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公开(公告)号:TW201405722A
公开(公告)日:2014-02-01
申请号:TW102111535
申请日:2013-03-29
发明人: 長友義幸 , NAGATOMO, YOSHIYUKI , 石塚博 , ISHIZUKA, HIROYA , 長瀬敏之 , NAGASE, TOSHIYUKI , 黑光祥郎 , KUROMITSU, YOSHIROU , 江戶正和 , EDO, MASAKAZU , 三宅秀幸 , MIYAKE, HIDEYUKI
IPC分类号: H01L23/12 , H01L23/373 , H05K1/05 , H05K3/00
CPC分类号: H05K7/209 , B23K1/0016 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/286 , C04B37/026 , C04B2235/6584 , C04B2237/121 , C04B2237/128 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029
摘要: 本附散熱座功率模組用基板具備:功率模組用基板,在絕緣層一方之面配設有電路層;及散熱座,與該功率模組用基板另一方之面側接合;前述散熱座的接合面及前述功率模組用基板的接合面,係分別由鋁或鋁合金所構成,在前述散熱座與前述功率模組用基板的接合界面,形成有接合層(50),該接合層在Al-Si共晶組織中分散有含Mg之含Mg化合物(52)(MgO除外),接合層(50)的厚度做成5μm以上80μm以下的範圍內。
简体摘要: 本附散热座功率模块用基板具备:功率模块用基板,在绝缘层一方之面配设有电路层;及散热座,与该功率模块用基板另一方之面侧接合;前述散热座的接合面及前述功率模块用基板的接合面,系分别由铝或铝合金所构成,在前述散热座与前述功率模块用基板的接合界面,形成有接合层(50),该接合层在Al-Si共晶组织中分散有含Mg之含Mg化合物(52)(MgO除外),接合层(50)的厚度做成5μm以上80μm以下的范围内。
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公开(公告)号:TWI493661B
公开(公告)日:2015-07-21
申请号:TW102111535
申请日:2013-03-29
发明人: 長友義幸 , NAGATOMO, YOSHIYUKI , 石塚博 , ISHIZUKA, HIROYA , 長瀬敏之 , NAGASE, TOSHIYUKI , 黑光祥郎 , KUROMITSU, YOSHIROU , 江戶正和 , EDO, MASAKAZU , 三宅秀幸 , MIYAKE, HIDEYUKI
IPC分类号: H01L23/12 , H01L23/373 , H05K1/05 , H05K3/00
CPC分类号: H05K7/209 , B23K1/0016 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/286 , C04B37/026 , C04B2235/6584 , C04B2237/121 , C04B2237/128 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029
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