公开(公告)号：TWI593160B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW105101878

申请日：2016-01-21

申请人： 烏明克公司 ,  UMICORE ,  優美科韓國有限責任公司 ,  UMICORE KOREA LTD.

发明人： 夏興 ,  XIA, XIN ,  保羅森 詹斯 ,  PAULSEN, JENS ,  熊倉慎一 ,  KUMAKURA, SHINICHI ,  韓宋基 ,  HAN, SONG-YI

IPC分类号： H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M10/0525

CPC分类号： H01M4/366 ,  C01G53/50 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/80 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/131 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/028

公开(公告)号：TW201640725A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：TW105101878

申请日：2016-01-21

申请人： 烏明克公司 ,  UMICORE ,  優美科韓國有限責任公司 ,  UMICORE KOREA LTD.

发明人： 夏興 ,  XIA, XIN ,  保羅森 詹斯 ,  PAULSEN, JENS ,  熊倉慎一 ,  KUMAKURA, SHINICHI ,  韓宋基 ,  HAN, SONG-YI

IPC分类号： H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M10/0525

CPC分类号： H01M4/366 ,  C01G53/50 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/80 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/131 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/028

摘要： 本發明揭示一種在可充電電池組(battery)中用於陰極材料之鋰金屬氧化物粉末，該鋰金屬氧化物粉末由一核心及一表面層組成，該核心具有包含元素Li、M及氧的層狀晶體結構，其中M具有式M=(Niz(Ni½ Mn½)yCox)1-k Ak，其中0.15x0.30，0.20z0.55，x+y+z=1且0k0.1，其中A是摻雜劑(dopant)，其中Li的含量係經化學計量控制而具有0.95Li：M1.10之莫耳比例；且其中該表面層包含元素Li、M’及氧，其中M’具有式M’=(Niz’(Ni½ Mn½)y’Cox’)1-k’Ak'，其中x’+y’+z’=1且0k’0.1，且其中y’/(y’+2z’)1.1*[y/(y+2z)]。該表面層亦可包含至少3mol%的Al，在表面層的Al含量是藉由XPS測定。

简体摘要： 本发明揭示一种在可充电电池组(battery)中用于阴极材料之锂金属氧化物粉末，该锂金属氧化物粉末由一内核及一表面层组成，该内核具有包含元素Li、M及氧的层状晶体结构，其中M具有式M=(Niz(Ni½ Mn½)yCox)1-k Ak，其中0.15x0.30，0.20z0.55，x+y+z=1且0k0.1，其中A是掺杂剂(dopant)，其中Li的含量系经化学计量控制而具有0.95Li：M1.10之莫耳比例；且其中该表面层包含元素Li、M’及氧，其中M’具有式M’=(Niz’(Ni½ Mn½)y’Cox’)1-k’Ak'，其中x’+y’+z’=1且0k’0.1，且其中y’/(y’+2z’)1.1*[y/(y+2z)]。该表面层亦可包含至少3mol%的Al，在表面层的Al含量是借由XPS测定。

公开(公告)号：TWI551667B

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW100125860

申请日：2011-07-21

申请人： 馬克專利公司 ,  MERCK PATENT GMBH

发明人： 溫克勒 豪格 ,  WINKLER, HOLGER ,  班克 安德烈斯 ,  BENKER, ANDREAS ,  派翠 拉夫 ,  PETRY, RALF ,  瓦斯格尼 提姆 ,  VOSGROENE, TIM

IPC分类号： C09K11/65 ,  H01L33/50 ,  G02F1/13357

CPC分类号： C09K11/7731 ,  C01B21/0828 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/84 ,  C01P2006/60 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/655 ,  C09K11/7734 ,  F21V9/30 ,  G09F13/20 ,  H01L33/504 ,  H05B33/14

公开(公告)号：TWI543430B

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：TW100103366

申请日：2011-01-28

申请人： 普瑞楊股份有限公司 ,  PRAYON ,  原子能公署 ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

发明人： 帕托克斯 塞巴斯坦 ,  PATOUX, SEBASTIEN ,  馬提內特 塞巴斯坦 ,  MARTINET, SEBASTIEN ,  勞諾斯 塞巴斯坦 ,  LAUNOIS, SEBASTIEN ,  古格 亞蘭 ,  GOURGUE, ALAIN ,  葛穆 亞蘭 ,  GERMEAU, ALAIN ,  威廉斯 伊莎貝爾 ,  WILLEMS, ISABELLE

IPC分类号： H01M4/525 ,  H01M4/583 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133

CPC分类号： H01M4/362 ,  C01G49/009 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/11 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/364 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/587 ,  H01M4/625 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/028 ,  Y02E60/122

公开(公告)号：TW201600465A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104109383

申请日：2015-03-24

申请人： 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： 土井利浩 ,  DOI, TOSHIHIRO ,  桜井英章 ,  SAKURAI, HIDEAKI ,  曽山信幸 ,  SOYAMA, NOBUYUKI

IPC分类号： C01G25/02 ,  C01F17/00 ,  H01L41/18

CPC分类号： H01L41/1876 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/54 ,  C04B35/491 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63444 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/48 ,  C09D5/24 ,  H01L41/318

摘要： 此摻雜Ce之PZT系壓電體膜形成用組成物具有含有構成複合金屬氧化物之各金屬原子的PZT系前驅物、二醇及聚乙烯基吡咯烷酮等。組成物中之金屬原子比(Pb：Ce：Zr：Ti)滿足(1.00~1.28)：(0.005~0.05)：(0.40~0.55)：(0.60~0.45)，且以前述Zr與前述Ti之金屬原子比之合計比例成為1的比例，含有PZT系前驅物。組成物100質量%中所佔之PZT系前驅物的濃度以氧化物濃度表示為17~35質量%，組成物100質量%中之二醇之比例為16~56質量%，聚乙烯基吡咯烷酮等之比例為相對於PZT系前驅物1莫耳，以單體換算為0.01~0.25莫耳。

简体摘要： 此掺杂Ce之PZT系压电体膜形成用组成物具有含有构成复合金属氧化物之各金属原子的PZT系前驱物、二醇及聚乙烯基吡咯烷酮等。组成物中之金属原子比(Pb：Ce：Zr：Ti)满足(1.00~1.28)：(0.005~0.05)：(0.40~0.55)：(0.60~0.45)，且以前述Zr与前述Ti之金属原子比之合计比例成为1的比例，含有PZT系前驱物。组成物100质量%中所占之PZT系前驱物的浓度以氧化物浓度表示为17~35质量%，组成物100质量%中之二醇之比例为16~56质量%，聚乙烯基吡咯烷酮等之比例为相对于PZT系前驱物1莫耳，以单体换算为0.01~0.25莫耳。

公开(公告)号：TW201545981A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW104103051

申请日：2015-01-29

申请人： 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

发明人： 金吉正実 ,  KANEYOSHI, MASAMI ,  石井政利 ,  ISHII, MASATOSHI

IPC分类号： C01B33/10 ,  C01G23/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/61 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  H01L33/50

CPC分类号： C09K11/617 ,  C01G17/006 ,  C01G19/006 ,  C01G23/002 ,  C01G25/006 ,  C01G27/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/61 ,  C09K11/675

摘要： 本發明係關於一種螢光體之製造方法，其係具有以下述式(I)A2MF6：Mn (I)(A為由Li、Na、K、Rb及Cs中選出，且至少含有Na及/或K之1種或2種以上之鹼金屬，M為由Si、Ti、Zr、Hf、Ge及Sn中選出之1種或2種以上之4價元素)所示之化學組成的螢光體之製造方法，其係準備含有M之第1氫氟酸溶液、與含有A之第2氫氟酸溶液，並且將含有Mn之化合物溶解於上述第1氫氟酸溶液與第2氫氟酸溶液之任一方或另外配製溶解含有Mn之化合物的溶液，於混合上述溶液使上述式(I)之螢光體沈澱時，係以於上述溶液全部混合後之狀態下的M濃度成為0.1莫耳/公升以上、0.5莫耳/公升以下的方式混合；依照本發明，可穩定地且產率良好地製造發光特性優良的複合氟化物螢光體。

简体摘要： 本发明系关于一种萤光体之制造方法，其系具有以下述式(I)A2MF6：Mn (I)(A为由Li、Na、K、Rb及Cs中选出，且至少含有Na及/或K之1种或2种以上之碱金属，M为由Si、Ti、Zr、Hf、Ge及Sn中选出之1种或2种以上之4价元素)所示之化学组成的萤光体之制造方法，其系准备含有M之第1氢氟酸溶液、与含有A之第2氢氟酸溶液，并且将含有Mn之化合物溶解于上述第1氢氟酸溶液与第2氢氟酸溶液之任一方或另外配制溶解含有Mn之化合物的溶液，于混合上述溶液使上述式(I)之萤光体沈淀时，系以于上述溶液全部混合后之状态下的M浓度成为0.1莫耳/公升以上、0.5莫耳/公升以下的方式混合；依照本发明，可稳定地且产率良好地制造发光特性优良的复合氟化物萤光体。

公开(公告)号：TWI511321B

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW096121934

申请日：2007-06-15

申请人： 皇家飛利浦電子股份有限公司 ,  KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

发明人： 彼得 史米特 ,  SCHMIDT, PETER ,  漢斯 黑爾莫特 貝屈特爾 ,  BECHTEL, HANS-HELMUT

IPC分类号： H01L33/00 ,  C09K11/00 ,  H05B33/14

CPC分类号： C09K11/7734 ,  C01B17/42 ,  C01B21/0826 ,  C01F17/0025 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/54 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/764 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/502

公开(公告)号：TW201544457A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW104105166

申请日：2015-02-13

申请人： 隆迪亞營運公司 ,  RHODIA OPERATIONS

发明人： 波伊凡 賽德利克 ,  BOIVIN, CEDRIC ,  蓋 勞倫 ,  GUY, LAURENT ,  培林 艾瑞克 ,  PERIN, ERIC ,  拉米里 奇拉尼 ,  LAMIRI, KILANI

IPC分类号： C01B33/193 ,  C08K3/36

CPC分类号： C08K3/36 ,  C01B33/187 ,  C01B33/193 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/87 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/22 ,  C01P2006/82 ,  C04B14/066 ,  C04B26/02 ,  C04B2111/60 ,  C08K2201/006 ,  C09C1/30 ,  C09C1/3045 ,  C09C1/3063 ,  C09C1/309

摘要： 本發明涉及一種用於製備新穎的沈澱二氧化矽之方法，其中：使一矽酸鹽與一酸化劑反應，以便獲得一種二氧化矽懸浮液；過濾所述二氧化矽懸浮液，以便獲得一濾餅；使所述濾餅經受一液化操作，可隨意地在一鋁化合物的存在下；其中在該液化操作期間或之後將至少一種多元羧酸添加到該濾餅中。本發明還涉及一種新穎的沈澱二氧化矽及其用途。

简体摘要： 本发明涉及一种用于制备新颖的沈淀二氧化硅之方法，其中：使一硅酸盐与一酸化剂反应，以便获得一种二氧化硅悬浮液；过滤所述二氧化硅悬浮液，以便获得一滤饼；使所述滤饼经受一液化操作，可随意地在一铝化合物的存在下；其中在该液化操作期间或之后将至少一种多元羧酸添加到该滤饼中。本发明还涉及一种新颖的沈淀二氧化硅及其用途。

公开(公告)号：TW201542465A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：TW103116857

申请日：2014-05-13

申请人： 國立中央大學 ,  NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY

发明人： 蔣孝澈 ,  CHIANG, ANTHONY SHIAW TSEH ,  王藪勳 ,  WANG, SHOHSUN ,  白謹通 ,  BAI, CHINTUNG ,  陳建偉 ,  CHEN, CHIENWEI

IPC分类号： C01G25/02 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C01G25/02 ,  B01J13/0047 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/86 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/12 ,  C07F7/006 ,  Y10T428/2982

摘要： 本發明提供一種奈米氧化鋯顆粒材料，包含一奈米氧化鋯顆粒以及一碳酸，其中碳酸螯合於奈米氧化鋯顆粒之一表面上，且碳酸之重量為奈米氧化鋯顆粒重量之1至10重量份。

简体摘要： 本发明提供一种奈米氧化锆颗粒材料，包含一奈米氧化锆颗粒以及一碳酸，其中碳酸螯合于奈米氧化锆颗粒之一表面上，且碳酸之重量为奈米氧化锆颗粒重量之1至10重量份。

公开(公告)号：TW201529480A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103133993

申请日：2014-09-30

申请人： 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： 米澤岳洋 ,  YONEZAWA, TAKEHIRO ,  山崎和彦 ,  YAMASAKI, KAZUHIKO ,  竹之下愛 ,  TAKENOSHITA, AI

IPC分类号： C01G19/02 ,  H01B1/08 ,  H01B1/20 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/42

CPC分类号： C01G19/00 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/54 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  H01L31/1884

摘要： 本發明之ITO粒子係由多結晶ITO粒子所構成，該多結晶ITO粒子係經由具有4個之碳數2以下之烷氧基的矽酸酯或該矽酸酯之寡聚物體所構成之表面處理劑、或經由具有2個以上之碳數2以下之烷氧基，且具有1個以上之具有胺基或巰基作為末端基之烷基、碳數6以上之長鏈烷基、或一部分被氟取代之烷基的任一種烷基之矽烷偶合劑所構成之表面處理劑，予以表面處理。

简体摘要： 本发明之ITO粒子系由多结晶ITO粒子所构成，该多结晶ITO粒子系经由具有4个之碳数2以下之烷氧基的硅酸酯或该硅酸酯之寡聚物体所构成之表面处理剂、或经由具有2个以上之碳数2以下之烷氧基，且具有1个以上之具有胺基或巯基作为末端基之烷基、碳数6以上之长链烷基、或一部分被氟取代之烷基的任一种烷基之硅烷偶合剂所构成之表面处理剂，予以表面处理。