公开(公告)号：TWI609479B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW106107045

申请日：2011-01-20

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 加藤清 ,  KATO, KIYOSHI ,  長塚修平 ,  NAGATSUKA, SHUHEI ,  井上廣樹 ,  INOUE, HIROKI ,  松崎隆德 ,  MATSUZAKI, TAKANORI

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  G11C16/06

CPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225

公开(公告)号：TWI609455B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW102110937

申请日：2013-03-27

申请人： 諾發系統有限公司 ,  NOVELLUS SYSTEMS, INC.

发明人： 千德拉須卡 阿南德 ,  CHANDRASHEKAR, ANAND ,  鄭 艾斯特 ,  JENG, ESTHER ,  胡瑪雲 拉許納 ,  HUMAYUN, RAASHINA ,  丹納克 麥可 ,  DANEK, MICHAL ,  高舉文 ,  GAO, JUWEN ,  王德琪 ,  WANG, DEQI

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76877 ,  C23C16/045 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10891

公开(公告)号：TWI608486B

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：TW105113606

申请日：2011-08-23

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 松崎隆德 ,  MATSUZAKI, TAKANORI ,  長塚修平 ,  NAGATSUKA, SHUHEI ,  井上廣樹 ,  INOUE, HIROKI

IPC分类号： G11C16/06 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C8/08 ,  G11C11/403 ,  G11C11/405 ,  G11C11/4085 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C2211/4016

公开(公告)号：TWI607557B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW105142262

申请日：2011-06-28

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 加藤清 ,  KATO, KIYOSHI

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L29/78 ,  G11C16/08

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203

公开(公告)号：TWI602283B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW102110947

申请日：2013-03-27

申请人： 諾發系統有限公司 ,  NOVELLUS SYSTEMS, INC.

发明人： 千德拉須卡 阿南德 ,  CHANDRASHEKAR, ANAND ,  鄭 艾斯特 ,  JENG, ESTHER ,  胡瑪雲 拉許納 ,  HUMAYUN, RAASHINA ,  丹納克 麥可 ,  DANEK, MICHAL ,  高舉文 ,  GAO, JUWEN ,  王德琪 ,  WANG, DEQI

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76879 ,  C23C16/045 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76898 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10891

公开(公告)号：TW201735322A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW106107045

申请日：2011-01-20

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 加藤清 ,  KATO, KIYOSHI ,  長塚修平 ,  NAGATSUKA, SHUHEI ,  井上廣樹 ,  INOUE, HIROKI ,  松崎隆德 ,  MATSUZAKI, TAKANORI

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  G11C16/06

CPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225

摘要： 一種具有新穎結構的半導體裝置，其中，即使當沒有電力被供應時仍然可以固持儲存的資料且對寫入的次數沒有任何限定。在半導體裝置中，均包含第一電晶體、第二電晶體、及電容器的多個記憶胞係以矩陣形式來予以配置，以及，用以連接一個記憶胞至另一個記憶胞的佈線(也稱為位元線)及第一電晶體的源極或汲極電極經由第二電晶體的源極或汲極電極而彼此電連接。因此，佈線的數目小於第一電晶體的源極或汲極電極與第二電晶體的源極或汲極電極連接至不同佈線的情形中之佈線數目。因此，能夠增加半導體裝置的集成度。

简体摘要： 一种具有新颖结构的半导体设备，其中，即使当没有电力被供应时仍然可以固持存储的数据且对写入的次数没有任何限定。在半导体设备中，均包含第一晶体管、第二晶体管、及电容器的多个记忆胞系以矩阵形式来予以配置，以及，用以连接一个记忆胞至另一个记忆胞的布线(也称为比特线)及第一晶体管的源极或汲极电极经由第二晶体管的源极或汲极电极而彼此电连接。因此，布线的数目小于第一晶体管的源极或汲极电极与第二晶体管的源极或汲极电极连接至不同布线的情形中之布线数目。因此，能够增加半导体设备的集成度。

公开(公告)号：TWI573250B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW100101801

申请日：2011-01-18

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  加藤清 ,  KATO, KIYOSHI

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1207 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/80001

公开(公告)号：TW201709504A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105137901

申请日：2012-04-17

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  中島基 ,  NAKASHIMA, MOTOKI

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/788

摘要： 本發明的一個方式的目的是藉由對電晶體賦予穩定的電特性來提供一種可靠性高的半導體裝置。此外，本發明的一個方式的目的是提供一種能夠實現這種半導體裝置的氧化物材料。使用一種氧化物膜，該氧化物膜包括在ab面(或頂面或被形成面)上a軸的朝向或b軸的朝向彼此不同的兩種以上的結晶部分，每個該結晶部分為c軸配向，當從垂直於ab面、頂面或被形成面的方向看時至少具有三角形或六角形的原子排列，包括沿c軸排列為層狀的金屬原子或者排列為層狀的金屬原子和氧原子，並且表示為In2SnZn2O7(ZnO)m(m是0或自然數)。

简体摘要： 本发明的一个方式的目的是借由对晶体管赋予稳定的电特性来提供一种可靠性高的半导体设备。此外，本发明的一个方式的目的是提供一种能够实现这种半导体设备的氧化物材料。使用一种氧化物膜，该氧化物膜包括在ab面(或顶面或被形成面)上a轴的朝向或b轴的朝向彼此不同的两种以上的结晶部分，每个该结晶部分为c轴配向，当从垂直于ab面、顶面或被形成面的方向看时至少具有三角形或六角形的原子排列，包括沿c轴排列为层状的金属原子或者排列为层状的金属原子和氧原子，并且表示为In2SnZn2O7(ZnO)m(m是0或自然数)。

公开(公告)号：TW201709485A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105107025

申请日：2016-03-08

申请人： 超捷公司 ,  SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.

发明人： 蘇 堅昇 ,  SU, CHIEN-SHENG ,  楊正威 ,  YANG, JENG WEI ,  吳滿堂 ,  WU, MAN TANG ,  陳俊明 ,  CHEN, CHUN MING ,  陳曉萬 ,  TRAN, HIEU VAN ,  杜 恩漢 ,  DO, NHAN

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11551 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/7881

摘要： 一種非揮發性記憶體單元包括一半導體基材，該半導體基材具有含一頂部表面及兩個側表面之一鰭形狀上表面。源極區域及汲極區域形成在該鰭形狀上表面部分中，且有源極區域與汲極區域之間之一通道區域。一傳導浮閘包括：一第一部分，其沿該頂部表面之一第一部分延伸；及第二及第三部分，其等分別沿該兩個側表面之第一部分延伸。一傳導控制閘包括：一第一部分，其沿該頂部表面之一第二部分延伸；第二及第三部分，其等分別沿該兩個側表面之第二部分延伸；一第四部分，其向上延伸且延伸於該浮閘第一部分之至少一些上方；及第五及第六部分，其等向外延伸且分別延伸於該浮閘第二部分及該浮閘第三部分之至少一些上方。

简体摘要： 一种非挥发性内存单元包括一半导体基材，该半导体基材具有含一顶部表面及两个侧表面之一鳍形状上表面。源极区域及汲极区域形成在该鳍形状上表面部分中，且有源极区域与汲极区域之间之一信道区域。一传导浮闸包括：一第一部分，其沿该顶部表面之一第一部分延伸；及第二及第三部分，其等分别沿该两个侧表面之第一部分延伸。一传导控制闸包括：一第一部分，其沿该顶部表面之一第二部分延伸；第二及第三部分，其等分别沿该两个侧表面之第二部分延伸；一第四部分，其向上延伸且延伸于该浮闸第一部分之至少一些上方；及第五及第六部分，其等向外延伸且分别延伸于该浮闸第二部分及该浮闸第三部分之至少一些上方。

公开(公告)号：TWI570807B

公开(公告)日：2017-02-11

申请号：TW103145873

申请日：2014-12-26

申请人： 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

发明人： 楊金成 ,  YANG, CHIN-CHENG

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L23/528 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/532 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L27/1052 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00