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    自然氧化膜去除方法及自然氧化膜去除裝置
    6.
    发明专利
    自然氧化膜去除方法及自然氧化膜去除裝置 审中-公开
    自然氧化膜去除方法及自然氧化膜去除设备

    公开(公告)号：TW201717269A

    公开(公告)日：2017-05-16

    申请号：TW105121993

    申请日：2016-07-13

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED ,  中央玻璃股份有限公司 ,  CENTRAL GLASS CO., LTD.

    发明人： 林軍 ,  LIN, JUN ,  竹谷考司 ,  TAKEYA, KOJI ,  河口慎一 ,  KAWAGUCHI, SHINICHI ,  立花光博 ,  TACHIBANA, MITSUHIRO ,  八尾章史 ,  YAO, AKIFUMI ,  山內邦裕 ,  YAMAUCHI, KUNIHIRO

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

    摘要： 本發明之課題係提供一種技術，針對含有銦與銦以外元素之化合物做為主成分的半導體層，無須相對提高該半導體層之溫度而可去除於表面所形成之自然氧化膜。解決手段為具備：第1製程，為了去除構成該自然氧化膜之銦氧化物而將屬於β-二酮之第1蝕刻氣體供給於該半導體層並加熱該半導體層；以及，第2製程，為了去除構成該自然氧化膜之銦以外元素的氧化物而將第2蝕刻氣體供給於該半導體層並加熱該半導體層。藉由使用上述第1蝕刻氣體，由於即使半導體層之溫度相對較低仍可去除銦氧化物，故於去除自然氧化膜之際無須相對提高半導體層之溫度。

    简体摘要： 本发明之课题系提供一种技术，针对含有铟与铟以外元素之化合物做为主成分的半导体层，无须相对提高该半导体层之温度而可去除于表面所形成之自然氧化膜。解决手段为具备：第1制程，为了去除构成该自然氧化膜之铟氧化物而将属于β-二酮之第1蚀刻气体供给于该半导体层并加热该半导体层；以及，第2制程，为了去除构成该自然氧化膜之铟以外元素的氧化物而将第2蚀刻气体供给于该半导体层并加热该半导体层。借由使用上述第1蚀刻气体，由于即使半导体层之温度相对较低仍可去除铟氧化物，故于去除自然氧化膜之际无须相对提高半导体层之温度。