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公开(公告)号：TWI600126B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW102136773
申请日：2013-10-11
发明人： 寺伸幸 , TERASAKI, NOBUYUKI , 長友義幸 , NAGATOMO, YOSHIYUKI , 黒光祥郎 , KUROMITSU, YOSHIROU
IPC分类号： H01L23/36
CPC分类号： H05K7/209 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/128 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L21/4882 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32227 , H01L2224/83424 , H01L2924/13055 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TWI576411B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW102107712
申请日：2013-03-05
发明人： 張濱 , ZHANG, BIN , 宮川宏彰 , MIYAGAWA, HIROAKI , 中村俊孝 , NAKAMURA, TOSHITAKA
CPC分类号： C09K11/7769 , B32B18/00 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B35/632 , C04B35/63488 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6587 , C04B2235/663 , C04B2235/763 , C04B2235/786 , C04B2235/9653 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/368 , C04B2237/565 , C04B2237/582 , C04B2237/588 , C04B2237/702 , C04B2237/704 , C09K11/7774 , H01L33/50
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公开(公告)号：TWI550790B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW099135756
申请日：2010-10-20
发明人： 長友義幸 , NAGATOMO, YOSHIYUKI , 秋山和裕 , AKIYAMA, KAZUHIRO , 殿村宏史 , TONOMURA, HIROSHI , 寺崎伸幸 , TERASAKI, NOBUYUKI , 黑光祥郎 , KUROMITSU, YOSHIROU
CPC分类号： H05K7/02 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2235/6581 , C04B2235/72 , C04B2237/12 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/55 , C04B2237/58 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L21/4882 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/473 , H01L2224/32225 , H05K7/2039 , H05K13/00 , Y10T29/49002
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公开(公告)号：TW201626513A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104121697
申请日：2015-07-03
发明人： 大井宗太郎 , OI, SOTARO , 大開智哉 , OOHIRAKI, TOMOYA
CPC分类号： H01L23/562 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/128 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/568 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L23/051 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3735 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40137 , H01L2224/40225 , H01L2224/83205 , H01L2224/83801 , H01L2224/84205 , H01L2924/00014 , H01L2224/84801
摘要： 本發明係一種功率模組用基板單元及功率模組，其中，功率模組用基板單元(51)係電路層(12)係經由複數的小電路層(12S)而加以構成，陶瓷基板層(11)則至少由一片加以構成，金屬層(13)則至少由一片加以構成，小電路層(12S)則作為具有接合於陶瓷基板層(11)之一方的面之第1鋁層(15)，和固相擴散接合於其第1鋁層(15)之第1銅層(16)的層積構造，金屬層(13)則經由與第1鋁層(15)同一材料而加以形成，散熱板(30)則經由銅或銅合金而加以形成，對於金屬層(13)與散熱板(30)則加以固相擴散接合，將第1銅層(16)之厚度作為t1(mm)、將接合面積作為A1(mm2)、將耐力作為σ 1(N/mm2)，而將在與前述金屬層之接合位置的散熱板(30)的厚度作為t2(mm)、將接合面積作為A2(mm2)、將耐力作為σ 2(N/mm2)時，比率(t1×A1×σ 1)/(t2×A2×σ 2)則作為0.80以上1.20以下者。
简体摘要： 本发明系一种功率模块用基板单元及功率模块，其中，功率模块用基板单元(51)系电路层(12)系经由复数的小电路层(12S)而加以构成，陶瓷基板层(11)则至少由一片加以构成，金属层(13)则至少由一片加以构成，小电路层(12S)则作为具有接合于陶瓷基板层(11)之一方的面之第1铝层(15)，和固相扩散接合于其第1铝层(15)之第1铜层(16)的层积构造，金属层(13)则经由与第1铝层(15)同一材料而加以形成，散热板(30)则经由铜或铜合金而加以形成，对于金属层(13)与散热板(30)则加以固相扩散接合，将第1铜层(16)之厚度作为t1(mm)、将接合面积作为A1(mm2)、将耐力作为σ 1(N/mm2)，而将在与前述金属层之接合位置的散热板(30)的厚度作为t2(mm)、将接合面积作为A2(mm2)、将耐力作为σ 2(N/mm2)时，比率(t1×A1×σ 1)/(t2×A2×σ 2)则作为0.80以上1.20以下者。
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5.发明专利接合體之製造方法、多層接合體之製造方法、功率模組用基板之製造方法、附散熱片之功率模組用基板之製造方法及積層體之製造裝置 审中-公开接合体之制造方法、多层接合体之制造方法、功率模块用基板之制造方法、附散热片之功率模块用基板之制造方法及积层体之制造设备
公开(公告)号：TW201614020A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104121511
申请日：2015-07-02
发明人： 大開智哉 , OOHIRAKI, TOMOYA , 大井宗太郎 , OI, SOTARO , 西川仁人 , NISHIKAWA, KIMIHITO
CPC分类号： H01L23/3735 , B32B15/00 , C04B35/645 , C04B37/028 , C04B2235/449 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L21/4882 , H01L23/12 , H01L23/36 , H01L23/4924 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： 提供在將金屬板彼此及金屬板與陶瓷板相接合時，防止各構件的接合面彼此位置偏移，可有效率地製造該等接合體的接合體之製造方法，及將其應用在功率模組用基板之功率模組用基板之製造方法。 具有：積層工程，其係在銅電路板(第1構件)(30)或陶瓷基板(第2構件)(20)之任一方，塗佈以飽和脂肪酸為主成分的暫時固定材(40)，透過經熔融的暫時固定材(40)，將銅電路板(30)及陶瓷基板(20)積層而對位，藉由將暫時固定材(40)冷卻，形成將經積層的銅電路板(30)及陶瓷基板(20)暫時固定的積層體(80)；及接合工程，其係將積層體(80)以積層方向加壓來進行加熱，藉此形成將銅電路板(30)及陶瓷基板(20)相接合的接合體。
简体摘要： 提供在将金属板彼此及金属板与陶瓷板相接合时，防止各构件的接合面彼此位置偏移，可有效率地制造该等接合体的接合体之制造方法，及将其应用在功率模块用基板之功率模块用基板之制造方法。 具有：积层工程，其系在铜电路板(第1构件)(30)或陶瓷基板(第2构件)(20)之任一方，涂布以饱和脂肪酸为主成分的暂时固定材(40)，透过经熔融的暂时固定材(40)，将铜电路板(30)及陶瓷基板(20)积层而对位，借由将暂时固定材(40)冷却，形成将经积层的铜电路板(30)及陶瓷基板(20)暂时固定的积层体(80)；及接合工程，其系将积层体(80)以积层方向加压来进行加热，借此形成将铜电路板(30)及陶瓷基板(20)相接合的接合体。
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公开(公告)号：TW201605766A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104112861
申请日：2015-04-22
发明人： 寺伸幸 , TERASAKI, NOBUYUKI , 長友義幸 , NAGATOMO, YOSHIYUKI
CPC分类号： C04B37/026 , B23K1/00 , B23K1/19 , B23K1/20 , B23K35/26 , B23K35/28 , B23K35/30 , B23K35/302 , C04B37/02 , C04B2237/124 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C21/00 , C22C24/00 , C22C28/00 , H01L23/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本發明係一種接合體之製造方法，功率模組用基板之製造方法，其中，本發明之接合體之製造方法係加以接合由陶瓷所成之陶瓷構件，和Cu或Cu合金所成之Cu構件所成之接合體之製造方法，其中，具備：藉由包含Cu及與Cu共晶反應之共晶元素之硬焊填料金屬，和活性金屬材，於前述陶瓷構件之一面側，層積前述Cu構件之層積工程，和加熱處理所層積之前述陶瓷構件及前述Cu構件之加熱處理工程。
简体摘要： 本发明系一种接合体之制造方法，功率模块用基板之制造方法，其中，本发明之接合体之制造方法系加以接合由陶瓷所成之陶瓷构件，和Cu或Cu合金所成之Cu构件所成之接合体之制造方法，其中，具备：借由包含Cu及与Cu共晶反应之共芯片素之硬焊填料金属，和活性金属材，于前述陶瓷构件之一面侧，层积前述Cu构件之层积工程，和加热处理所层积之前述陶瓷构件及前述Cu构件之加热处理工程。
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公开(公告)号：TW201531188A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103128291
申请日：2014-08-18
发明人： 寺伸幸 , TERASAKI, NOBUYUKI , 長友義幸 , NAGATOMO, YOSHIYUKI
CPC分类号： B23K26/324 , B23K26/0006 , B23K26/32 , B23K26/322 , B23K35/0222 , B23K35/0238 , B23K35/025 , B23K35/262 , B23K35/286 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K2203/08 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/122 , C04B2237/124 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/58 , C22C9/00 , C22C9/02 , H01L21/4882 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L2224/32225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本發明之接合體係由陶瓷所成之陶瓷構件、及由Cu或Cu合金所成之Cu構件透過Cu-P-Sn系硬焊材及Ti材而相接合的接合體，其係在前述陶瓷構件與前述Cu構件的接合界面形成有：位於前述陶瓷構件側，Sn固溶在Cu中的Cu-Sn層；及位於前述Cu構件與前述Cu-Sn層之間的Ti層，在前述Cu構件與前述Ti層之間，形成有由Cu與Ti所成之第一金屬間化合物層，在前述Cu-Sn層與前述Ti層之間，形成有含有P的第二金屬間化合物層。
简体摘要： 本发明之接合体系由陶瓷所成之陶瓷构件、及由Cu或Cu合金所成之Cu构件透过Cu-P-Sn系硬焊材及Ti材而相接合的接合体，其系在前述陶瓷构件与前述Cu构件的接合界面形成有：位于前述陶瓷构件侧，Sn固溶在Cu中的Cu-Sn层；及位于前述Cu构件与前述Cu-Sn层之间的Ti层，在前述Cu构件与前述Ti层之间，形成有由Cu与Ti所成之第一金属间化合物层，在前述Cu-Sn层与前述Ti层之间，形成有含有P的第二金属间化合物层。
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公开(公告)号：TWI481581B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW099129621
申请日：2010-09-02
申请人： 東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人： 宮本欽生 , MIYAMOTO, YOSHINARI , 陳衛武 , CHEN, WEIWU , 中村正治 , NAKAMURA, MASAHARU , 松本大平 , MATSUMOTO, TAIHEI , 東城哲朗 , TOJO, TETSURO
IPC分类号： C04B35/52 , C04B35/628 , C04B35/64 , C04B37/00
CPC分类号： C04B35/522 , C04B35/62805 , C04B35/62807 , C04B35/62813 , C04B35/62821 , C04B35/62831 , C04B35/62834 , C04B35/62836 , C04B35/62897 , C04B35/6303 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B2235/425 , C04B2235/5436 , C04B2235/9615 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/348 , C04B2237/36 , C04B2237/363 , C04B2237/365 , C04B2237/368 , Y10T428/249921 , Y10T428/265
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9.发明专利高表面電阻率靜電吸盤 HIGH SURFACE RESISTIVITY ELECTROSTATIC CHUCK 审中-公开高表面电阻率静电吸盘 HIGH SURFACE RESISTIVITY ELECTROSTATIC CHUCK
公开(公告)号：TW201205716A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100118460
申请日：2011-05-26
申请人： 恩特格林斯公司 , 維瑞安半導體設備公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H02N13/00 , B05D5/12 , B23Q3/152 , C04B37/005 , C04B37/008 , C04B2237/06 , C04B2237/062 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/086 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/368 , C23F1/00 , H01L21/6833
摘要： 根據本發明之一具體實例,提供一種靜電吸盤。該靜電吸盤包含一電極及一表面層,該表面層由該電極中之一電壓啓動以形成一電荷以將一基板靜電夾持至該靜電吸盤,該表面層包括一電荷控制層,該電荷控制層包含大於約每平方1011歐姆之一表面電阻率。
简体摘要： 根据本发明之一具体实例,提供一种静电吸盘。该静电吸盘包含一电极及一表面层,该表面层由该电极中之一电压启动以形成一电荷以将一基板静电夹持至该静电吸盘,该表面层包括一电荷控制层,该电荷控制层包含大于约每平方1011欧姆之一表面电阻率。
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公开(公告)号：TWI576957B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105119908
申请日：2011-05-26
发明人： 庫克 理查A , COOKE, RICHARD A. , 史東 戴爾K , STONE, DALE K. , 史東 盧德米拉 , STONE, LYUDMILA , 布雷克 朱立安 , BLAKE, JULIAN , 蘇羅納 大衛 , SUURONEN, DAVID
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H02N13/00 , B05D5/12 , B23Q3/152 , C04B37/005 , C04B37/008 , C04B2237/06 , C04B2237/062 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/086 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/368 , C23F1/00 , H01L21/6833
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