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    非揮發性記憶體中的位元線電壓調整器
    9.
    发明专利
    非揮發性記憶體中的位元線電壓調整器 审中-公开
    非挥发性内存中的比特线电压调整器

    公开(公告)号：TW201411628A

    公开(公告)日：2014-03-16

    申请号：TW102127388

    申请日：2013-07-31

    申请人： 史班遜有限公司 ,  SPANSION LLC

    发明人： 賓博賈 埃夫里姆 ,  BINBOGA, EVRIM

    IPC分类号： G11C16/06

    CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C16/3427

    摘要： 本發明提供可最小化非揮發性記憶體陣列中未標定記憶體單元之寫入干擾條件的系統及方法。提供位元線驅動器電路以控制施加至目標記憶體單元之位元線及未標定記憶體單元之鄰近位元線的斜坡電壓。各種具體實施例藉由施加受控電壓訊號至毗鄰單元的先前浮動位元線，以在目標記憶體單元的寫入操作期間減少在未標定毗鄰記憶體單元之源極及汲極節點之間的電位差，有利地維持儲存於未標定記憶體單元之資料的完整性。在另一具體實施例中，在汲極偏壓斜升期間，對目標單元的“源極”位元線施加增高源極偏壓，然後在寫入操作期間減少到接地或近接地電位。

    简体摘要： 本发明提供可最小化非挥发性内存数组中未标定内存单元之写入干扰条件的系统及方法。提供比特线驱动器电路以控制施加至目标内存单元之比特线及未标定内存单元之邻近比特线的斜坡电压。各种具体实施例借由施加受控电压信号至毗邻单元的先前浮动比特线，以在目标内存单元的写入操作期间减少在未标定毗邻内存单元之源极及汲极节点之间的电位差，有利地维持存储于未标定内存单元之数据的完整性。在另一具体实施例中，在汲极偏压斜升期间，对目标单元的“源极”比特线施加增高源极偏压，然后在写入操作期间减少到接地或近接地电位。

    電能有效型聲音致動
    10.
    发明专利
    電能有效型聲音致動 审中-公开
    电能有效型声音致动

    公开(公告)号：TW201403588A

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：TW102115391

    申请日：2013-04-30

    申请人： 史班遜有限公司 ,  SPANSION LLC

    发明人： 羅尼爾 史帝芬 ,  ROSNER, STEPHAN ,  劉 陳 ,  LIU, CHEN ,  歐尚 詹斯 ,  OLSON, JENS

    IPC分类号： G10L17/22 ,  G10L25/51 ,  G06F1/32

    CPC分类号： G10L15/22 ,  G10L15/08 ,  G10L15/222 ,  G10L15/265 ,  G10L25/78 ,  G10L2015/088 ,  H04R29/004

    摘要： 本發明提供一種聲音致動系統。該聲音致動系統包括：第一級，其係經組態成如果接收音頻訊號的至少一能量特性滿足至少一臨界值，則輸出第一致動訊號；以及第二級，其係經組態成由第一狀態轉變為第二狀態以回應該第一致動訊號，以及在處於該第二狀態時，若是該音頻訊號之波形的至少一部份實質匹配至少一預定波形，則輸出第二致動訊號。

    简体摘要： 本发明提供一种声音致动系统。该声音致动系统包括：第一级，其系经组态成如果接收音频信号的至少一能量特性满足至少一临界值，则输出第一致动信号；以及第二级，其系经组态成由第一状态转变为第二状态以回应该第一致动信号，以及在处于该第二状态时，若是该音频信号之波形的至少一部份实质匹配至少一预定波形，则输出第二致动信号。