公开(公告)号：TWI622142B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW105136156

申请日：2016-11-07

申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 王朝仁 ,  WANG, CHAO-JEN ,  張志嘉 ,  CHANG, CHIH-CHIA ,  何家充 ,  HO, JIA-CHONG

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L24/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81

公开(公告)号：TW201814842A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：TW106129936

申请日：2017-09-01

申请人： 微晶片科技公司 ,  MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED

发明人： 邱 喬治 ,  CHU, GEORGE

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L24/13 ,  C23C14/34 ,  C25D5/022 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025

摘要： 一種銅柱凸塊半導體封裝方法僅將經形成於該等銅柱凸塊下方之一有機絕緣層圖案化至圍繞該等銅柱凸塊及在該等銅柱凸塊附近的區域。該有機絕緣層通常係一薄膜聚合物層，其充當該等銅柱凸塊之一障壁層，以在該銅柱覆晶接合程序期間保護該半導體晶圓。該銅柱凸塊半導體封裝方法限制其中塗覆該有機絕緣層的區域，以降低由該有機絕緣層引入至該半導體晶圓的應力。在另一實施例中，一銅柱凸塊半導體封裝方法在不使用一大且連續有機絕緣層的情況下，將經形成於該等銅柱凸塊下方之一有機絕緣層圖案化至圍繞該等銅柱凸塊且沿著一重佈層之路徑的區域。

简体摘要： 一种铜柱凸块半导体封装方法仅将经形成于该等铜柱凸块下方之一有机绝缘层图案化至围绕该等铜柱凸块及在该等铜柱凸块附近的区域。该有机绝缘层通常系一薄膜聚合物层，其充当该等铜柱凸块之一障壁层，以在该铜柱覆晶接合进程期间保护该半导体晶圆。该铜柱凸块半导体封装方法限制其中涂覆该有机绝缘层的区域，以降低由该有机绝缘层引入至该半导体晶圆的应力。在另一实施例中，一铜柱凸块半导体封装方法在不使用一大且连续有机绝缘层的情况下，将经形成于该等铜柱凸块下方之一有机绝缘层图案化至围绕该等铜柱凸块且沿着一重布层之路径的区域。

公开(公告)号：TWI621188B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW104138285

申请日：2015-11-19

申请人： 東芝記憶體股份有限公司 ,  TOSHIBA MEMORY CORPORATION

发明人： 渡辺慎也 ,  WATANABE, SHINYA ,  南部俊弘 ,  NAMBU, TOSHIHIRO

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/535 ,  H01L23/522 ,  H01L23/58

CPC分类号： G01R31/2856 ,  H01L21/76898 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/11529 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0601 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01404 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/83

公开(公告)号：TW201813039A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106117132

申请日：2017-05-24

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 派坦巴拉姆 史利尼維斯 V. ,  PIETAMBARAM, SRINIVAS V. ,  梅尼派利 拉伍 N. ,  MANEPALLI, RAHUL N.

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L23/5383 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/562 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/3511

摘要： 本案揭示一種嵌入式多晶粒互連橋接(EMIB)基板。該EMIB基板可包含有機基板、嵌入該有機基板中之橋接件及多個路由層。該等多個路由層可嵌入該橋接件內。每一路由層可具有多個跡線。該等多個路由層中之每一者可具有不同於相鄰路由層之熱膨脹係數(CTE)。

简体摘要： 本案揭示一种嵌入式多晶粒互连桥接(EMIB)基板。该EMIB基板可包含有机基板、嵌入该有机基板中之桥接件及多个路由层。该等多个路由层可嵌入该桥接件内。每一路由层可具有多个迹线。该等多个路由层中之每一者可具有不同于相邻路由层之热膨胀系数(CTE)。

公开(公告)号：TW201813023A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106111706

申请日：2017-04-07

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 洪瑞斌 ,  HUNG, JUI-PIN ,  許峰誠 ,  HSU, FENG-CHENG ,  陳碩懋 ,  CHEN, SHUO-MAO ,  鄭心圃 ,  JENG, SHIN-PUU ,  廖德堆 ,  LIAO, DE-DUI MARVIN

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L25/10

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81

摘要： 一種半導體封裝結構包含一重佈層(RDL)、一晶片、複數個互連凸塊及一囊封物。該重佈層具有彼此相對之一第一表面及一第二表面。該晶片在複數個接點墊面對該第一表面之情況下放置在該重佈層上方且電連接至該重佈層。該等互連凸塊放置在該第一表面上方且電連接至該重佈層。該囊封物放置在該重佈層之該第一表面上方，且該囊封物封圍該晶片並環繞該等互連凸塊之側向壁。

简体摘要： 一种半导体封装结构包含一重布层(RDL)、一芯片、复数个互连凸块及一囊封物。该重布层具有彼此相对之一第一表面及一第二表面。该芯片在复数个接点垫面对该第一表面之情况下放置在该重布层上方且电连接至该重布层。该等互连凸块放置在该第一表面上方且电连接至该重布层。该囊封物放置在该重布层之该第一表面上方，且该囊封物封围该芯片并环绕该等互连凸块之侧向壁。

公开(公告)号：TW201813020A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106125910

申请日：2017-08-01

申请人： 力成科技股份有限公司 ,  POWERTECH TECHNOLOGY INC.

发明人： 方立志 ,  FANG, LI-CHIH ,  徐宏欣 ,  HSU, HUNG-HSIN ,  林南君 ,  LIN, NAN-CHUN ,  張簡上煜 ,  CHANG CHIEN, SHANG-YU

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/522 ,  H05K3/46

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/37001

摘要： 一種晶片封裝結構，其包括晶片、密封體、第一介電層以及第一圖案化線路層。晶片包括主動面以及位於主動面上的多個接墊。密封體包覆晶片且暴露主動面，其中密封體包括凹面以及相對於凹面的背面，凹面暴露主動面且向背面凹陷。介電層覆蓋凹面以及主動面，且包括暴露接墊的多個開口，其中開口包括斜側面，且斜側面以及主動面之間所構成的夾角為銳角。圖案化線路層位於介電層上，且藉由開口與接墊電性連接。

简体摘要： 一种芯片封装结构，其包括芯片、密封体、第一介电层以及第一图案化线路层。芯片包括主动面以及位于主动面上的多个接垫。密封体包覆芯片且暴露主动面，其中密封体包括凹面以及相对于凹面的背面，凹面暴露主动面且向背面凹陷。介电层覆盖凹面以及主动面，且包括暴露接垫的多个开口，其中开口包括斜侧面，且斜侧面以及主动面之间所构成的夹角为锐角。图案化线路层位于介电层上，且借由开口与接垫电性连接。

公开(公告)号：TWI619180B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW103125386

申请日：2014-07-24

申请人： 日東電工股份有限公司 ,  NITTO DENKO CORPORATION

发明人： 志賀豪士 ,  SHIGA, GOJI ,  盛田浩介 ,  MORITA, KOSUKE ,  飯野智繪 ,  IINO, CHIE ,  石坂剛 ,  ISHIZAKA, TSUYOSHI

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L21/568 ,  B32B7/00 ,  B32B7/02 ,  B32B7/12 ,  B32B27/00 ,  B32B27/06 ,  B32B27/18 ,  B32B2305/72 ,  B32B2307/20 ,  B32B2307/202 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/19 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI618200B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW103104996

申请日：2014-02-14

申请人： 日東電工股份有限公司 ,  NITTO DENKO CORPORATION

发明人： 鳥成剛 ,  TORINARI, TSUYOSHI ,  清水祐作 ,  SHIMIZU, YUSAKU ,  豐田英志 ,  TOYODA, EIJI

IPC分类号： H01L23/28

CPC分类号： B32B3/30 ,  B32B27/06 ,  B32B27/20 ,  B32B2264/108 ,  B32B2307/538 ,  B32B2307/748 ,  B32B2457/00 ,  B32B2581/00 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/295 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI616996B

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW105133994

申请日：2016-10-21

申请人： 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

发明人： 賴杰隆 ,  LAI, CHIEH-LUNG ,  彭仕良 ,  PENG, SHIH-LIANG ,  李宏元 ,  LI, HUNG-YUAN ,  葉懋華 ,  YEH, MAO-HUA

IPC分类号： H01L23/488 ,  B23K1/005

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511

公开(公告)号：TW201807790A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW105138446

申请日：2016-11-23

申请人： 南亞科技股份有限公司 ,  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION

发明人： 林柏均 ,  LIN, POCHUN

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/562 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： 一種半導體結構包含電子元件與板狀結構。板狀結構包含介電層結構與至少一彈性件。介電層結構具有裝置區與圍繞裝置區的邊緣區，其中電子元件設置在裝置區上，邊緣區具有至少一第一通孔。彈性件設置於第一通孔中。

简体摘要： 一种半导体结构包含电子组件与板状结构。板状结构包含介电层结构与至少一弹性件。介电层结构具有设备区与围绕设备区的边缘区，其中电子组件设置在设备区上，边缘区具有至少一第一通孔。弹性件设置于第一通孔中。