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公开(公告)号：TW201841351A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106130196
申请日：2017-09-04
Applicant: 上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
Inventor： 肖德元 , XIAO, DEYUAN
IPC: H01L27/1157
Abstract: 本發明提供一種後閘無接面反及閘快閃記憶體及其製作方法，所述記憶體包括：基板、絕緣層、二維半導體材料通道層、奈米碳管閘陣列、閘捕捉結構、保護層、源接觸電極和汲接觸電極。所述閘捕捉結構包括隧道層、電荷捕捉層及阻擋層，其中，所述隧道層位於所述通道層之上，所述阻擋層環繞所述奈米碳管閘陣列中奈米碳管的外側面，所述電荷捕捉層包括環繞所述阻擋層外側面的第一部分及位於所述隧道層之上並與所述第一部分接觸的第二部分。本發明的後閘無接面反及閘快閃記憶體採用二維半導體材料水平通道，並採用了金屬性奈米碳管閘陣列，且阻擋層及電荷捕捉層環繞奈米碳管閘，不僅可以簡化元件結構，提高儲存單元密度，還可以獲得更強的閘極電荷捕捉性能。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种后闸无接面反及闸闪存及其制作方法，所述内存包括：基板、绝缘层、二维半导体材料信道层、奈米碳管闸数组、闸捕捉结构、保护层、源接触电极和汲接触电极。所述闸捕捉结构包括隧道层、电荷捕捉层及阻挡层，其中，所述隧道层位于所述信道层之上，所述阻挡层环绕所述奈米碳管闸数组中奈米碳管的外侧面，所述电荷捕捉层包括环绕所述阻挡层外侧面的第一部分及位于所述隧道层之上并与所述第一部分接触的第二部分。本发明的后闸无接面反及闸闪存采用二维半导体材料水平信道，并采用了金属性奈米碳管闸数组，且阻挡层及电荷捕捉层环绕奈米碳管闸，不仅可以简化组件结构，提高存储单元密度，还可以获得更强的闸极电荷捕捉性能。
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公开(公告)号：TWI641149B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW106120431
申请日：2017-06-19
Applicant: 上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
Inventor： 肖德元 , XIAO, DEYUAN
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L29/43 , H01L21/336 , H01L21/28
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公开(公告)号：TWI630706B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW105143229
申请日：2016-12-26
Applicant: 上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
Inventor： 肖德元 , XIAO, DEYUAN
IPC: H01L27/115
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公开(公告)号：TWI630280B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW106105997
申请日：2017-02-22
Applicant: 上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
Inventor： 肖德元 , XIAO, DEYUAN
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公开(公告)号：TWI628712B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105118982
申请日：2016-06-16
Applicant: 上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
Inventor： 肖德元 , XIAO, DEYUAN
IPC: H01L21/31 , H01L21/3215
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI628703B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105132263
申请日：2016-10-05
Applicant: 上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
Inventor： 肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張 汝京 , CHANG, RICHARD
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/15 , H01L29/786
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公开(公告)号：TWI628318B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105106935
申请日：2016-03-07
Applicant: 上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
Inventor： 肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張 汝京 , CHANG, RICHARD R.
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公开(公告)号：TWI628317B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105141270
申请日：2016-12-13
Applicant: 上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
Inventor： 肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張 汝京 , CHANG, RICHARD
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公开(公告)号：TWI628316B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105118435
申请日：2016-06-13
Applicant: 上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
Inventor： 肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張 汝京 , CHANG, RICHARD R.
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公开(公告)号：TWI622670B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106105999
申请日：2017-02-22
Applicant: 上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
Inventor： 張 汝京 , CHANG, RICHARD , 肖德元 , XIAO, DEYUAN
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