Cu-Ga濺鍍靶及Cu-Ga濺鍍靶之製造方法
    5.
    发明专利
    Cu-Ga濺鍍靶及Cu-Ga濺鍍靶之製造方法 审中-公开
    Cu-Ga溅镀靶及Cu-Ga溅镀靶之制造方法

    公开(公告)号:TW201812061A

    公开(公告)日:2018-04-01

    申请号:TW106124834

    申请日:2017-07-25

    摘要: 本發明之Cu-Ga濺鍍靶係具有以下組成:作為金屬成分係含有Ga為5原子%以上、60原子%以下之範圍,進一步含有由K、Rb、Cs所成之群中選出的至少1種之添加元素為0.01原子%以上、5原子%以下之範圍,剩餘部分由Cu及不可避免的雜質所構成,前述添加元素的全部或一部分係以包含由F、Cl、Br及I所成之群中選出的至少1種鹵素之鹵化物粒子的狀態存在,前述鹵化物粒子之最大粒徑係設為15μm以下,氧濃度係設為1000質量ppm以下。

    简体摘要: 本发明之Cu-Ga溅镀靶系具有以下组成:作为金属成分系含有Ga为5原子%以上、60原子%以下之范围,进一步含有由K、Rb、Cs所成之群中选出的至少1种之添加元素为0.01原子%以上、5原子%以下之范围,剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成,前述添加元素的全部或一部分系以包含由F、Cl、Br及I所成之群中选出的至少1种卤素之卤化物粒子的状态存在,前述卤化物粒子之最大粒径系设为15μm以下,氧浓度系设为1000质量ppm以下。