公开(公告)号：TW200514878A

公开(公告)日：2005-05-01

申请号：TW092136851

申请日：2003-12-25

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.

Inventor： 難波曉彥 NAMBA, AKIHIKO ,  山本喜之 YAMAMOTO, YOSHIYUKI ,  角谷均 SUMIYA, HITOSHI ,  西林良樹 NISHIBAYASHI, YOSHIKI ,  今井貴浩 IMAI, TAKAHIRO

IPC: C30B

CPC classification number: H01L21/0415 ,  C30B29/04 ,  H01L21/265 ,  H01L29/167

Abstract: 本發明係一種n型半導體鑽石之製造方法，其特徵係於包含10ppm以上的氮之鑽石單晶內進行離子佈植使其包含10ppm以上之鋰，或者於鑽石單晶內離子佈植鋰和氮時，以使離子佈植後之鋰和氮的濃度各為10ppm以上之離子佈植深度重疊之方式進行，於形成包含鋰和氮之鑽石後，於800℃以上1800℃以下之溫度範圍內對該鑽石進行熱處理，使鋰和氮電活化及恢復鑽石之結晶結構。本發明之n型半導體鑽石係於距離結晶表面相同深度處包含各10ppm以上之鋰和氮，且薄膜電阻僅在10^7Ω／□以下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种n型半导体钻石之制造方法，其特征系于包含10ppm以上的氮之钻石单晶内进行离子布植使其包含10ppm以上之锂，或者于钻石单晶内离子布植锂和氮时，以使离子布植后之锂和氮的浓度各为10ppm以上之离子布植深度重叠之方式进行，于形成包含锂和氮之钻石后，于800℃以上1800℃以下之温度范围内对该钻石进行热处理，使锂和氮电活化及恢复钻石之结晶结构。本发明之n型半导体钻石系于距离结晶表面相同深度处包含各10ppm以上之锂和氮，且薄膜电阻仅在10^7Ω／□以下。