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公开(公告)号:TWI596651B
公开(公告)日:2017-08-21
申请号:TW104143236
申请日:2015-12-22
Inventor: 內海淳 , UTSUMI, JUN , 後藤崇之 , GOTO, TAKAYUKI , 鈴木毅典 , SUZUKI, TAKENORI , 井手健介 , IDE, KENSUKE
CPC classification number: B23K20/02 , B23K20/00 , B23K20/22 , B32B37/14 , B81C3/001 , H01L21/02 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L2224/05572 , H01L2224/80895 , H01L2924/0002 , H01L2924/15787
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公开(公告)号:TW201635338A
公开(公告)日:2016-10-01
申请号:TW104143236
申请日:2015-12-22
Inventor: 內海淳 , UTSUMI, JUN , 後藤崇之 , GOTO, TAKAYUKI , 鈴木毅典 , SUZUKI, TAKENORI , 井手健介 , IDE, KENSUKE
CPC classification number: B23K20/02 , B23K20/00 , B23K20/22 , B32B37/14 , B81C3/001 , H01L21/02 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L2224/05572 , H01L2224/80895 , H01L2924/0002 , H01L2924/15787
Abstract: 本發明提供一種半導體裝置及半導體裝置之製造方法。該半導體裝置之特徵在於:其係將接合電極23、26及絕緣層22、25分別於表面17A、18A露出之晶圓常溫接合而成者,且在表面17A、18A之間具備單獨時顯示非導電性而且與接合電極23、26結合而顯示導電性之接合中間層30。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备及半导体设备之制造方法。该半导体设备之特征在于:其系将接合电极23、26及绝缘层22、25分别于表面17A、18A露出之晶圆常温接合而成者,且在表面17A、18A之间具备单独时显示非导电性而且与接合电极23、26结合而显示导电性之接合中间层30。
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公开(公告)号:TWI540622B
公开(公告)日:2016-07-01
申请号:TW099137016
申请日:2010-10-28
Inventor: 木之內雅人 , KINOUCHI, MASATO , 後藤崇之 , GOTO, TAKAYUKI , 津野武志 , TSUNO, TAKESHI , 井手健介 , IDE, KENSUKE , 鈴木毅典 , SUZUKI, TAKENORI
IPC: H01L21/30 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67092 , B81C1/00357 , B81C99/0025
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