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公开(公告)号:TWI619928B
公开(公告)日:2018-04-01
申请号:TW105137585
申请日:2016-11-17
发明人: 陳建璋 , CHEN, CHIEN-CHANG , 戴政祺 , TAI, CHENG-CHI
IPC分类号: G01B7/06
CPC分类号: G01B7/10 , G01B7/105 , H05K1/028 , H05K1/0326 , H05K1/0346 , H05K1/09 , H05K3/4644 , H05K3/467 , H05K2201/0154
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公开(公告)号:TW201808913A
公开(公告)日:2018-03-16
申请号:TW106142408
申请日:2015-08-28
发明人: 石川達郎 , ISHIKAWA, TATSURO , 野田国宏 , NODA, KUNIHIRO , 大內康秀 , OHUCHI, YASUHIDE , 千坂博樹 , CHISAKA, HIROKI , 塩田大 , SHIOTA, DAI , 前田幸嗣 , MAEDA, YUKITSUGU , 井本文 , IMOTO, TAKAFUMI , 藤田浩平 , FUJITA, KOUHEI , 赤井泰之 , AKAI, YASUYUKI
IPC分类号: C07D233/60 , C23F11/14
CPC分类号: C07D233/60 , C08K5/3445 , C23C22/02 , C23C22/05 , C23F11/00 , G03F7/004 , G03F7/031 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/322 , G03F7/40 , H05K1/09 , H05K3/28 , H05K3/4644 , H05K2201/032
摘要: 本發明係提供可供予遷移(migration)或配線表面之氧化之抑制效果優異之表面處理液的新規咪唑化合物,提供含有該咪唑化合物之金屬表面處理液,提供使用該金屬表面處理液之金屬之表面處理方法、及使用該表面處理液之層合體之製造方法。 本發明係使用在所定之位置被所定之結構的芳香族基與可具有取代基之咪唑基取代之含有特定之結構之飽和脂肪酸或飽和脂肪酸酯之表面處理液,將金屬進行表面處理。
简体摘要: 本发明系提供可供予迁移(migration)或配线表面之氧化之抑制效果优异之表面处理液的新规咪唑化合物,提供含有该咪唑化合物之金属表面处理液,提供使用该金属表面处理液之金属之表面处理方法、及使用该表面处理液之层合体之制造方法。 本发明系使用在所定之位置被所定之结构的芳香族基与可具有取代基之咪唑基取代之含有特定之结构之饱和脂肪酸或饱和脂肪酸酯之表面处理液,将金属进行表面处理。
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公开(公告)号:TW201807103A
公开(公告)日:2018-03-01
申请号:TW106115092
申请日:2017-05-08
申请人: 迪愛生股份有限公司 , DIC CORPORATION
发明人: 村川昭 , MURAKAWA, AKIRA , 新林昭太 , NIIBAYASHI, SHOTA , 白髮潤 , SHIRAKAMI, JUN
摘要: 本發明提供一種柔版印刷用金屬奈米粒子印墨,其係含有金屬奈米粒子(A)及有機化合物(B)之複合體、與包含水及碳原子數1~3的單醇之水性介質(C)的柔版印刷用金屬奈米粒子印墨,其特徵為前述水性介質(C)中之碳原子數1~3的單醇(monoalcohol)之含有率為45質量%以上。該印墨係在印刷於難以吸附溶劑的基材時,不易發生印墨排斥,可製造安定、精度高且均勻的圖案。
简体摘要: 本发明提供一种柔版印刷用金属奈米粒子印墨,其系含有金属奈米粒子(A)及有机化合物(B)之复合体、与包含水及碳原子数1~3的单醇之水性介质(C)的柔版印刷用金属奈米粒子印墨,其特征为前述水性介质(C)中之碳原子数1~3的单醇(monoalcohol)之含有率为45质量%以上。该印墨系在印刷于难以吸附溶剂的基材时,不易发生印墨排斥,可制造安定、精度高且均匀的图案。
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公开(公告)号:TWI615065B
公开(公告)日:2018-02-11
申请号:TW104121217
申请日:2015-06-30
申请人: 鵬鼎科技股份有限公司
发明人: 胡先欽 , HU, XIAN-QIN , 沈芾雲 , SHEN, FU-YUN , 何明展 , HO, MING-JAAN , 莊毅強 , ZHUANG, YI-QIANG
CPC分类号: H05K1/0216 , H05K1/0219 , H05K1/0237 , H05K1/024 , H05K1/09 , H05K3/06 , H05K3/4697 , H05K2201/0154 , H05K2201/0394 , H05K2201/09618 , H05K2203/063
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公开(公告)号:TW201800443A
公开(公告)日:2018-01-01
申请号:TW105119803
申请日:2016-06-23
发明人: 高郁雯 , KAO, YU-WEN , 徐茂峰 , HSU, MAO-FENG , 向首睿 , HSIANG, SHOU-JUI , 蘇賜祥 , SU, SZU-HSIANG , 滕家吟 , TENG, CHIA-YIN
IPC分类号: C08G73/10 , B32B15/088 , H05K1/03
CPC分类号: C08G73/1085 , C08J5/18 , C08J2379/08 , C09D179/08 , H05K1/0346 , H05K1/0353 , H05K1/0393 , H05K1/09 , H05K3/10 , H05K2201/0154
摘要: 一種聚醯胺酸,其主要由二酐單體及二胺單體聚合而成,該二酐單體為芳香族四羧酸二酐單體,該二胺單體包括含有嘧啶基的二胺單體及芳香族二胺單體。另,本發明還提供一種由所述聚醯胺酸製得的覆銅板,一種應用該覆銅板製得的電路板。
简体摘要: 一种聚酰胺酸,其主要由二酐单体及二胺单体聚合而成,该二酐单体为芳香族四羧酸二酐单体,该二胺单体包括含有嘧啶基的二胺单体及芳香族二胺单体。另,本发明还提供一种由所述聚酰胺酸制得的覆铜板,一种应用该覆铜板制得的电路板。
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公开(公告)号:TWI609043B
公开(公告)日:2017-12-21
申请号:TW105122437
申请日:2016-07-15
发明人: 米田祥浩 , YONEDA, YOSHIHIRO , 松島敏文 , MATSUSHIMA, TOSHIFUMI , 細井俊宏 , HOSOI, TOSHIHIRO , 桑子富士夫 , KUWAKO, FUJIO
CPC分类号: H05K3/386 , B32B15/08 , B32B15/088 , B32B15/092 , H05K1/0373 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K3/06 , H05K3/38 , H05K2201/0154 , H05K2203/0278
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公开(公告)号:TWI608767B
公开(公告)日:2017-12-11
申请号:TW105124741
申请日:2016-08-04
发明人: 吳明豪 , WU, MING HAO , 江書聖 , CHIANG, SHU-SHENG , 鄭偉鳴 , CHENG, WEI-MING
CPC分类号: H05K1/111 , H05K1/0266 , H05K1/0296 , H05K1/0298 , H05K1/09 , H05K1/115 , H05K3/0047 , H05K3/0073 , H05K3/4038 , H05K3/4092 , H05K3/4644 , H05K3/4697 , H05K2201/09036 , H05K2201/094 , H05K2201/09563 , H05K2201/09781 , H05K2203/0376 , H05K2203/163
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公开(公告)号:TW201742523A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:TW106101710
申请日:2017-01-18
发明人: 傑雅里朱 那加拉杰 , JAYARAJU, NAGARAJAN , 巴斯塔 里歐 , BARSTAD, LEON
CPC分类号: H05K3/429 , C23C18/1653 , C23C18/38 , C25D3/38 , C25D5/02 , C25D5/18 , C25D5/56 , C25D7/123 , H05K1/09 , H05K1/115 , H05K3/0094 , H05K3/423 , H05K2201/032 , H05K2203/0723
摘要: 直流電鍍覆方法抑制空隙形成,減少凹陷且消除節結。所述方法涉及在高電流密度下電鍍銅,接著在較低電流密度下電鍍以填充通孔。
简体摘要: 直流电镀覆方法抑制空隙形成,减少凹陷且消除节结。所述方法涉及在高电流密度下电镀铜,接着在较低电流密度下电镀以填充通孔。
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公开(公告)号:TW201742212A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:TW106111923
申请日:2017-04-10
发明人: 加藤翼 , KATO, TSUBASA , 松田光由 , MATSUDA, MITSUYOSHI , 飯田浩人 , IIDA, HIROTO , 吉川和広 , YOSHIKAWA, KAZUHIRO
IPC分类号: H01L23/48
摘要: 本發明係一種表面處理銅箔,附有載體之銅箔以及使用此等之貼銅層積板及印刷配線板之製造方法,其中,提供:對於使用於SAP法之情況,不僅電鍍電路密著性,而可將對於無電解鍍銅而言之蝕刻性,及乾膜解像性亦為優越之表面輪廓賦予於層積體的表面處理銅箔。此表面處理銅箔係於至少一方側,具有處理表面。處理表面係依據ISO25178所測定之峰頂點的算術平均曲率Spc為55mm-1以上,熱壓著樹脂薄膜於處理表面而將處理表面的表面形狀,轉印於樹脂薄膜的表面,經由蝕刻而除去表面處理銅箔之情況,在所殘留之樹脂薄膜之表面,依據ISO25178所測定之峰頂點的算術平均曲率Spc則成為55mm-1以上者。
简体摘要: 本发明系一种表面处理铜箔,附有载体之铜箔以及使用此等之贴铜层积板及印刷配线板之制造方法,其中,提供:对于使用于SAP法之情况,不仅电镀电路密着性,而可将对于无电解镀铜而言之蚀刻性,及干膜解像性亦为优越之表面轮廓赋予于层积体的表面处理铜箔。此表面处理铜箔系于至少一方侧,具有处理表面。处理表面系依据ISO25178所测定之峰顶点的算术平均曲率Spc为55mm-1以上,热压着树脂薄膜于处理表面而将处理表面的表面形状,转印于树脂薄膜的表面,经由蚀刻而除去表面处理铜箔之情况,在所残留之树脂薄膜之表面,依据ISO25178所测定之峰顶点的算术平均曲率Spc则成为55mm-1以上者。
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公开(公告)号:TW201741145A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:TW106105344
申请日:2017-02-17
发明人: 松田光由 , MATSUDA, MITSUYOSHI , 髙梨哲聡 , TAKANASHI, AKITOSHI , 飯田浩人 , IIDA, HIROTO , 吉川和広 , YOSHIKAWA, KAZUHIRO , 加藤翼 , KATO, TSUBASA , 金子智一 , KANEKO, TOMOKAZU
摘要: 本發明提供一種印刷電路板之製造方法,其不另外需要追加的蝕刻步驟,藉由Cu蝕刻而在面內均勻地進行銅層之蝕刻,同時可抑制局部的電路凹陷之發生。此製造方法包含:使用依順序具備有表面銅層及蝕刻犧牲層的金屬箔,或依順序具備有表面銅層、蝕刻犧牲層及追加銅層的金屬箔,得到支持體之步驟,於表面銅層上,形成至少包含銅製的第一配線層與絕緣層的增建配線層而得到附增建配線層的積層體之步驟,與藉由蝕刻液去除表面銅層及蝕刻犧牲層,或去除表面銅層、蝕刻犧牲層及追加銅層,而使第一配線層露出,藉此得到包含增建配線層的印刷電路板之步驟。蝕刻犧牲層之蝕刻速率係比Cu更高。
简体摘要: 本发明提供一种印刷电路板之制造方法,其不另外需要追加的蚀刻步骤,借由Cu蚀刻而在面内均匀地进行铜层之蚀刻,同时可抑制局部的电路凹陷之发生。此制造方法包含:使用依顺序具备有表面铜层及蚀刻牺牲层的金属箔,或依顺序具备有表面铜层、蚀刻牺牲层及追加铜层的金属箔,得到支持体之步骤,于表面铜层上,形成至少包含铜制的第一配线层与绝缘层的增建配线层而得到附增建配线层的积层体之步骤,与借由蚀刻液去除表面铜层及蚀刻牺牲层,或去除表面铜层、蚀刻牺牲层及追加铜层,而使第一配线层露出,借此得到包含增建配线层的印刷电路板之步骤。蚀刻牺牲层之蚀刻速率系比Cu更高。
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