公开(公告)号：TW202030732A

公开(公告)日：2020-08-16

申请号：TW108104785

申请日：2019-02-13

Applicant: 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

Inventor： 蔣光浩 ,  CHIANG, KUANG-HAO ,  林榆瑄 ,  LIN, YU-HSUAN

IPC: G11C13/00

Abstract: 一種電阻式記憶體累進電阻特性的控制方法，包括：對一電阻式記憶體元件施加一第一寫入脈衝集合，以獲取一參考累進電阻分佈；根據參考累進電阻分佈對電阻式記憶體元件施加第二寫入脈衝集合，使電阻式記憶體元件具有一預設累進電阻分佈。

Abstract in simplified Chinese: 一种电阻式内存累进电阻特性的控制方法，包括：对一电阻式内存组件施加一第一写入脉冲集合，以获取一参考累进电阻分布；根据参考累进电阻分布对电阻式内存组件施加第二写入脉冲集合，使电阻式内存组件具有一默认累进电阻分布。

公开(公告)号：TWI699914B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW105129127

申请日：2016-09-08

Applicant: 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： 易亮 ,  YI, LIANG ,  許加慶 ,  HSU, CHIA-CHING ,  王獻德 ,  WANG, SHEN-DE ,  陳克基 ,  CHEN, KO-CHI ,  杜 國安 ,  DU, GUOAN

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/28 ,  G11C13/00

公开(公告)号：TWI699766B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW108102154

申请日：2019-01-19

Applicant: 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

Inventor： 冨田泰弘 ,  TOMITA, YASUHIRO

IPC: G11C13/00

公开(公告)号：TWI696997B

公开(公告)日：2020-06-21

申请号：TW104131763

申请日：2015-09-25

Applicant: 美商愛德斯托科技公司 ,  ADESTO TECHNOLOGIES CORPORATION

Inventor： 詹姆森三世 約翰 羅斯 ,  JAMESON, III, JOHN ROSS ,  希爾茲 杰弗里 艾倫 ,  SHIELDS, JEFFREY ALLAN ,  蔡 貴昌 ,  TSAI, KUEI CHANG

IPC: G11C13/00 ,  H01L45/00

公开(公告)号：TW202022871A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：TW108129740

申请日：2019-08-21

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 卡斯楚 何南 A ,  CASTRO, HERNAN A. ,  托托里 伊諾珊卓 ,  TORTORELLI, INNOCENZO ,  波羅瓦諾 奧格斯提諾 ,  PIROVANO, AGOSTINO ,  佩里茲 法比歐 ,  PELLIZZER, FABIO

IPC: G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00

Abstract: 本發明提供用於程式化儲存一第一邏輯狀態之一自選擇記憶體單元之技術。為程式化該記憶體單元，可將具有一第一極性之一脈衝施加至該單元，此可導致該記憶體單元具有一降低之臨限電壓。在其中可降低該記憶體單元之該臨限電壓之一持續時間期間(例如，在一選擇時間期間)，可將具有一第二極性(例如，一不同極性)之一第二脈衝施加至該記憶體單元。將該第二脈衝施加至該記憶體單元可導致該記憶體單元儲存不同於該第一邏輯狀態之一第二邏輯狀態。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于进程化存储一第一逻辑状态之一自选择内存单元之技术。为进程化该内存单元，可将具有一第一极性之一脉冲施加至该单元，此可导致该内存单元具有一降低之临限电压。在其中可降低该内存单元之该临限电压之一持续时间期间(例如，在一选择时间期间)，可将具有一第二极性(例如，一不同极性)之一第二脉冲施加至该内存单元。将该第二脉冲施加至该内存单元可导致该内存单元存储不同于该第一逻辑状态之一第二逻辑状态。

公开(公告)号：TW202018716A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW107140336

申请日：2018-11-14

Applicant: 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

Inventor： 陳 達 ,  CHEN, FREDERICK ,  王炳琨 ,  WANG, PING-KUN ,  傅志正 ,  FU, CHIH-CHENG ,  吳健民 ,  WU, CHIEN-MIN

IPC: G11C13/00

Abstract: 本發明提供一種記憶體裝置，包含：多個記憶體單元；至少一個幾何平均運算元，耦合到多個記憶體單元中的至少兩個；以及記憶體狀態讀取器，耦合到至少一個幾何平均運算元以讀取多個記憶體單元的記憶體狀態。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种内存设备，包含：多个内存单元；至少一个几何平均算子，耦合到多个内存单元中的至少两个；以及内存状态读取器，耦合到至少一个几何平均算子以读取多个内存单元的内存状态。

公开(公告)号：TWI690922B

公开(公告)日：2020-04-11

申请号：TW105111660

申请日：2016-04-14

Applicant: 日商索尼半導體解決方案公司 ,  SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION

Inventor： 寺田晴彦 ,  TERADA, HARUHIKO ,  森陽太郎 ,  MORI, YOTARO ,  北川真 ,  KITAGAWA, MAKOTO

IPC: G11C13/00

公开(公告)号：TW202011405A

公开(公告)日：2020-03-16

申请号：TW107145597

申请日：2018-12-18

Applicant: 日商東芝記憶體股份有限公司 ,  TOSHIBA MEMORY CORPORATION

Inventor： 犬塚雄貴 ,  INUZUKA, YUKI ,  中里高明 ,  NAKAZATO, TAKAAKI

IPC: G11C13/00

Abstract: 實施形態提供一種使記憶容量增加之半導體記憶裝置及其資料讀出方法。 實施形態之半導體記憶裝置具備記憶單元，該記憶單元具有：第1電阻變化元件，其能於第1狀態與電阻值比上述第1狀態高之第2狀態之間變化；及第2電阻變化元件，其與上述第1電阻變化元件串聯連接，能於第3狀態與電阻值比上述第3狀態高之第4狀態之間變化。上述記憶單元於第1閾值電流及第1閾值電壓下，發生第1急速折回，於大於上述第1閾值電流之第2閾值電流、及大於上述第1閾值電壓之第2閾值電壓下，發生第2急速折回。

Abstract in simplified Chinese: 实施形态提供一种使记忆容量增加之半导体记忆设备及其数据读出方法。 实施形态之半导体记忆设备具备记忆单元，该记忆单元具有：第1电阻变化组件，其能于第1状态与电阻值比上述第1状态高之第2状态之间变化；及第2电阻变化组件，其与上述第1电阻变化组件串联连接，能于第3状态与电阻值比上述第3状态高之第4状态之间变化。上述记忆单元于第1阈值电流及第1阈值电压下，发生第1急速折回，于大于上述第1阈值电流之第2阈值电流、及大于上述第1阈值电压之第2阈值电压下，发生第2急速折回。

公开(公告)号：TWI688061B

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：TW107141427

申请日：2018-11-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江法伸 ,  JIANG, FA-SHEN ,  林杏蓮 ,  LIN, HSING-LIEN

IPC: H01L23/34 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L21/82

公开(公告)号：TWI686801B

公开(公告)日：2020-03-01

申请号：TW105111522

申请日：2016-04-13

Applicant: 美商英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 道柏 梅西J ,  TAUB, MASE J. ,  古利安尼 山迪普K ,  GULIANI, SANDEEP K. ,  潘加爾 基蘭 ,  PANGAL, KIRAN ,  曾 雷蒙W ,  ZENG, RAYMOND W.

IPC: G11C13/00