裝置體積縮小，節省生產空間與能源消耗而降低生產成本，利用循環週期移動環帶動發光二極體陣列光源，使工件在上下曝光台與循環週期移動環之間充分利用空間而可同時進行上下曝光台之曝光，達到節省能源之消耗並能有效地相對增加產速，以達到提高生產效能。
简体摘要： 一种扫描式UV-LED曝光设备，系运用一以固定速率做周期循环之UV-LED曝光光源，对大面积目标区域进行扫描曝光制程时不需停止移动，达到可将曝光光源不断循环重复利用而增加能量使用效率之目的，并以错位排列增加发光二极管数组光源对于辐射照度之均匀性，俾以增加曝光均匀性，进而有效提高产品良率；此外，本发明透过上下曝光台与循环周期移动环之结构设计，可使设备体积缩小，节省生产空间与能源消耗而降低生产成本，利用循环周期移动环带动发光二极管数组光源，使工件在上下曝光台与循环周期移动环之间充分利用空间而可同时进行上下曝光台之曝光，达到节省能源之消耗并能有效地相对增加产速，以达到提高生产性能。
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