-
公开(公告)号：TWI653348B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW104128400
申请日：2015-08-28
发明人： 梅本啓太 , UMEMOTO, KEITA , 張守斌 , ZHANG, SHOUBIN , 井尾謙介 , IO, KENSUKE
-
公开(公告)号：TW201621056A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104128400
申请日：2015-08-28
发明人： 梅本啓太 , UMEMOTO, KEITA , 張守斌 , ZHANG, SHOUBIN , 井尾謙介 , IO, KENSUKE
CPC分类号： H01J37/3426 , C22C1/04 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22F1/00 , C23C14/3414
摘要： 本發明係提供一種Cu-Ga濺鍍靶，其係就除了氟以外之金屬成分而言，含有Ga：5原子%以上60原子%以下，K：0.01原子%以上5原子%以下，其餘部分具有由Cu及不可避免的雜質所構成之組成，在以波長分離型X線檢測器所得之原子測繪圖中，存在含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-K-F區域。
简体摘要： 本发明系提供一种Cu-Ga溅镀靶，其系就除了氟以外之金属成分而言，含有Ga：5原子%以上60原子%以下，K：0.01原子%以上5原子%以下，其余部分具有由Cu及不可避免的杂质所构成之组成，在以波长分离型X线检测器所得之原子测绘图中，存在含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-K-F区域。
-
公开(公告)号：TW201812061A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106124834
申请日：2017-07-25
发明人： 梅本太 , UMEMOTO, KEITA , 井尾謙介 , IO, KENSUKE , 張守斌 , ZHANG, SHOUBIN , 塩野一郎 , SHIONO, ICHIRO
IPC分类号： C23C14/34 , C22C1/04 , C22C9/00 , B22F3/14 , H01L31/032
摘要： 本發明之Cu-Ga濺鍍靶係具有以下組成：作為金屬成分係含有Ga為5原子%以上、60原子%以下之範圍，進一步含有由K、Rb、Cs所成之群中選出的至少1種之添加元素為0.01原子%以上、5原子%以下之範圍，剩餘部分由Cu及不可避免的雜質所構成，前述添加元素的全部或一部分係以包含由F、Cl、Br及I所成之群中選出的至少1種鹵素之鹵化物粒子的狀態存在，前述鹵化物粒子之最大粒徑係設為15μm以下，氧濃度係設為1000質量ppm以下。
简体摘要： 本发明之Cu-Ga溅镀靶系具有以下组成：作为金属成分系含有Ga为5原子%以上、60原子%以下之范围，进一步含有由K、Rb、Cs所成之群中选出的至少1种之添加元素为0.01原子%以上、5原子%以下之范围，剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成，前述添加元素的全部或一部分系以包含由F、Cl、Br及I所成之群中选出的至少1种卤素之卤化物粒子的状态存在，前述卤化物粒子之最大粒径系设为15μm以下，氧浓度系设为1000质量ppm以下。
-
公开(公告)号：TW201739943A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106104122
申请日：2017-02-08
发明人： 梅本啓太 , UMEMOTO, KEITA , 張守斌 , ZHANG, SHOUBIN , 塩野一郎 , SHIONO, ICHIRO , 井尾謙介 , IO, KENSUKE
CPC分类号： Y02E10/541
摘要： 本發明係揭示特徵為，具有金屬成分係含有Ga：5原子%以上60原子%以下及鹼金屬：0.01原子%以上5原子%以下，殘部係由Cu及不可避不純物所形成之組成，且濺鍍面側之表面上之鹼金屬濃度為，未達靶內部之鹹金屬濃度之80%。
简体摘要： 本发明系揭示特征为，具有金属成分系含有Ga：5原子%以上60原子%以下及碱金属：0.01原子%以上5原子%以下，残部系由Cu及不可避不纯物所形成之组成，且溅镀面侧之表面上之碱金属浓度为，未达靶内部之咸金属浓度之80%。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.013 秒)
