公开(公告)号：TWI313707B

公开(公告)日：2009-08-21

申请号：TW093104559

申请日：2004-02-24

申请人： 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 黑田英男 KURODA, HIDEO ,  山口靖英 YAMAGUCHI, YASUHIDE ,  渡邊廣幸 WATANABE, HIROYUKI ,  桑原滋 KUWABARA, SHIGERU

IPC分类号： C09K ,  C09G

CPC分类号： C09K3/1409

摘要： 以提供研磨速度更高、刮傷的發生更少的鈰系研磨材料為課題。本發明之鈰系研磨材料,除了含氟以外、稀土類元素至少含有鈰(Ce)、鑭(La)、鐠(Pr)及釹(Nd)、以稀土類氧化物為主成分,其特徵在於,氧化釹佔全稀土類氧化物(TREO)的含有量之重量比例(Nd2O3/TREO)在0.001重量%~5重量%。使用該研磨材來研磨玻璃等的研磨對象面。與使用以往的鈰系研磨材料之情形相比,可以用更短的時間完成研磨。且可以更確實地抑制研磨所得的研磨面上刮傷的發生。

简体摘要： 以提供研磨速度更高、刮伤的发生更少的铈系研磨材料为课题。本发明之铈系研磨材料,除了含氟以外、稀土类元素至少含有铈(Ce)、镧(La)、镨(Pr)及钕(Nd)、以稀土类氧化物为主成分,其特征在于,氧化钕占全稀土类氧化物(TREO)的含有量之重量比例(Nd2O3/TREO)在0.001重量%~5重量%。使用该研磨材来研磨玻璃等的研磨对象面。与使用以往的铈系研磨材料之情形相比,可以用更短的时间完成研磨。且可以更确实地抑制研磨所得的研磨面上刮伤的发生。

公开(公告)号：TW200930825A

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：TW097140592

申请日：2008-10-23

申请人： 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 加藤和照 KATO, KAZUTERU

IPC分类号： C23C ,  C22C ,  G11B

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C22C5/04 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  C22C32/0021 ,  C22C32/0026 ,  C23C14/0688 ,  H01F41/183

摘要： 本發明之目的在提供一種藉由抑制結晶粒之成長,且形成為低導磁率且高密度,可實現成膜效率化及膜特性提升之磁性記錄膜用濺鍍靶及其製造方法。本發明之磁性記錄膜用濺鍍靶係為由含有Co及Pt之基質相、與金屬氧化物相所構成之濺鍍靶,其特徵為:導磁率為6至15、相對密度為90%以上。

简体摘要： 本发明之目的在提供一种借由抑制结晶粒之成长,且形成为低导磁率且高密度,可实现成膜效率化及膜特性提升之磁性记录膜用溅镀靶及其制造方法。本发明之磁性记录膜用溅镀靶系为由含有Co及Pt之基质相、与金属氧化物相所构成之溅镀靶,其特征为:导磁率为6至15、相对密度为90%以上。

公开(公告)号：TWI312011B

公开(公告)日：2009-07-11

申请号：TW094104297

申请日：2005-02-15

申请人： 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 久保田高史 KUBOTA, TAKASHI ,  松浦宜範 MATSUURA, YOSHINORI ,  松崎健嗣 MATSUZAKI, KENJI ,  加藤和照 KATO, KAZUTERU

IPC分类号： C22C

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  H01B1/023 ,  H01L21/283 ,  H01L23/53219 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/09 ,  H01L2924/00

摘要： [課題] 本發明之目的係提供一種較適於進行攝氏500度以上高溫熱處理的低溫製程的多晶矽形薄膜電晶體,且高耐熱、低阻抗特性較佳的鋁合金配線材料及標靶材料。
[解決手段] 在含有鎳、鈷及碳的鋁合金配線材料及標靶材料中,以鎳含量的原子百分率為X原子百分率、鈷含量的原子百分率為Y原子百分率、碳的原子百分率為Z原子百分率時,滿足0.5原子百分率≦X≦3.0原子百分率、4.0原子百分率≦X Y≦7.0原子百分率、0.1原子百分率≦Z≦0.5原子百分率的關係,且其餘為鋁。

简体摘要： [课题] 本发明之目的系提供一种较适于进行摄氏500度以上高温热处理的低温制程的多晶硅形薄膜晶体管,且高耐热、低阻抗特性较佳的铝合金配线材料及标靶材料。 [解决手段] 在含有镍、钴及碳的铝合金配线材料及标靶材料中,以镍含量的原子百分率为X原子百分率、钴含量的原子百分率为Y原子百分率、碳的原子百分率为Z原子百分率时,满足0.5原子百分率≦X≦3.0原子百分率、4.0原子百分率≦X Y≦7.0原子百分率、0.1原子百分率≦Z≦0.5原子百分率的关系,且其余为铝。

公开(公告)号：TWI310572B

公开(公告)日：2009-06-01

申请号：TW095101708

申请日：2006-01-17

申请人： 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 阿部直彥 ,  杉岡晶子 ,  菅野明弘

IPC分类号： H01C ,  H01G ,  H05K

CPC分类号： H01G4/33 ,  H05K1/09 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0266 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T29/417

摘要： 一種使用溶膠-凝膠法之製造成本優點良好之介電質膜,以提供以往沒有之包括高電容量且可製造長壽命之電容回路之電容層形成材料為目的。為達成此目的,在用於上部電極形成之第1導電層2與用於下部電極形成之第2導電層3之間包括介電質層4之電容層形成材料1中,該介電質層4,係以溶膠-凝膠法所形成之氧化物介電質膜,為在該介電質層之厚度方向及平面方向成長之粗大化結晶組織,且包含粒徑(長徑)為50nm~300nm之氧化物結晶組織為特徵之電容層形成材料。然後,提供效率良好得到此電容形成材料之製造方法。

简体摘要： 一种使用溶胶-凝胶法之制造成本优点良好之介电质膜,以提供以往没有之包括高电容量且可制造长寿命之电容回路之电容层形成材料为目的。为达成此目的,在用于上部电极形成之第1导电层2与用于下部电极形成之第2导电层3之间包括介电质层4之电容层形成材料1中,该介电质层4,系以溶胶-凝胶法所形成之氧化物介电质膜,为在该介电质层之厚度方向及平面方向成长之粗大化结晶组织,且包含粒径(长径)为50nm~300nm之氧化物结晶组织为特征之电容层形成材料。然后,提供效率良好得到此电容形成材料之制造方法。

公开(公告)号：TWI308931B

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：TW093139620

申请日：2004-12-20

申请人： 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. ,  日本輕金屬股份有限公司 NIPPON LIGHT METAL COMPANY, LTD.

发明人： 久保田高史 KUBOTA, TAKASHI ,  松浦宜範 MATSUURA, YOSHINORI ,  加藤和照 KATO, KAZUTERU

IPC分类号： C22C

CPC分类号： B23K20/122 ,  B23K2203/10 ,  C23C14/3414

摘要： [課題] 本發明之目的係提供一種極力地減少例如氣孔之內部缺陷而無彎曲產生之大面積之鋁系標靶。
[解決手段] 在由複數個鋁合金標靶構件所構成之鋁系標靶,具備藉由摩擦攪拌接合法而接合鋁合金標靶構件之接合部。此外,該接合部係在鋁母材中分散直徑10���m以下之金屬間化合物析出物之組織,直徑500���m以下之氣孔存在0.01-0.1個/cm2。

简体摘要： [课题] 本发明之目的系提供一种极力地减少例如气孔之内部缺陷而无弯曲产生之大面积之铝系标靶。 [解决手段] 在由复数个铝合金标靶构件所构成之铝系标靶,具备借由摩擦搅拌接合法而接合铝合金标靶构件之接合部。此外,该接合部系在铝母材中分散直径10���m以下之金属间化合物析出物之组织,直径500���m以下之气孔存在0.01-0.1个/cm2。

公开(公告)号：TWI306791B

公开(公告)日：2009-03-01

申请号：TW095114872

申请日：2006-04-26

申请人： 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 上貴彥 ,  古本啓太 ,  吉丸克彥

IPC分类号： B22F ,  C22B

CPC分类号： H05K1/097 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/0055 ,  B22F9/24 ,  H05K3/4069

摘要： 本發明目的係提供一種錫粉,其包含易於細微間距化配線電路之形成,對微小徑導通孔之充填性佳,發揮低溫融接性之微粒錫粒子。為達成該目的,製作於水放入銅粉攪拌之銅粉漿料,於包含2價錫鹽與硫之混合水溶液,加酸,製作取代析出錫溶液,使錫對於上述銅粉漿料中的銅成既定的比例的方式混合,上述銅粉漿料與上述取代析出錫溶液,攪拌該混合溶液,藉由使錫取代析出於銅粉粒子表面得到本發明之錫粉。

简体摘要： 本发明目的系提供一种锡粉,其包含易于细微间距化配线电路之形成,对微小径导通孔之充填性佳,发挥低温融接性之微粒锡粒子。为达成该目的,制作于水放入铜粉搅拌之铜粉浆料,于包含2价锡盐与硫之混合水溶液,加酸,制作取代析出锡溶液,使锡对于上述铜粉浆料中的铜成既定的比例的方式混合,上述铜粉浆料与上述取代析出锡溶液,搅拌该混合溶液,借由使锡取代析出于铜粉粒子表面得到本发明之锡粉。

公开(公告)号：TW200909381A

公开(公告)日：2009-03-01

申请号：TW097129775

申请日：2008-08-06

申请人： 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 松前和男 MATSUMAE, KAZUO ,  高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO ,  林博光 HAYASHI, HIROMITSU

IPC分类号： C04B ,  C23C

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C23C14/086

摘要： 本發明之目的係提供:使用可以更提高成品率可以形成物性優良之ITO膜之ITO燒結體、ITO濺鍍鈀材及ITO濺鍍靶(特別是體電阻値低之ITO燒結體),可得到低電阻且非晶質安定性優良之膜的ITO濺鍍鈀材及ITO濺鍍靶、以及製造適於此等ITO燒結體之方法。本發明之ITO燒結體係在做為主晶粒之In2O3母相內存在有由Sn3O12組成之微細粒子之ITO(Indium-Tin-Oxide)燒結體,其特徵為該微細粒子具有去角而成之近似立方體形狀。

简体摘要： 本发明之目的系提供:使用可以更提高成品率可以形成物性优良之ITO膜之ITO烧结体、ITO溅镀钯材及ITO溅镀靶(特别是体电阻値低之ITO烧结体),可得到低电阻且非晶质安定性优良之膜的ITO溅镀钯材及ITO溅镀靶、以及制造适于此等ITO烧结体之方法。本发明之ITO烧结体系在做为主晶粒之In2O3母相内存在有由Sn3O12组成之微细粒子之ITO(Indium-Tin-Oxide)烧结体,其特征为该微细粒子具有去角而成之近似立方体形状。

公开(公告)号：TW200908272A

公开(公告)日：2009-02-16

申请号：TW097120556

申请日：2008-06-03

申请人： 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 山縣誠 YAMAGATA, MAKOTO ,  岩田紀明 IWATA, NORIAKI

IPC分类号： H01L ,  H05K

CPC分类号： C25D1/04 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/0346 ,  H05K1/0393 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0355 ,  H01L2224/0401

摘要： 本發明之目的為提供一種電子零件安裝用積層膜及電子零件安裝用膜承載帶,其中,導體層和絕緣膜間的密著性佳,且將導體層圖案化後的絕緣膜之光線穿透率非常高且為無色,也可進行微距的配線圖案化,且抗拉强度及耐折性等特性較佳。其係於導體層11上設有絕緣膜12的電子零件安裝用積層膜20,前述導體層11係由包含了具有3 ���m以上之長徑長度的柱狀銅結晶粒子且厚度15���m以下、於25℃下的伸展率為5%以上的電解銅箔所構成,前述絕緣膜12係由具有超過67%且95%以下之光線穿透率並且實質上為無色的聚醯亞胺層所構成。

简体摘要： 本发明之目的为提供一种电子零件安装用积层膜及电子零件安装用膜承载带,其中,导体层和绝缘膜间的密着性佳,且将导体层图案化后的绝缘膜之光线穿透率非常高且为无色,也可进行微距的配线图案化,且抗拉强度及耐折性等特性较佳。其系于导体层11上设有绝缘膜12的电子零件安装用积层膜20,前述导体层11系由包含了具有3 ���m以上之长径长度的柱状铜结晶粒子且厚度15���m以下、于25℃下的伸展率为5%以上的电解铜箔所构成,前述绝缘膜12系由具有超过67%且95%以下之光线穿透率并且实质上为无色的聚酰亚胺层所构成。

公开(公告)号：TWI306124B

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：TW095121840

申请日：2006-06-19

申请人： 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO ,  渡邊弘 WATANABE, HIROSHI

IPC分类号： C23C ,  C04B ,  C22B

摘要： 本發明係提供可以延長鍍靶壽命,又,可以得到高密度之濺鍍靶的濺鍍靶製造方法。
本發明係將由含有氧化銦粉末及氧化錫粉末之混合粉末所成之原料粉末,經鍛燒(burning)以製造濺鍍靶之際,至少先將氧化銦在1100℃至1300℃中預鍛燒而作成原料之混合粉末,並將此混合粉末在比先前預鍛燒之溫度高出150℃以上之高溫中鍛燒。

简体摘要： 本发明系提供可以延长镀靶寿命,又,可以得到高密度之溅镀靶的溅镀靶制造方法。 本发明系将由含有氧化铟粉末及氧化锡粉末之混合粉末所成之原料粉末,经锻烧(burning)以制造溅镀靶之际,至少先将氧化铟在1100℃至1300℃中预锻烧而作成原料之混合粉末,并将此混合粉末在比先前预锻烧之温度高出150℃以上之高温中锻烧。

公开(公告)号：TW200905003A

公开(公告)日：2009-02-01

申请号：TW097110948

申请日：2008-03-27

申请人： 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 松崎健嗣 MATSUZAKI, KENJI

IPC分类号： C23C ,  C22C

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C22C21/00

摘要： 本發明之目的在提供一種抑制濺鍍時產生發弧之Al-Ni系合金濺鍍靶。本發明之Al-Ni-B系合金濺鍍靶係含有Ni及B,且析出有Al3Ni化合物,其特徵為:內有含B粒子之Al3Ni化合物相對於前述Al3Ni化合物之全析出量之比例為2%以上,而前述Al3Ni化合物之平均粒徑係為20���m以下。

简体摘要： 本发明之目的在提供一种抑制溅镀时产生发弧之Al-Ni系合金溅镀靶。本发明之Al-Ni-B系合金溅镀靶系含有Ni及B,且析出有Al3Ni化合物,其特征为:内有含B粒子之Al3Ni化合物相对于前述Al3Ni化合物之全析出量之比例为2%以上,而前述Al3Ni化合物之平均粒径系为20���m以下。