-
公开(公告)号：TWI638778B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW103116516
申请日：2014-05-09
Applicant: 日商三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION , 日商三菱綜合材料電子化成股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS ELECTRONIC CHEMICALS CO., LTD.
Inventor： 影山謙介 , KAGEYAMA, KENSUKE
-
公开(公告)号：TW201823258A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106145471
申请日：2017-12-25
Inventor： 白石真也 , SHIRAISHI, SHINYA , 齋藤禎也 , SAITO, TOMOYA
Abstract: 本發明的膜形成用液體組成物包含以二氧化矽溶凝膠為主之成份以及溶劑，將二氧化矽溶凝膠設為100質量%時，該二氧化矽溶凝膠包含0.5~10質量%的下述一般式（1）所表示的全氟胺構造的含氟官能基成份（F）、與0.5~20質量%的碳數2~7的伸烷基成份（G），溶劑為水與碳數1~4的醇之混合溶劑，或是水、碳數1~4的醇、與前述醇以外的有機溶劑之混合溶劑。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的膜形成用液体组成物包含以二氧化硅溶凝胶为主之成份以及溶剂，将二氧化硅溶凝胶设为100质量%时，该二氧化硅溶凝胶包含0.5~10质量%的下述一般式（1）所表示的全氟胺构造的含氟官能基成份（F）、与0.5~20质量%的碳数2~7的伸烷基成份（G），溶剂为水与碳数1~4的醇之混合溶剂，或是水、碳数1~4的醇、与前述醇以外的有机溶剂之混合溶剂。
-
公开(公告)号：TW201500288A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103116516
申请日：2014-05-09
Applicant: 三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION , 三菱綜合材料電子化成股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS ELECTRONIC CHEMICALS CO., LTD.
Inventor： 影山謙介 , KAGEYAMA, KENSUKE
CPC classification number: C01G31/00 , C01G31/02 , C01P2002/52 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09D17/00 , C09D201/00
Abstract: 抑制在分散液中之沉降。 其係一般式VOxNy(式中的x、y為滿足0
Abstract in simplified Chinese: 抑制在分散液中之沉降。 其系一般式VOxNy(式中的x、y为满足0
-
公开(公告)号：TW201829813A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106136295
申请日：2017-10-23
Applicant: 日商三菱綜合材料電子化成股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS ELECTRONIC CHEMICALS CO., LTD. , 日商大同特殊鋼股份有限公司 , DAIDO STEEL CO., LTD.
Inventor： 金井昌弘 , KANAI, MASAHIRO , □橋浩司 , TSUZUKIHASHI, KOJI , 小西希 , KONISHI, NOZOMI , 萩原正弘 , HAGIWARA, MASAHIRO , 勝見昌高 , KATSUMI, MASATAKA , 小林和人 , KOBAYASHI, KAZUHITO
Abstract: 在長方形板狀之靶材(10)的表面上，係於靶材(10)之寬度方向的中央形成沿長邊方向延伸的溝部(13)，以作為設計上未被濺鍍之虛擬區域。將靶材(10)表面之寬度(W1)設成為100%時，溝部(13)之寬度(W2)為20～40%。又，溝部(13)之角落部(14)，係形成為彎曲面，該角落部(14)之開口的曲率半徑，係1.0mm以上為較佳。
Abstract in simplified Chinese: 在长方形板状之靶材(10)的表面上，系于靶材(10)之宽度方向的中央形成沿长边方向延伸的沟部(13)，以作为设计上未被溅镀之虚拟区域。将靶材(10)表面之宽度(W1)设成为100%时，沟部(13)之宽度(W2)为20～40%。又，沟部(13)之角落部(14)，系形成为弯曲面，该角落部(14)之开口的曲率半径，系1.0mm以上为较佳。
-
公开(公告)号：TW201518527A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103124752
申请日：2014-07-18
Applicant: 三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION , 三菱綜合材料電子化成股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS ELECTRONIC CHEMICALS CO., LTD.
Inventor： 続橋浩司 , TSUZUKIHASHI, KOJI , 池田洋 , IKEDA, HIROSHI , 安川隆昌 , YASUKAWA, TAKAMASA , 金井昌弘 , KANAI, MASAHIRO
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407
Abstract: 本發明之矽靶材構造體之製造方法係於矽靶材之接合面形成Ag膜，且於前述Ag膜與銅背襯板之間介隔銦焊料使前述矽靶材與前述銅背襯板一體化，再藉由加熱熔融前述銦焊料使前述矽靶材接合於前述銅背襯板，而製造前述矽靶材一體接合於前述銅背襯板之構造體。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之硅靶材构造体之制造方法系于硅靶材之接合面形成Ag膜，且于前述Ag膜与铜背衬板之间介隔铟焊料使前述硅靶材与前述铜背衬板一体化，再借由加热熔融前述铟焊料使前述硅靶材接合于前述铜背衬板，而制造前述硅靶材一体接合于前述铜背衬板之构造体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI527940B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW101109685
申请日：2012-03-21
Applicant: 三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION , 三菱綜合材料電子化成股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS ELECTRONIC CHEMICALS CO., LTD.
Inventor： 二田伸康 , NITA, NOBUYASU , 中田嘉信 , NAKADA, YOSHINOBU , 池田洋 , IKEDA, HIROSHI
IPC: C30B17/00 , C30B35/00 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
-
公开(公告)号：TW201327841A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101148896
申请日：2012-12-21
Applicant: 獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY , 三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION , 三菱綜合材料電子化成股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS ELECTRONIC CHEMICALS CO., LTD.
Inventor： 下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 宮迫毅明 , MIYASAKO, TAKAAKI , 塚田博一 , TSUKADA, HIROKAZU
IPC: H01L29/786 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02183 , H01L21/02192 , H01L21/02282 , H01L21/02323 , H01L21/02337 , H01L21/02614 , H01L21/0262 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: [課題]本發明之係實現將氧化物適用於閘極絕緣層之薄膜電晶體之高性能化、或是此種薄膜電晶體之製造程序的簡潔化與省能量化。[解決手段]本發明之一薄膜電晶體100係於閘極電極20與通道52之間具備有由鑭(La)與鉭(Ta)所構成之第1氧化物層32(可含有不可避免之雜質)，此第1氧化物層具有下述表面32a：以含鑭(La)之先驅物以及含鉭(Ta)之先驅物為溶質之先驅物溶液做為起始材而在先驅物層之狀態下暴露於鹽酸蒸氣後所形成者。進而，此薄膜電晶體之第1氧化物層32之表面32a係相接於通道52。
Abstract in simplified Chinese: [课题]本发明之系实现将氧化物适用于闸极绝缘层之薄膜晶体管之高性能化、或是此种薄膜晶体管之制造进程的简洁化与省能量化。[解决手段]本发明之一薄膜晶体管100系于闸极电极20与信道52之间具备有由镧(La)与钽(Ta)所构成之第1氧化物层32(可含有不可避免之杂质)，此第1氧化物层具有下述表面32a：以含镧(La)之先驱物以及含钽(Ta)之先驱物为溶质之先驱物溶液做为起始材而在先驱物层之状态下暴露于盐酸蒸气后所形成者。进而，此薄膜晶体管之第1氧化物层32之表面32a系相接于信道52。
-
公开(公告)号：TW201920520A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107122448
申请日：2018-06-29
Inventor： 高谷愛 , TAKAYA, AI , 中川猛 , NAKAGAWA, TAKESHI , 田崎和樹 , TAZAKI, KAZUKI
IPC: C09D17/00 , C01G19/00 , B01F17/14 , B01F17/42 , B01F17/52 , B01F17/18 , B01F17/10 , C09D201/00 , C09D7/40 , C09D5/32
Abstract: 本發明係揭示含有具有熱線遮蔽性能之ITO粒子與含有60質量%以上之水分的溶劑與分散劑的熱線遮蔽粒子分散液。ITO粒子為BET比表面積係20m2/g以上，具有Lab表色系中L值50以下、a＜0、b＜0之帶有藍色或深藍色的色調，相對分散液100質量%係含有1~90質量%，溶劑為來自前述熱線遮蔽粒子分散液由分散液去除加熱殘分之成分，相對於分散液100質量%係含有6.1~99.0質量%，分散劑為由磷酸酯系分散劑、聚丙三醇系分散劑、聚乙烯基吡咯烷酮系分散劑、聚氧化乙烯-聚氧化丙烯縮合物系分散劑及聚丙烯酸酯系分散劑中至少1種，以ITO粒子為100質量份時分散劑之有效成分下係含有0.05~80質量份。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭示含有具有热线屏蔽性能之ITO粒子与含有60质量%以上之水分的溶剂与分散剂的热线屏蔽粒子分散液。ITO粒子为BET比表面积系20m2/g以上，具有Lab表色系中L值50以下、a＜0、b＜0之带有蓝色或深蓝色的色调，相对分散液100质量%系含有1~90质量%，溶剂为来自前述热线屏蔽粒子分散液由分散液去除加热残分之成分，相对于分散液100质量%系含有6.1~99.0质量%，分散剂为由磷酸酯系分散剂、聚丙三醇系分散剂、聚乙烯基吡咯烷酮系分散剂、聚氧化乙烯-聚氧化丙烯缩合物系分散剂及聚丙烯酸酯系分散剂中至少1种，以ITO粒子为100质量份时分散剂之有效成分下系含有0.05~80质量份。
-
公开(公告)号：TWI527939B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW101109683
申请日：2012-03-21
Applicant: 三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION , 三菱綜合材料電子化成股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS ELECTRONIC CHEMICALS CO., LTD.
Inventor： 二田伸康 , NITA, NOBUYASU , 中田嘉信 , NAKADA, YOSHINOBU , 池田洋 , IKEDA, HIROSHI
IPC: C30B15/10 , C30B29/06 , H01L21/30 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
-
公开(公告)号：TW201523993A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103131580
申请日：2014-09-12
Applicant: 三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION , 三菱綜合材料電子化成股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS ELECTRONIC CHEMICALS CO., LTD.
Inventor： 米澤岳洋 , YONEZAWA, TAKEHIRO , 山崎和彦 , YAMASAKI, KAZUHIKO , 白石真也 , SHIRAISHI, SHINYA , 梅田洋利 , UMEDA, HIROTOSHI
CPC classification number: C01G23/047 , C01G19/02 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , H01M4/8803 , H01M4/925 , H01M8/086 , H01M8/1011 , H01M2008/1095 , Y02E60/523
Abstract: 本發明之導電性複合粒子係將氧化鈦粒子的表面，以多孔質之氧化錫微粒子層被覆而成的導電性複合粒子，在高解析度穿透式電子顯微鏡像中，相對於與前述氧化鈦粒子的表面平行的氧化鈦之晶格像的長度，與前述氧化鈦之晶格像平行的氧化錫之晶格像的長度為80%以上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之导电性复合粒子系将氧化钛粒子的表面，以多孔质之氧化锡微粒子层被覆而成的导电性复合粒子，在高分辨率穿透式电子显微镜像中，相对于与前述氧化钛粒子的表面平行的氧化钛之晶格像的长度，与前述氧化钛之晶格像平行的氧化锡之晶格像的长度为80%以上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.019 seconds)
