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公开(公告)号：TWI634601B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW103127900
申请日：2014-08-14
发明人： 中村朋陽 , NAKAMURA, TOMOAKI , 塩原利夫 , SHIOBARA, TOSHIO , 秋葉秀樹 , AKIBA, HIDEKI , 関口晋 , SEKIGUCHI, SUSUMU
IPC分类号： H01L21/56
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公开(公告)号：TW201523812A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103125682
申请日：2014-07-28
发明人： 中村朋陽 , NAKAMURA, TOMOAKI , 塩原利夫 , SHIOBARA, TOSHIO , 秋葉秀樹 , AKIBA, HIDEKI , 関口晋 , SEKIGUCHI, SUSUMU
IPC分类号： H01L23/29
CPC分类号： H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L24/97 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , Y10T428/265 , Y10T428/31504 , Y10T428/31511 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , Y10T428/31855 , H01L2924/00
摘要： 本發明之目的在於提供一種可製造外觀及雷射刻印性良好之半導體裝置之附有半導體封裝用基材的封裝材料、半導體裝置、及半導體裝置的製造方法。 本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料，係用以將裝載有半導體元件之半導體元件裝載基板之元件裝載面、或將形成有半導體元件之半導體元件形成晶圓之元件形成面一併封裝之附有半導體封裝用基材的封裝材料，其特徵係具有：基材、形成於該基材之一表面之由未硬化或半硬化之熱硬化性樹脂所構成的封裝樹脂層、與形成於前述基材之另一表面之表面樹脂層。
简体摘要： 本发明之目的在于提供一种可制造外观及激光刻印性良好之半导体设备之附有半导体封装用基材的封装材料、半导体设备、及半导体设备的制造方法。 本发明之附有半导体封装用基材的封装材料，系用以将装载有半导体组件之半导体组件装载基板之组件装载面、或将形成有半导体组件之半导体组件形成晶圆之组件形成面一并封装之附有半导体封装用基材的封装材料，其特征系具有：基材、形成于该基材之一表面之由未硬化或半硬化之热硬化性树脂所构成的封装树脂层、与形成于前述基材之另一表面之表面树脂层。
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公开(公告)号：TWI619209B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW103125682
申请日：2014-07-28
发明人： 中村朋陽 , NAKAMURA, TOMOAKI , 塩原利夫 , SHIOBARA, TOSHIO , 秋葉秀樹 , AKIBA, HIDEKI , 関口晋 , SEKIGUCHI, SUSUMU
IPC分类号： H01L23/29
CPC分类号： H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L24/97 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , Y10T428/265 , Y10T428/31504 , Y10T428/31511 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , Y10T428/31855 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201515121A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103127900
申请日：2014-08-14
发明人： 中村朋陽 , NAKAMURA, TOMOAKI , 塩原利夫 , SHIOBARA, TOSHIO , 秋葉秀樹 , AKIBA, HIDEKI , 関口晋 , SEKIGUCHI, SUSUMU
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2224/85 , H01L2924/00
摘要： 本發明之課題為提供一種半導體裝置之製造方法，其係無須進行因應於以往因填料所導致的翹曲對策及密封層形成時的不良元件數目之樹脂填充量的調整，而減少繁雜的步驟，同時能夠製造減低翹曲，且耐熱性、耐濕性優異的半導體裝置。 本發明之解決手段為一種半導體裝置之製造方法，其係具有：於半導體元件非搭載基板上，載置比密封層之形成所需要的量更多量的熱硬化性樹脂之樹脂載置步驟；將第1空腔內從室溫加熱至200℃，將半導體元件搭載基板配置於成形模具之上模具及下模具其中一方的模具，並將半導體元件非搭載基板配置於另一方的模具之配置步驟；將上模具及下模具進行加壓並將多餘的熱硬化性樹脂排出至第1空腔的外部之樹脂排出步驟；以及一邊將上模具及下模具進行加壓一邊使熱硬化性樹脂成形，使半導體元件搭載基板、半導體元件非搭載基板、及密封層一體化之一體化步驟。
简体摘要： 本发明之课题为提供一种半导体设备之制造方法，其系无须进行因应于以往因填料所导致的翘曲对策及密封层形成时的不良组件数目之树脂填充量的调整，而减少繁杂的步骤，同时能够制造减低翘曲，且耐热性、耐湿性优异的半导体设备。 本发明之解决手段为一种半导体设备之制造方法，其系具有：于半导体组件非搭载基板上，载置比密封层之形成所需要的量更多量的热硬化性树脂之树脂载置步骤；将第1空腔内从室温加热至200℃，将半导体组件搭载基板配置于成形模具之上模具及下模具其中一方的模具，并将半导体组件非搭载基板配置于另一方的模具之配置步骤；将上模具及下模具进行加压并将多余的热硬化性树脂排出至第1空腔的外部之树脂排出步骤；以及一边将上模具及下模具进行加压一边使热硬化性树脂成形，使半导体组件搭载基板、半导体组件非搭载基板、及密封层一体化之一体化步骤。
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