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    成型滾輪及成型滾輪的製造設備與成型滾輪的製造方法
    83.
    发明专利
    成型滾輪及成型滾輪的製造設備與成型滾輪的製造方法 审中-公开
    成型滚轮及成型滚轮的制造设备与成型滚轮的制造方法

    公开(公告)号：TW201345700A

    公开(公告)日：2013-11-16

    申请号：TW101116992

    申请日：2012-05-11

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： 許嘉麟 ,  HSU, CHIA LING

    IPC: B29C59/04

    CPC classification number: B29C59/04 ,  B29C41/02 ,  B29C43/021 ,  B29C59/022

    Abstract: 本發明提供一種成型滾輪，其包括一原始輪及一成型膜。該原始輪包括一外圓周面。該成型膜由乙烯-四氟乙烯或聚四氟乙烯製成。該成型膜是無縫的圓環狀結構，且套設在該原始輪的外圓周面上。該成型膜包括一背離該原始輪的成型面。該成型面上設置有微結構壓印圖案。本發明還涉及一種成型滾輪的製造設備及成型滾輪的製造方法。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种成型滚轮，其包括一原始轮及一成型膜。该原始轮包括一外圆周面。该成型膜由乙烯-四氟乙烯或聚四氟乙烯制成。该成型膜是无缝的圆环状结构，且套设在该原始轮的外圆周面上。该成型膜包括一背离该原始轮的成型面。该成型面上设置有微结构压印图案。本发明还涉及一种成型滚轮的制造设备及成型滚轮的制造方法。

    利用奈米壓印技術在聚合物壓電性材料上形成高深寬比的奈米柱的方法 A METHOD FOR NANOIMPRINTING A PIEZOELECTRIC POLYMERIC MATERIAL TO FORM HIGH ASPECT RATIO NANOPILLARS
    85.
    发明专利
    利用奈米壓印技術在聚合物壓電性材料上形成高深寬比的奈米柱的方法 A METHOD FOR NANOIMPRINTING A PIEZOELECTRIC POLYMERIC MATERIAL TO FORM HIGH ASPECT RATIO NANOPILLARS 审中-公开
    利用奈米压印技术在聚合物压电性材料上形成高深宽比的奈米柱的方法 A METHOD FOR NANOIMPRINTING A PIEZOELECTRIC POLYMERIC MATERIAL TO FORM HIGH ASPECT RATIO NANOPILLARS

    公开(公告)号：TW201249738A

    公开(公告)日：2012-12-16

    申请号：TW100114651

    申请日：2011-04-27

    Applicant: 國立清華大學

    Inventor： 洪健中 ,  黃聖淵

    IPC: B82Y ,  B81C

    CPC classification number: B29C59/022 ,  B29C35/02 ,  B29C2059/023 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

    Abstract: 本發明主要提供一種利用奈米壓印技術在聚合物壓電性材料上形成高深寬比的奈米柱的方法，包含：將一聚合物壓電性材料的表面加熱至一壓印溫度，該壓印溫度大於(Tc-25)℃且小於Tc，其中，Tc為該聚合物壓電性材料的居禮溫度；及使用一具有奈米柱結構的模板對該聚合物壓電性材料的表面進行奈米壓印以在該聚合物壓電性材料的表面上產生高深寬比的奈米柱結構。本發明也提供一種由此方法所製作的聚合物壓電性材料。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明主要提供一种利用奈米压印技术在聚合物压电性材料上形成高深宽比的奈米柱的方法，包含：将一聚合物压电性材料的表面加热至一压印温度，该压印温度大于(Tc-25)℃且小于Tc，其中，Tc为该聚合物压电性材料的居礼温度；及使用一具有奈米柱结构的模板对该聚合物压电性材料的表面进行奈米压印以在该聚合物压电性材料的表面上产生高深宽比的奈米柱结构。本发明也提供一种由此方法所制作的聚合物压电性材料。

    微奈米轉印製程之夾持裝置及其方法 A CLAMPING DEVICE OF MICRO/NANO IMPRINT PROCESS AND THE METHOD THEREOF
    86.
    发明专利
    微奈米轉印製程之夾持裝置及其方法 A CLAMPING DEVICE OF MICRO/NANO IMPRINT PROCESS AND THE METHOD THEREOF 失效
    微奈米转印制程之夹持设备及其方法 A CLAMPING DEVICE OF MICRO/NANO IMPRINT PROCESS AND THE METHOD THEREOF

    公开(公告)号：TW201200343A

    公开(公告)日：2012-01-01

    申请号：TW099121380

    申请日：2010-06-30

    Applicant: 國立台灣科技大學

    Inventor： 張復瑜

    IPC: B29C ,  H01L

    CPC classification number: B29C59/022 ,  B29C2059/023 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

    Abstract: 本發明揭露一種用於微奈米轉印製程之夾持裝置及方法，一種用於微奈米轉印製程之夾持裝置，其係用以夾持至少一基板，該夾持裝置包含有一第一模組，一第二模組以及一閉鎖模組。第一模組係用以容置至少一模板，該模板具有一預定結構；第二模組係用以承載該基板；閉鎖模組係用以固鎖該第一模組及該第二模組；以及其中，該夾持裝置藉由一預定方式以使該模板壓印該基板。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种用于微奈米转印制程之夹持设备及方法，一种用于微奈米转印制程之夹持设备，其系用以夹持至少一基板，该夹持设备包含有一第一模块，一第二模块以及一闭锁模块。第一模块系用以容置至少一模板，该模板具有一预定结构；第二模块系用以承载该基板；闭锁模块系用以固锁该第一模块及该第二模块；以及其中，该夹持设备借由一预定方式以使该模板压印该基板。

    在聚合物結構上產生印記（ＩＭＰＲＩＮＴ）之方法 A METHOD OF MAKING AN IMPRINT ON A POLYMER STRUCTURE
    88.
    发明专利
    在聚合物結構上產生印記（ＩＭＰＲＩＮＴ）之方法 A METHOD OF MAKING AN IMPRINT ON A POLYMER STRUCTURE 审中-公开
    在聚合物结构上产生印记（ＩＭＰＲＩＮＴ）之方法 A METHOD OF MAKING AN IMPRINT ON A POLYMER STRUCTURE

    公开(公告)号：TW201016441A

    公开(公告)日：2010-05-01

    申请号：TW098124240

    申请日：2009-07-17

    Applicant: 新加坡科技研究局

    Inventor： 賽福拉 穆罕默德S ,  邱鼎團 ,  劉鳳儀

    IPC: B29C ,  B41M ,  B82B ,  B29K

    CPC classification number: G03F7/0002 ,  B29C59/022 ,  B29C2059/023 ,  B41D7/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  Y10T428/24479

    Abstract: 本發明揭露一種在一聚合物結構上製造一印記的方法，其包含有以下步驟：a）提供一經壓印基材模具，其係在一第一側邊上具有一經界定的壓印表面圖案，並且在一對應於該第一側邊的第二側邊上具有一經界定的壓印表面圖案；b）將一聚合物結構相對於該經壓印基材模具的該第一側邊來加以壓擠，以在其上形成一印記；並且c）將另一聚合物結構相對於該經壓印基材模具的該第二側邊來加以壓擠，以在其上形成一印記。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种在一聚合物结构上制造一印记的方法，其包含有以下步骤：a）提供一经压印基材模具，其系在一第一侧边上具有一经界定的压印表面图案，并且在一对应于该第一侧边的第二侧边上具有一经界定的压印表面图案；b）将一聚合物结构相对于该经压印基材模具的该第一侧边来加以压挤，以在其上形成一印记；并且c）将另一聚合物结构相对于该经压印基材模具的该第二侧边来加以压挤，以在其上形成一印记。

    利用轉印技術形成微圖案之方法 METHOD FOR FORMING A MICRO PATTERN USING A TRANSFER TECHNIQUE
    89.
    发明专利
    利用轉印技術形成微圖案之方法 METHOD FOR FORMING A MICRO PATTERN USING A TRANSFER TECHNIQUE 审中-公开
    利用转印技术形成微图案之方法 METHOD FOR FORMING A MICRO PATTERN USING A TRANSFER TECHNIQUE

    公开(公告)号：TW201002535A

    公开(公告)日：2010-01-16

    申请号：TW098122557

    申请日：2009-07-03

    Applicant: 日本電氣股份有限公司

    Inventor： 苅屋田英嗣

    IPC: B41M

    CPC classification number: B29C59/022 ,  B29C2035/0827 ,  B29C2059/023 ,  Y10T428/24736

    Abstract: 一種圖案轉印方法，包含：形成一介電薄膜在有一凹凸形圖案形成於其上之一第一基板上；由該第一基板至一第二基板，依序插入該介電薄膜、一含氟的紫外(UV)線硬化樹脂、及一無氟的紫外線硬化樹脂，而將該第一基板與該第二基板結合在一起；以及在該介電薄膜與該含氟的紫外線硬化樹脂之間的一界面，將該第一基板與該第二基板分離，以轉印該凹凸形圖案至該含氟的紫外線硬化樹脂上。

    Abstract in simplified Chinese: 一种图案转印方法，包含：形成一介电薄膜在有一凹凸形图案形成于其上之一第一基板上；由该第一基板至一第二基板，依序插入该介电薄膜、一含氟的紫外(UV)线硬化树脂、及一无氟的紫外线硬化树脂，而将该第一基板与该第二基板结合在一起；以及在该介电薄膜与该含氟的紫外线硬化树脂之间的一界面，将该第一基板与该第二基板分离，以转印该凹凸形图案至该含氟的紫外线硬化树脂上。

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