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公开(公告)号：TWI682893B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW105107170
申请日：2016-03-09
Applicant: 日商住友精密工業股份有限公司 , SUMITOMO PRECISION PRODUCTS CO., LTD.
Inventor： 松野敬 , MATSUNO, TAKASHI
IPC: C01B13/11
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公开(公告)号：TW201831246A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107100549
申请日：2018-01-05
Applicant: 日商住友精密工業股份有限公司 , SUMITOMO PRECISION PRODUCTS CO., LTD.
Inventor： 山口征隆 , YAMAGUCHI, YUKITAKA
Abstract: 本發明旨在提供一種配線構造的製造方法。其包括準備夾著絕緣層(11)在表面上形成有配線層(13)的基板(10)的製程；蝕刻基板的背面而形成通孔(20)的製程，該通孔(20)沿厚度方向貫通絕緣層(11)且具有底部，配線層(13)位於底部的下方；在通孔的底部且配線層上依次形成第一金屬層(15)與第二金屬層(16)的製程；以及將Sn類熔融金屬17填充至通孔(20)內的製程。配線層由Al、Al合金或者Cu形成；第一金屬層由與Sn類熔融金屬形成合金之材料形成；第二金屬層由防止第一金屬層氧化之材料形成。
Abstract in simplified Chinese: 本发明旨在提供一种配线构造的制造方法。其包括准备夹着绝缘层(11)在表面上形成有配线层(13)的基板(10)的制程；蚀刻基板的背面而形成通孔(20)的制程，该通孔(20)沿厚度方向贯通绝缘层(11)且具有底部，配线层(13)位于底部的下方；在通孔的底部且配线层上依次形成第一金属层(15)与第二金属层(16)的制程；以及将Sn类熔融金属17填充至通孔(20)内的制程。配线层由Al、Al合金或者Cu形成；第一金属层由与Sn类熔融金属形成合金之材料形成；第二金属层由防止第一金属层氧化之材料形成。
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公开(公告)号：TW201742154A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106109718
申请日：2017-03-23
Applicant: 住友精密工業股份有限公司 , SUMITOMO PRECISION PRODUCTS CO., LTD.
Inventor： 松元俊二 , MATSUMOTO, SHUNJI
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/32 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本發明之填充方法係具備：填充步驟，其係將熱硬化性樹脂填充於在處理對象物的表面呈開口之細微空間；第1加熱步驟，其係使熱硬化性樹脂中的溶劑蒸發；第1去除步驟，其係於第1加熱步驟後，使熱硬化性樹脂中覆蓋細微空間之第1部分殘留並去除其他的第2部分；以及，第2加熱步驟，其係於第1去除步驟後，使熱硬化性樹脂硬化。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之填充方法系具备：填充步骤，其系将热硬化性树脂填充于在处理对象物的表面呈开口之细微空间；第1加热步骤，其系使热硬化性树脂中的溶剂蒸发；第1去除步骤，其系于第1加热步骤后，使热硬化性树脂中覆盖细微空间之第1部分残留并去除其他的第2部分；以及，第2加热步骤，其系于第1去除步骤后，使热硬化性树脂硬化。
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公开(公告)号：TW201725622A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105133237
申请日：2016-10-14
Applicant: 住友精密工業股份有限公司 , SUMITOMO PRECISION PRODUCTS CO., LTD.
Inventor： 松元俊二 , MATSUMOTO, SHUNJI , 滝川敏二 , TAKIGAWA, TOSHIJI
IPC: H01L21/31 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/31
Abstract: 一種填充方法係具備：加壓步驟，其係將從晶圓上側所供給的熱硬化性樹脂，利用氣體從在處理室內露出的表面加壓；冷卻步驟，其係將加壓熱硬化性樹脂之氣體冷卻；及加熱步驟，其係將與晶圓之中被供給熱硬化性樹脂之面為相反側的背面加熱。
Abstract in simplified Chinese: 一种填充方法系具备：加压步骤，其系将从晶圆上侧所供给的热硬化性树脂，利用气体从在处理室内露出的表面加压；冷却步骤，其系将加压热硬化性树脂之气体冷却；及加热步骤，其系将与晶圆之中被供给热硬化性树脂之面为相反侧的背面加热。
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公开(公告)号：TW200816308A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096127239
申请日：2007-07-26
Inventor： 山本孝 YAMAMOTO, TAKASHI , 田中雅彥 TANAKA, MASAHIKO , 野澤善幸 NOZAWA, YOSHIYUKI , 村上彰一 MURAKAMI, SHOICHI
IPC: H01L
CPC classification number: H01J37/32963 , H01J37/32935 , H01J2237/3343 , H01L21/3065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供不需設定用以檢測蝕刻終點之特別區域的電漿蝕刻方法及裝置。在對 SF6 氣體進行電漿化以對 Si 膜上之蝕刻部分(Ground Etching)進行蝕刻的步驟中,將該步驟由供應多量 SF6 氣體的多量供應步驟與供應少量 SF6 氣體的少量供應步驟構成。終點檢測處理部 34,係測定少量供應步驟中電漿中之 Si 或 SiFx 的發光强度,當所測定之發光强度成為預先設定之基準値以下時,即判定為蝕刻終點。
Abstract in simplified Chinese: 提供不需设置用以检测蚀刻终点之特别区域的等离子蚀刻方法及设备。在对 SF6 气体进行等离子化以对 Si 膜上之蚀刻部分(Ground Etching)进行蚀刻的步骤中,将该步骤由供应多量 SF6 气体的多量供应步骤与供应少量 SF6 气体的少量供应步骤构成。终点检测处理部 34,系测定少量供应步骤中等离子中之 Si 或 SiFx 的发光强度,当所测定之发光强度成为预先设置之基准値以下时,即判定为蚀刻终点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI292429B
公开(公告)日：2008-01-11
申请号：TW093139841
申请日：2004-12-21
Inventor： 田中洋 TANAKA, HIROSHI , 西田宏 NISHIDA, HIROSHI
IPC: C09J
CPC classification number: C08L93/04 , C08L2205/02 , C08L2666/26
Abstract: 本發明之被蝕刻材的暫時接著用蠟，其特徵為：在80℃之黏度為1.7Pa‧s以上，且在100℃之黏度為0.50Pa‧ s以下，而軟化點為57℃以上。此蠟係例如以質量%，含有40～50%之松香、20～30%之酸改質松香、20～30%之高級脂肪酸。本發明之蠟係適合於將保持基板暫時接合於供進行蝕刻的半導體晶圓。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之被蚀刻材的暂时接着用蜡，其特征为：在80℃之黏度为1.7Pa‧s以上，且在100℃之黏度为0.50Pa‧ s以下，而软化点为57℃以上。此蜡系例如以质量%，含有40～50%之松香、20～30%之酸改质松香、20～30%之高级脂肪酸。本发明之蜡系适合于将保持基板暂时接合于供进行蚀刻的半导体晶圆。
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公开(公告)号：TW200737336A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW096103115
申请日：2007-01-29
Inventor： 粟野憲康 NORIYASU, AWANO
IPC: H01L
Abstract: 本發明提供一種基板處理裝置,即使基板的搬入時間產生延遲,亦能使整體的蝕刻時間一定,可在基板間進行均勻的蝕刻。當第一檢測機構(29a)檢測出基板K已進入處理區域(20)內時,將處理液供應至基板K上,以進行一次處理,且測量從基板K進入算起至結束搬入為止的經過時間,以作為基板搬入時間。接著,從完全搬入基板K後開始進行二次處理,當所測得的基板搬入時間在基準搬入時間內時,以標準搬送速度搬送基板K,以進行二次處理,當基板搬入時間比基準搬入時間長時,計算用以消除超過的延遲時間所需的搬送速度,並以所算出的搬送速度搬送基板K,以進行二次處理。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种基板处理设备,即使基板的搬入时间产生延迟,亦能使整体的蚀刻时间一定,可在基板间进行均匀的蚀刻。当第一检测机构(29a)检测出基板K已进入处理区域(20)内时,将处理液供应至基板K上,以进行一次处理,且测量从基板K进入算起至结束搬入为止的经过时间,以作为基板搬入时间。接着,从完全搬入基板K后开始进行二次处理,当所测得的基板搬入时间在基准搬入时间内时,以标准搬送速度搬送基板K,以进行二次处理,当基板搬入时间比基准搬入时间长时,计算用以消除超过的延迟时间所需的搬送速度,并以所算出的搬送速度搬送基板K,以进行二次处理。
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公开(公告)号：TW200632994A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW095102975
申请日：2006-01-26
Inventor： 菅長大輔 SUGANAGA, DAISUKE , 水川茂 MIZUKAWA, SHIGERU
Abstract: 〔課題〕提供一種高效率之基板洗淨裝置，具有小型而高的液置換性能，而且兼具有強力的洗淨能力。〔解決手段〕沿著用水平姿勢搬運於水平方向之基板10之搬運方向，設置第1噴嘴列50及第2噴嘴列60。第1噴嘴列50係由排列在板寬方向的複數個平坦型噴霧嘴52所構成。複數個之平坦型噴霧嘴52，係於基板表面的各噴嘴之直線狀噴霧圖案，對該板寬方向向同方向配置為如用30～60度之角度傾斜。第2噴嘴列60係由排列在板寬方向的複數個平坦型噴霧嘴62構成，複數個之平坦型噴霧嘴62，係從各噴嘴之液膜用規定之重疊連續於板寬方向，遍及板寬方向之全域形成幕形狀之液膜。
Abstract in simplified Chinese: 〔课题〕提供一种高效率之基板洗净设备，具有小型而高的液置换性能，而且兼具有强力的洗净能力。〔解决手段〕沿着用水平姿势搬运于水平方向之基板10之搬运方向，设置第1喷嘴列50及第2喷嘴列60。第1喷嘴列50系由排列在板宽方向的复数个平坦型喷雾嘴52所构成。复数个之平坦型喷雾嘴52，系于基板表面的各喷嘴之直线状喷雾图案，对该板宽方向向同方向配置为如用30～60度之角度倾斜。第2喷嘴列60系由排列在板宽方向的复数个平坦型喷雾嘴62构成，复数个之平坦型喷雾嘴62，系从各喷嘴之液膜用规定之重叠连续于板宽方向，遍及板宽方向之全域形成幕形状之液膜。
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公开(公告)号：TW200533728A
公开(公告)日：2005-10-16
申请号：TW093139841
申请日：2004-12-21
Inventor： 田中洋 TANAKA, HIROSHI , 西田宏 NISHIDA, HIROSHI
IPC: C09J
CPC classification number: C08L93/04 , C08L2205/02 , C08L2666/26
Abstract: 本發明之被蝕刻材的暫時接著用蠟，其特徵為：在80℃之黏度為1.7Pa.s以上，且在100℃之黏度為0.50Pa.s以下，而軟化點為57℃以上。此蠟係例如以質量％，含有40～50％之松香、20～30％之酸改質松香、20～30％之高級脂肪酸。本發明之蠟係適合於將保持基板暫時接合於供進行蝕刻的半導體晶圓。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之被蚀刻材的暂时接着用蜡，其特征为：在80℃之黏度为1.7Pa.s以上，且在100℃之黏度为0.50Pa.s以下，而软化点为57℃以上。此蜡系例如以质量％，含有40～50％之松香、20～30％之酸改质松香、20～30％之高级脂肪酸。本发明之蜡系适合于将保持基板暂时接合于供进行蚀刻的半导体晶圆。
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公开(公告)号：TW200401308A
公开(公告)日：2004-01-16
申请号：TW092117722
申请日：2003-06-27
IPC: H01B
Abstract: 一種以結晶粒的平均剖面積在1μm^2以下為其特徵，以A1為主體之可動電路用導電體(最適合於配設在以電路動作中，電路本身的形狀會變化為前提之可動體的電路之導電體)。此導電體期望含有原子濃度N＋O：550～20000ppm，進而含有原子濃度Si：0.5～5.0％、Ta：0.5～50％及Cu：0.5～5.0％之一種以上的元素。特別期望為含有Nd：0.5～5.0％。此可動電路用導電體最適合於振動式旋轉儀的配線圖案。
Abstract in simplified Chinese: 一种以结晶粒的平均剖面积在1μm^2以下为其特征，以A1为主体之可动电路用导电体(最适合于配设在以电路动作中，电路本身的形状会变化为前提之可动体的电路之导电体)。此导电体期望含有原子浓度N＋O：550～20000ppm，进而含有原子浓度Si：0.5～5.0％、Ta：0.5～50％及Cu：0.5～5.0％之一种以上的元素。特别期望为含有Nd：0.5～5.0％。此可动电路用导电体最适合于振动式旋转仪的配线图案。
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