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公开(公告)号:TWI619145B
公开(公告)日:2018-03-21
申请号:TW105112153
申请日:2016-04-19
Applicant: 佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
Inventor: 保坂教史 , HOSAKA, TAKASHI
IPC: H01L21/027 , B29C59/02 , G03F7/00
CPC classification number: G03F9/7042 , G03F7/0002
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公开(公告)号:TWI618616B
公开(公告)日:2018-03-21
申请号:TW102139553
申请日:2013-10-31
Applicant: 信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
Inventor: 原田大実 , HARADA, DAIJITSU , 岡藤大雄 , OKAFUJI, DAIYU , 山崎裕之 , YAMAZAKI, HIROYUKI , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI
CPC classification number: B29C59/022 , B29C59/002 , B29C59/026 , B29C59/16 , C03C15/02 , G03F1/14 , G03F1/60 , G03F7/0002
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公开(公告)号:TWI613522B
公开(公告)日:2018-02-01
申请号:TW102135304
申请日:2013-09-30
Applicant: 可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
Inventor: 渡邊淳史 , WATANABE, JUNJI , 唐井賢 , KARAI, MASARU
CPC classification number: B29C35/0805 , B29C59/02 , B29C2035/0838 , G03F7/0002 , G03F7/2012 , G03F7/2022
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公开(公告)号:TWI612379B
公开(公告)日:2018-01-21
申请号:TW105100441
申请日:2016-01-07
Applicant: 羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 加州大學董事會 , THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
Inventor: 胡斯塔德 飛利浦 D , HUSTAD, PHILLIP D. , 特萊弗納斯 彼得 III , TREFONAS, PETER, III , 金茲伯格 瓦烈里 V , GINZBURG, VALERIY V. , 金奉槿 , KIM, BONGKEUN , 弗雷德里克森 格倫 H , FREDRICKSON, GLENN H.
CPC classification number: C09D153/00 , G03F7/0002
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公开(公告)号:TWI611907B
公开(公告)日:2018-01-21
申请号:TW100111053
申请日:2011-03-30
Applicant: 富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
Inventor: 若松哲史 , WAKAMATSU, SATOSHI , 大松禎 , OMATSU, TADASHI
IPC: B29C59/02
CPC classification number: B29C33/3857 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
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公开(公告)号:TW201802581A
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:TW106110591
申请日:2017-03-29
Applicant: 佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
Inventor: 劉衛軍 , LIU, WEIJUN , 史塔維克 堤墨希 , STACHOWIAK, TIMOTHY BRIAN , 迪揚 詹姆斯 , DEYOUNG, JAMES P. , 克斯迪諾夫 尼亞茲 , KHUSNATDINOV, NIYAZ
IPC: G03F7/00 , H01L21/027 , B29C59/02 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/02304 , G03F7/0002 , H01L21/0212 , H01L21/022 , H01L21/0273
Abstract: 藉由使用包括經氟化組分之壓印光阻及經預處理組成物處理之基材來促使壓印光阻展布在該基材上而促進奈米壓印微影法之產出。介於該預處理組成物與空氣之間的界面表面能超出介於該壓印光阻與空氣之間的界面表面能至少1mN/m,且該壓印光阻在該奈米壓印微影模板表面上之接觸角小於15°。
Abstract in simplified Chinese: 借由使用包括经氟化组分之压印光阻及经预处理组成物处理之基材来促使压印光阻展布在该基材上而促进奈米压印微影法之产出。介于该预处理组成物与空气之间的界面表面能超出介于该压印光阻与空气之间的界面表面能至少1mN/m,且该压印光阻在该奈米压印微影模板表面上之接触角小于15°。
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公开(公告)号:TWI610946B
公开(公告)日:2018-01-11
申请号:TW103113544
申请日:2014-04-14
Applicant: 日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
Inventor: 小林淳平 , KOBAYASHI, JUNPEI , 加藤拓 , KATO, TAKU , 鈴木正睦 , SUZUKI, MASAYOSHI
IPC: C08F20/52 , C08F20/10 , C08G77/04 , C08F2/44 , B29C59/02 , B29C59/16 , G02B1/04 , H04N5/335 , H01L51/50 , H01L21/027 , H01L31/042 , G09F9/00
CPC classification number: G03F7/0002 , C08F2/48 , C08F220/56 , C08F2220/325 , C08L33/14 , C09D4/00 , G03F7/027 , G03F7/028 , H01L21/76817
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公开(公告)号:TWI610722B
公开(公告)日:2018-01-11
申请号:TW104133032
申请日:2015-10-07
Applicant: 佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
Inventor: 山拓郎 , YAMAZAKI, TAKURO , 舩吉智美 , FUNAYOSHI, TOMOMI , 山口裕充 , YAMAGUCHI, HIROMITSU , 藤本正敬 , FUJIMOTO, MASAYOSHI
CPC classification number: B29C43/58 , G03F7/0002
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9.圖型形成方法、加工基板之製造方法、光學元件之製造方法、電路基板之製造方法、電子元件之製造方法、轉印模具之製造方法 审中-公开
Simplified title: 图型形成方法、加工基板之制造方法、光学组件之制造方法、电路基板之制造方法、电子组件之制造方法、转印模具之制造方法公开(公告)号:TW201801145A
公开(公告)日:2018-01-01
申请号:TW106111220
申请日:2017-03-31
Applicant: 佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
Inventor: 飯村晶子 , IIMURA, AKIKO , 伊藤俊樹 , ITO, TOSHIKI
IPC: H01L21/027 , B29C59/02
CPC classification number: G03F7/0002 , C09D133/06 , C09D133/08 , C09D135/02
Abstract: 一種圖型形成方法,係將含有聚合性化合物的成分(a1)之硬化性組成物(A1)的層層合於基板表面,於前述硬化性組成物(A1)的層上,離散地滴加至少含有聚合性化合物的成分(a2)及光聚合起始劑的成分(b2)之硬化性組成物(A2)的液滴,於具有圖型之模具與前述基板之間夾入前述硬化性組成物(A1)及前述硬化性組成物(A2)之混合層,藉由對前述混合層照射光而硬化,自硬化後之前述混合層拉離前述模具,而於前述基板上形成圖型,前述硬化性組成物(A1)之前述聚合性化合物的成分(a1)與前述硬化性組成物(A2)之漢森(Hansen)距離Ra((a1)-(A2))為6以下。
Abstract in simplified Chinese: 一种图型形成方法,系将含有聚合性化合物的成分(a1)之硬化性组成物(A1)的层层合于基板表面,于前述硬化性组成物(A1)的层上,离散地滴加至少含有聚合性化合物的成分(a2)及光聚合起始剂的成分(b2)之硬化性组成物(A2)的液滴,于具有图型之模具与前述基板之间夹入前述硬化性组成物(A1)及前述硬化性组成物(A2)之混合层,借由对前述混合层照射光而硬化,自硬化后之前述混合层拉离前述模具,而于前述基板上形成图型,前述硬化性组成物(A1)之前述聚合性化合物的成分(a1)与前述硬化性组成物(A2)之汉森(Hansen)距离Ra((a1)-(A2))为6以下。
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公开(公告)号:TWI609408B
公开(公告)日:2017-12-21
申请号:TW104132169
申请日:2015-09-30
Applicant: LG化學股份有限公司 , LG CHEM, LTD.
Inventor: 具世真 , KU, SE JIN , 李美宿 , LEE, MI SOOK , 柳亨周 , RYU, HYUNG JU , 金廷根 , KIM, JUNG KEUN , 尹聖琇 , YOON, SUNG SOO , 朴魯振 , PARK, NO JIN , 李濟權 , LEE, JE GWON , 崔銀英 , CHOI, EUN YOUNG
IPC: H01L21/027
CPC classification number: C08L53/005 , B05D1/005 , B05D3/007 , B81C1/00428 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C01P2002/70 , C07B2200/00 , C08F2/14 , C08F32/06 , C08F212/08 , C08F216/12 , C08F220/10 , C08F220/26 , C08F220/30 , C08F293/00 , C08F293/005 , C08F299/024 , C08F2220/301 , C08F2438/03 , C08G61/08 , C08G61/128 , C08G2261/1424 , C08G2261/1426 , C08G2261/332 , C08G2261/3324 , C08G2261/40 , C08G2261/418 , C08J5/18 , C08J7/123 , C08J2353/00 , C08L53/00 , C08L53/02 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/162 , G03F7/2004 , G03F7/30 , C08F214/182
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