公开(公告)号：TW201611286A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104107081

申请日：2015-03-05

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 河野洋志 ,  KONO, HIROSHI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/044 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734

摘要： 本發明之實施形態提供一種使溝槽閘極之耐壓提高之半導體裝置及其製造方法。 實施形態之半導體裝置包含：第1電極；第2電極；第1導電型之第1半導體區域，其設置於上述第1電極與上述第2電極之間；第2導電型之複數個第2半導體區域，其等選擇性地設置於上述第1半導體區域與上述第2電極之間；第1導電型之第3半導體區域，其設置於上述複數個第2半導體區域之各者與上述第2電極之間；及第3電極，其位於由上述複數個第2半導體區域中之相鄰之上述第2半導體區域夾著之上述第1半導體區域上，介隔絕緣膜而設置於上述第1半導體區域、上述第2半導體區域、及上述第3半導體區域，且上述第1電極側之角部介隔上述絕緣膜而被上述第2半導體區域所覆蓋。

简体摘要： 本发明之实施形态提供一种使沟槽闸极之耐压提高之半导体设备及其制造方法。 实施形态之半导体设备包含：第1电极；第2电极；第1导电型之第1半导体区域，其设置于上述第1电极与上述第2电极之间；第2导电型之复数个第2半导体区域，其等选择性地设置于上述第1半导体区域与上述第2电极之间；第1导电型之第3半导体区域，其设置于上述复数个第2半导体区域之各者与上述第2电极之间；及第3电极，其位于由上述复数个第2半导体区域中之相邻之上述第2半导体区域夹着之上述第1半导体区域上，介隔绝缘膜而设置于上述第1半导体区域、上述第2半导体区域、及上述第3半导体区域，且上述第1电极侧之角部介隔上述绝缘膜而被上述第2半导体区域所覆盖。

公开(公告)号：TW200514878A

公开(公告)日：2005-05-01

申请号：TW092136851

申请日：2003-12-25

申请人： 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.

发明人： 難波曉彥 NAMBA, AKIHIKO ,  山本喜之 YAMAMOTO, YOSHIYUKI ,  角谷均 SUMIYA, HITOSHI ,  西林良樹 NISHIBAYASHI, YOSHIKI ,  今井貴浩 IMAI, TAKAHIRO

IPC分类号： C30B

CPC分类号： H01L21/0415 ,  C30B29/04 ,  H01L21/265 ,  H01L29/167

摘要： 本發明係一種n型半導體鑽石之製造方法，其特徵係於包含10ppm以上的氮之鑽石單晶內進行離子佈植使其包含10ppm以上之鋰，或者於鑽石單晶內離子佈植鋰和氮時，以使離子佈植後之鋰和氮的濃度各為10ppm以上之離子佈植深度重疊之方式進行，於形成包含鋰和氮之鑽石後，於800℃以上1800℃以下之溫度範圍內對該鑽石進行熱處理，使鋰和氮電活化及恢復鑽石之結晶結構。本發明之n型半導體鑽石係於距離結晶表面相同深度處包含各10ppm以上之鋰和氮，且薄膜電阻僅在10^7Ω／□以下。

简体摘要： 本发明系一种n型半导体钻石之制造方法，其特征系于包含10ppm以上的氮之钻石单晶内进行离子布植使其包含10ppm以上之锂，或者于钻石单晶内离子布植锂和氮时，以使离子布植后之锂和氮的浓度各为10ppm以上之离子布植深度重叠之方式进行，于形成包含锂和氮之钻石后，于800℃以上1800℃以下之温度范围内对该钻石进行热处理，使锂和氮电活化及恢复钻石之结晶结构。本发明之n型半导体钻石系于距离结晶表面相同深度处包含各10ppm以上之锂和氮，且薄膜电阻仅在10^7Ω／□以下。

公开(公告)号：TWI591828B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW104107081

申请日：2015-03-05

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 河野洋志 ,  KONO, HIROSHI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/044 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734

公开(公告)号：TW201643943A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：TW105127717

申请日：2012-07-27

申请人： 阿克漢科技公司 ,  AKHAN TECHNOLOGIES, INC.

发明人： 克漢 亞當 ,  KHAN, ADAM

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/0405 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/22 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本文中揭示一種用於製造鑽石型半導體之新型且改良之系統及方法。該系統可包含具有n型供體原子及一鑽石晶格之一鑽石材料，其中在100kPa及300K，該等供體原子之0.16%將遷移率大於770cm2/Vs之傳導電子提供至該鑽石晶格。製造鑽石型半導體之方法可包含以下步驟：選擇具有一鑽石晶格之一鑽石材料；將最小量受體摻雜原子引入至該鑽石晶格，以建立離子軌道；將置換摻雜原子透過該等離子軌道引入至該鑽石晶格；及退火該鑽石晶格。

简体摘要： 本文中揭示一种用于制造钻石型半导体之新型且改良之系统及方法。该系统可包含具有n型供体原子及一钻石晶格之一钻石材料，其中在100kPa及300K，该等供体原子之0.16%将迁移率大于770cm2/Vs之传导电子提供至该钻石晶格。制造钻石型半导体之方法可包含以下步骤：选择具有一钻石晶格之一钻石材料；将最小量受体掺杂原子引入至该钻石晶格，以创建离子轨道；将置换掺杂原子透过该等离子轨道引入至该钻石晶格；及退火该钻石晶格。

公开(公告)号：TW201623673A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW104126930

申请日：2015-08-19

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 湯貝爾 思魯提 維克 ,  THOMBARE, SHRUTI VIVEK ,  可里伊許特克 ,  KARIM, ISHTAK ,  句頻納斯 珊傑 ,  GOPINATH, SANJAY ,  阿爾加瓦尼 瑞加 ,  ARGHAVANI, REZA ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02186 ,  C23C16/06 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/458 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/044 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66068

摘要： 本文提供次化學計量氧化鈦之沉積及調節的方法。該方法涉及在腔室中於基板上沉積高純度及高度保形的鈦，藉由以下步驟：(i)將該基板曝露於四碘化鈦、(ii)清除該腔室、(iii)將該基板曝露於電漿、(iv)清除該腔室、(v)重複(i)至(iv)、及處理該基板上所沉積之鈦以形成次化學計量之氧化鈦。亦可於將鈦沉積於該基板上之前，沉積氧化鈦。該等處理包含將該基板曝露於氧來源、及/或使該基板回火。

简体摘要： 本文提供次化学计量氧化钛之沉积及调节的方法。该方法涉及在腔室中于基板上沉积高纯度及高度保形的钛，借由以下步骤：(i)将该基板曝露于四碘化钛、(ii)清除该腔室、(iii)将该基板曝露于等离子、(iv)清除该腔室、(v)重复(i)至(iv)、及处理该基板上所沉积之钛以形成次化学计量之氧化钛。亦可于将钛沉积于该基板上之前，沉积氧化钛。该等处理包含将该基板曝露于氧来源、及/或使该基板回火。

公开(公告)号：TWI553714B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW103104017

申请日：2014-02-07

申请人： 三菱電機股份有限公司 ,  MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION

发明人： 川瀨祐介 ,  KAWASE, YUSUKE ,  金田和德 ,  KANADA, KAZUNORI ,  湊忠玄 ,  MINATO, TADAHARU

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66333

公开(公告)号：TW201438065A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：TW103102013

申请日：2014-01-20

申请人： 菲爾卻德半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 納薩 克里斯多福 ,  NASSAR, CHRISTOPHER ,  金成龍 ,  KIM, SUNGLYONG ,  萊比格爾 史蒂文 ,  LEIBIGER, STEVEN ,  霍爾 詹姆士 ,  HALL, JAMES

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L29/66681 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7817

摘要： 在一項一般態樣中，一種方法可包含在包含於一半導體裝置中之一橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)裝置之一部分中及一電阻器裝置之一部分中同時地植入一第一摻雜劑。該方法亦可包含在該半導體裝置中之該LDMOS裝置之一部分中及一雙極接面電晶體(BJT)裝置之一部分中同時地植入一第二摻雜劑。

简体摘要： 在一项一般态样中，一种方法可包含在包含于一半导体设备中之一横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)设备之一部分中及一电阻器设备之一部分中同时地植入一第一掺杂剂。该方法亦可包含在该半导体设备中之该LDMOS设备之一部分中及一双极接面晶体管(BJT)设备之一部分中同时地植入一第二掺杂剂。

公开(公告)号：TW201310506A

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：TW101127330

申请日：2012-07-27

申请人： 阿克漢科技公司 ,  AKHAN TECHNOLOGIES, INC.

发明人： 克漢 亞當 ,  KHAN, ADAM

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/0405 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/22 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本文中揭示一種用於製造鑽石型半導體之新型且改良之系統及方法。該系統可包含具有n型供體原子及一鑽石晶格之一鑽石材料，其中在100 kPa及300K，該等供體原子之0.16%將遷移率大於770 cm2/Vs之傳導電子提供至該鑽石晶格。製造鑽石型半導體之方法可包含以下步驟：選擇具有一鑽石晶格之一鑽石材料；將最小量受體摻雜原子引入至該鑽石晶格，以建立離子軌道；將置換摻雜原子透過該等離子軌道引入至該鑽石晶格；及退火該鑽石晶格。

简体摘要： 本文中揭示一种用于制造钻石型半导体之新型且改良之系统及方法。该系统可包含具有n型供体原子及一钻石晶格之一钻石材料，其中在100 kPa及300K，该等供体原子之0.16%将迁移率大于770 cm2/Vs之传导电子提供至该钻石晶格。制造钻石型半导体之方法可包含以下步骤：选择具有一钻石晶格之一钻石材料；将最小量受体掺杂原子引入至该钻石晶格，以创建离子轨道；将置换掺杂原子透过该等离子轨道引入至该钻石晶格；及退火该钻石晶格。

公开(公告)号：TW293140B

公开(公告)日：1996-12-11

申请号：TW085106157

申请日：1996-05-24

申请人： 材料工程研發公司

发明人： 田恬 ,  凌北卿

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/26506 ,  C23C14/48 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2656 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/167 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： 本發明係一種製造具有淺薄摻雜區半導體器件的方法，在一項較佳實施例中，該方法包括下述各步驟：
(a) 提供一基底，該基底之材料以符號Es代表其元
素；以及
(b) 於該基底內殖入一種以符號E1xEdy代表之化合
物離子，其中E1代表一種元素，該元素在基底
中具有高溶合度及極微小損害性之化學或電氣
效應，它亦可能與基底的元素為相同元素。
Ed(摻雜劑元素)代表一種電子接受者或電子供
應者的元素，它在基底內具高溶合度極限，X與
Y係相對應於化合物離子中E1與Ed之原子數
量。

简体摘要： 本发明系一种制造具有浅薄掺杂区半导体器件的方法，在一项较佳实施例中，该方法包括下述各步骤： (a) 提供一基底，该基底之材料以符号Es代表其元 素；以及 (b) 于该基底内殖入一种以符号E1xEdy代表之化合 物离子，其中E1代表一种元素，该元素在基底 中具有高溶合度及极微小损害性之化学或电气 效应，它亦可能与基底的元素为相同元素。 Ed(掺杂剂元素)代表一种电子接受者或电子供 应者的元素，它在基底内具高溶合度极限，X与 Y系相对应于化合物离子中E1与Ed之原子数 量。

公开(公告)号：TWI615943B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW102100462

申请日：2013-01-07

申请人： 阿克漢科技公司 ,  AKHAN TECHNOLOGIES, INC.

发明人： 克漢 亞當 ,  KHAN, ADAM

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/92

CPC分类号： H01L21/0415 ,  H01L21/02085 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/043 ,  H01L21/2053 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868 ,  H01L31/028 ,  H01L33/005 ,  H01L33/34 ,  Y02E10/547