公开(公告)号：TW201806050A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106107785

申请日：2017-03-09

申请人： 瑞西恩公司 ,  RAYTHEON COMPANY

发明人： 蘇雅雷斯 愛德華R ,  SOARES, EDWARD R. ,  傑柏 約翰J ,  DRAB, JOHN J.

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L23/58 ,  H01L23/66 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/8221 ,  H01L22/14 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/03416 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01074 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/03

摘要： 一種電子裝置整合方法以及整合電子裝置。該整合方法可以包含藉由下面方式製備第一電子裝置的步驟：形成一導電跡線，疊置在一基板上方；形成一阻障層，疊置在該導電跡線上方；於該阻障層上形成一或更多個導電互連；以及形成一接合層，疊置在該跡線上方及/或至少部分包圍該一或更多個互連。該阻障層被配置成用以防止在該些跡線結構和互連結構之間形成金屬間化合物，仍可在該跡線和互連之間達成電通訊。該整合方法可以進一步包含下面步驟：將該第一電子裝置直接接合至一第二電子裝置；將一第三電子裝置直接接合至該第二電子裝置；依此類推。在每一個堆疊序列之後可以進行該垂直整合電子裝置的高溫處理和功能測試。

简体摘要： 一种电子设备集成方法以及集成电子设备。该集成方法可以包含借由下面方式制备第一电子设备的步骤：形成一导电迹线，叠置在一基板上方；形成一阻障层，叠置在该导电迹在线方；于该阻障层上形成一或更多个导电互连；以及形成一接合层，叠置在该迹在线方及/或至少部分包围该一或更多个互连。该阻障层被配置成用以防止在该些迹线结构和互链接构之间形成金属间化合物，仍可在该迹线和互连之间达成电通信。该集成方法可以进一步包含下面步骤：将该第一电子设备直接接合至一第二电子设备；将一第三电子设备直接接合至该第二电子设备；依此类推。在每一个堆栈串行之后可以进行该垂直集成电子设备的高温处理和功能测试。

公开(公告)号：TW201724192A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105125395

申请日：2016-08-10

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  陳明發 ,  CHEN, MING FA ,  陳怡秀 ,  CHEN, YI HSIU

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/14 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/14 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/037 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042

摘要： 方法包含形成第一導電結構與第二導電結構，形成金屬墊於第一導電結構上以接觸第一導電結構，以及形成鈍化層覆蓋金屬墊的邊緣部份，且鈍化層中的開口露出金屬墊之上表面的中心部份。形成第一介電層以覆蓋金屬墊與鈍化層。形成接合墊於第一介電層上，且接合墊電性耦接至第二導電結構。沉積第二介電層以圍繞接合墊。進行平坦化步驟使第二介電層之上表面與接合墊齊平。在平坦化步驟後，金屬墊的上表面之整體接觸介電材料。

简体摘要： 方法包含形成第一导电结构与第二导电结构，形成金属垫于第一导电结构上以接触第一导电结构，以及形成钝化层覆盖金属垫的边缘部份，且钝化层中的开口露出金属垫之上表面的中心部份。形成第一介电层以覆盖金属垫与钝化层。形成接合垫于第一介电层上，且接合垫电性耦接至第二导电结构。沉积第二介电层以围绕接合垫。进行平坦化步骤使第二介电层之上表面与接合垫齐平。在平坦化步骤后，金属垫的上表面之整体接触介电材料。

公开(公告)号：TWI578460B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW105114086

申请日：2016-05-06

申请人： 聯發科技股份有限公司 ,  MEDIATEK INC.

发明人： 林子閎 ,  LIN, TZU HUNG ,  蕭景文 ,  HSIAO, CHING WEN ,  彭逸軒 ,  PENG, I HSUAN

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02317 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/802 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/80001

公开(公告)号：TWI555139B

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：TW103100030

申请日：2014-01-02

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 陳 崑崙 ,  TRAN, LUAN C. ,  杜友倫 ,  TU, YEUR LUEN ,  王俊智 ,  WANG, CHUN CHING

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/0901 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

公开(公告)号：TW201635338A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104143236

申请日：2015-12-22

申请人： 三菱重工工作機械股份有限公司 ,  MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES MACHINE TOOL CO., LTD.

发明人： 內海淳 ,  UTSUMI, JUN ,  後藤崇之 ,  GOTO, TAKAYUKI ,  鈴木毅典 ,  SUZUKI, TAKENORI ,  井手健介 ,  IDE, KENSUKE

IPC分类号： H01L21/02 ,  B23K20/00

CPC分类号： B23K20/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/22 ,  B32B37/14 ,  B81C3/001 ,  H01L21/02 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15787

摘要： 本發明提供一種半導體裝置及半導體裝置之製造方法。該半導體裝置之特徵在於：其係將接合電極23、26及絕緣層22、25分別於表面17A、18A露出之晶圓常溫接合而成者，且在表面17A、18A之間具備單獨時顯示非導電性而且與接合電極23、26結合而顯示導電性之接合中間層30。

简体摘要： 本发明提供一种半导体设备及半导体设备之制造方法。该半导体设备之特征在于：其系将接合电极23、26及绝缘层22、25分别于表面17A、18A露出之晶圆常温接合而成者，且在表面17A、18A之间具备单独时显示非导电性而且与接合电极23、26结合而显示导电性之接合中间层30。

公开(公告)号：TWI483358B

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：TW099123321

申请日：2010-07-15

申请人： 新力股份有限公司 ,  SONY CORPORATION

发明人： 奧山敦 ,  OKUYAMA, ATSUSHI

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L25/04 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/095 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TWI430390B

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：TW100127801

申请日：2011-08-04

申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司 ,  S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES

发明人： 布卡特 馬歇爾 ,  BROEKAART, MARCEL ,  高汀 葛威塔茲 ,  GAUDIN, GWELTAZ ,  卡斯特 阿諾 ,  CASTEX, ARNAUD

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/187 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80

公开(公告)号：TW201308560A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101117629

申请日：2012-05-17

申请人： 新力股份有限公司 ,  SONY CORPORATION

发明人： 藤井宣年 ,  FUJII, NOBUTOSHI ,  香川惠永 ,  KAGAWA, YOSHIHISA

IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/522 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/0616 ,  H01L2224/06517 ,  H01L2224/08123 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種具有可靠性更高之接合面之半導體裝置。第1半導體裝置包含：第1配線層，其包含：第1層間絕緣膜；埋入於該第1層間絕緣膜內，且一表面與第1層間絕緣膜之一表面位於同一面上之第1電極墊；及埋入於第1層間絕緣膜內，且一表面與第1層間絕緣膜之一表面位於同一面上，並配設於第1電極墊的周圍之第1虛設電極；及第2配線層，其包含：位於第1層間絕緣膜的第1電極墊之一表面側之第2層間絕緣膜；埋入於第2層間絕緣膜內，且一表面與第2層間絕緣膜的第1層間絕緣膜側之表面位於同一表面，且接合於第1電極墊上之第2電極墊；及一表面與第2層間絕緣膜的第1層間絕緣膜側之表面位於同一面上，並配設於第2電極墊的周圍，且接合於第1虛設電極上之第2虛設電極。第2半導體裝置具備：第1半導體部，其具有形成於接合界面側的表面且在第1方向上延伸之第1電極；及第2半導體部，其具有於上述接合界面與第1電極接合且在與第1方向交叉之第2方向上延伸之第2電極，且於上述接合界面與第1半導體部貼合而設置。

简体摘要： 本发明提供一种具有可靠性更高之接合面之半导体设备。第1半导体设备包含：第1配线层，其包含：第1层间绝缘膜；埋入于该第1层间绝缘膜内，且一表面与第1层间绝缘膜之一表面位于同一面上之第1电极垫；及埋入于第1层间绝缘膜内，且一表面与第1层间绝缘膜之一表面位于同一面上，并配设于第1电极垫的周围之第1虚设电极；及第2配线层，其包含：位于第1层间绝缘膜的第1电极垫之一表面侧之第2层间绝缘膜；埋入于第2层间绝缘膜内，且一表面与第2层间绝缘膜的第1层间绝缘膜侧之表面位于同一表面，且接合于第1电极垫上之第2电极垫；及一表面与第2层间绝缘膜的第1层间绝缘膜侧之表面位于同一面上，并配设于第2电极垫的周围，且接合于第1虚设电极上之第2虚设电极。第2半导体设备具备：第1半导体部，其具有形成于接合界面侧的表面且在第1方向上延伸之第1电极；及第2半导体部，其具有于上述接合界面与第1电极接合且在与第1方向交叉之第2方向上延伸之第2电极，且于上述接合界面与第1半导体部贴合而设置。

公开(公告)号：TW201308541A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101124121

申请日：2012-07-04

申请人： 索泰克公司 ,  SOITEC

发明人： 阮 璧顏 ,  NGUYEN, BICH-YEN ,  沙達卡 瑪麗姆 ,  SADAKA, MARIAM

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/50 ,  G02B6/43 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/802 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06534 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 形成鍵結半導體結構之方法包括提供一底材結構，其在相對較厚之一底材本體上包含相對較薄之一材料層，以及形成穿透該材料層之多個穿透晶圓互連。一第一半導體結構可以鍵結至該材料薄層上，且該第一半導體結構中至少一個導電部件可以在電性上與該些穿透晶圓互連其中至少一個耦合。在該第一半導體結構相反於該第一底材結構之一面，一轉移材料層可以提供於該第一半導體結構上方，且可以在該轉移材料層中形成電性互連、光學互連及流體互連其中至少一種。在該轉移材料層相反於該第一半導體結構之一面，一第二半導體結構可以提供於該轉移材料層上方。應用此等方法製作之鍵結半導體結構。

简体摘要： 形成键结半导体结构之方法包括提供一底材结构，其在相对较厚之一底材本体上包含相对较薄之一材料层，以及形成穿透该材料层之多个穿透晶圆互连。一第一半导体结构可以键结至该材料薄层上，且该第一半导体结构中至少一个导电部件可以在电性上与该些穿透晶圆互连其中至少一个耦合。在该第一半导体结构相反于该第一底材结构之一面，一转移材料层可以提供于该第一半导体结构上方，且可以在该转移材料层中形成电性互连、光学互连及流体互连其中至少一种。在该转移材料层相反于该第一半导体结构之一面，一第二半导体结构可以提供于该转移材料层上方。应用此等方法制作之键结半导体结构。

公开(公告)号：TW201301398A

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：TW101111450

申请日：2012-03-30

申请人： 蘇泰克公司 ,  SOITEC ,  原子能與替代能源委員會 ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： 沙達卡 馬里安 ,  SADAKA, MARIAM ,  拉杜 優娜特 ,  RADU, IONUT ,  蘭德路 迪迪爾 ,  LANDRU, DIDIER ,  迪休西 利亞 ,  DI CIOCCI, LEA

IPC分类号： H01L21/324

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/034

摘要： 將半導體結構結合在一起之方法包括使第一半導體結構上之第一金屬特徵結構退火，將第一金屬特徵結構結合至第二半導體結構之第二金屬特徵結構，以形成包含第一金屬特徵結構及第二金屬特徵結構的一經結合金屬結構，且使經結合金屬結構退火。使第一金屬特徵結構退火可包含使第一金屬特徵結構經受一預結合熱預算，且使經結合金屬結構退火可包含使經結合金屬結構經受小於預結合熱預算的一後結合熱預算。經結合半導體結構使用此等方法被製成。

简体摘要： 将半导体结构结合在一起之方法包括使第一半导体结构上之第一金属特征结构退火，将第一金属特征结构结合至第二半导体结构之第二金属特征结构，以形成包含第一金属特征结构及第二金属特征结构的一经结合金属结构，且使经结合金属结构退火。使第一金属特征结构退火可包含使第一金属特征结构经受一预结合热预算，且使经结合金属结构退火可包含使经结合金属结构经受小于预结合热预算的一后结合热预算。经结合半导体结构使用此等方法被制成。