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    半導體裝置之製造方法及半導體裝置
    2.
    发明专利
    半導體裝置之製造方法及半導體裝置 审中-公开
    半导体设备之制造方法及半导体设备

    公开(公告)号：TW201515121A

    公开(公告)日：2015-04-16

    申请号：TW103127900

    申请日：2014-08-14

    Applicant: 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    Inventor： 中村朋陽 ,  NAKAMURA, TOMOAKI ,  塩原利夫 ,  SHIOBARA, TOSHIO ,  秋葉秀樹 ,  AKIBA, HIDEKI ,  関口晋 ,  SEKIGUCHI, SUSUMU

    IPC: H01L21/56

    CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

    Abstract: 本發明之課題為提供一種半導體裝置之製造方法，其係無須進行因應於以往因填料所導致的翹曲對策及密封層形成時的不良元件數目之樹脂填充量的調整，而減少繁雜的步驟，同時能夠製造減低翹曲，且耐熱性、耐濕性優異的半導體裝置。 本發明之解決手段為一種半導體裝置之製造方法，其係具有：於半導體元件非搭載基板上，載置比密封層之形成所需要的量更多量的熱硬化性樹脂之樹脂載置步驟；將第1空腔內從室溫加熱至200℃，將半導體元件搭載基板配置於成形模具之上模具及下模具其中一方的模具，並將半導體元件非搭載基板配置於另一方的模具之配置步驟；將上模具及下模具進行加壓並將多餘的熱硬化性樹脂排出至第1空腔的外部之樹脂排出步驟；以及一邊將上模具及下模具進行加壓一邊使熱硬化性樹脂成形，使半導體元件搭載基板、半導體元件非搭載基板、及密封層一體化之一體化步驟。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题为提供一种半导体设备之制造方法，其系无须进行因应于以往因填料所导致的翘曲对策及密封层形成时的不良组件数目之树脂填充量的调整，而减少繁杂的步骤，同时能够制造减低翘曲，且耐热性、耐湿性优异的半导体设备。 本发明之解决手段为一种半导体设备之制造方法，其系具有：于半导体组件非搭载基板上，载置比密封层之形成所需要的量更多量的热硬化性树脂之树脂载置步骤；将第1空腔内从室温加热至200℃，将半导体组件搭载基板配置于成形模具之上模具及下模具其中一方的模具，并将半导体组件非搭载基板配置于另一方的模具之配置步骤；将上模具及下模具进行加压并将多余的热硬化性树脂排出至第1空腔的外部之树脂排出步骤；以及一边将上模具及下模具进行加压一边使热硬化性树脂成形，使半导体组件搭载基板、半导体组件非搭载基板、及密封层一体化之一体化步骤。

    半導體裝置之製造方法及半導體裝置
    4.
    发明专利
    半導體裝置之製造方法及半導體裝置 审中-公开
    半导体设备之制造方法及半导体设备

    公开(公告)号：TW201630120A

    公开(公告)日：2016-08-16

    申请号：TW104137735

    申请日：2015-11-16

    Applicant: 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    Inventor： 中村朋陽 ,  NAKAMURA, TOMOAKI ,  秋葉秀樹 ,  AKIBA, HIDEKI ,  塩原利夫 ,  SHIOBARA, TOSHIO

    IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00

    CPC classification number: H01L23/562 ,  C08G73/128 ,  C09D161/06 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  C08K7/20 ,  C08L63/00

    Abstract: 本發明課題在於提供一種在密封大面積‧薄型之基板時亦能抑制翹曲，可充分地進行經覆晶封裝之半導體元件的底部填充，且無密封層之空隙或未填充，可獲得耐熱、耐濕可靠性等密封性能優良之半導體裝置的半導體裝置之製造方法。 解決手段為一種半導體裝置之製造方法，其係包含使用具有基材與形成於該基材之其中一表面之熱硬化性樹脂層的附有基材之密封材，將藉由覆晶封裝而搭載半導體元件的半導體元件搭載基板的元件搭載面一體密封之密封步驟的半導體裝置之製造方法，前述密封步驟係包含在真空度10kPa以下的減壓條件下，將前述半導體元件搭載基板與前述附有基材之密封材一體化的一體化階段、及對前述一體化之基板以0.2MPa以上的壓力加壓的加壓階段。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明课题在于提供一种在密封大面积‧薄型之基板时亦能抑制翘曲，可充分地进行经覆晶封装之半导体组件的底部填充，且无密封层之空隙或未填充，可获得耐热、耐湿可靠性等密封性能优良之半导体设备的半导体设备之制造方法。 解决手段为一种半导体设备之制造方法，其系包含使用具有基材与形成于该基材之其中一表面之热硬化性树脂层的附有基材之密封材，将借由覆晶封装而搭载半导体组件的半导体组件搭载基板的组件搭载面一体密封之密封步骤的半导体设备之制造方法，前述密封步骤系包含在真空度10kPa以下的减压条件下，将前述半导体组件搭载基板与前述附有基材之密封材一体化的一体化阶段、及对前述一体化之基板以0.2MPa以上的压力加压的加压阶段。

    真空層壓裝置及半導體裝置的製造方法
    5.
    发明专利
    真空層壓裝置及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    真空层压设备及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW201533831A

    公开(公告)日：2015-09-01

    申请号：TW104105642

    申请日：2015-02-17

    Applicant: 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    Inventor： 秋葉秀樹 ,  AKIBA, HIDEKI ,  中村朋陽 ,  NAKAMURA, TOMOAKI ,  鹽原利夫 ,  SHIOBARA, TOSHIO

    IPC: H01L21/67 ,  H01L23/28

    CPC classification number: B32B37/1018 ,  B32B37/0015 ,  B32B37/0046 ,  B32B37/24 ,  B32B2363/00 ,  B32B2398/10 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/78 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

    Abstract: 本發明提供一種真空層壓裝置，在製造半導體裝置時使用，其特徵在於：具備框架結構，其圍繞附帶支撐基材之密封材料的至少側面，該附帶支撐基材之密封材料是在支撐基材上積層熱硬化性樹脂層作為密封材料而成，前述框架結構具有保持手段，該保持手段保持搭載有半導體元件之基板或形成有半導體元件之晶圓，並使搭載有半導體元件之基板或形成有半導體元件之晶圓隔著空間地與前述附帶支撐基材之密封材料的熱硬化性樹脂層相對向，前述裝置將被前述框架結構圍繞的前述附帶支撐基材之密封材料與前述基板或晶圓一起進行真空層壓。藉此，尤其是即便在使用大面積的基板(或晶圓)的情況下，也會抑制樹脂層內的孔隙的發生和基板(或晶圓)的翹曲，並且能夠以低成本來製造一種精度良好地成型有樹脂層的半導體裝置。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种真空层压设备，在制造半导体设备时使用，其特征在于：具备框架结构，其围绕附带支撑基材之密封材料的至少侧面，该附带支撑基材之密封材料是在支撑基材上积层热硬化性树脂层作为密封材料而成，前述框架结构具有保持手段，该保持手段保持搭载有半导体组件之基板或形成有半导体组件之晶圆，并使搭载有半导体组件之基板或形成有半导体组件之晶圆隔着空间地与前述附带支撑基材之密封材料的热硬化性树脂层相对向，前述设备将被前述框架结构围绕的前述附带支撑基材之密封材料与前述基板或晶圆一起进行真空层压。借此，尤其是即便在使用大面积的基板(或晶圆)的情况下，也会抑制树脂层内的孔隙的发生和基板(或晶圆)的翘曲，并且能够以低成本来制造一种精度良好地成型有树脂层的半导体设备。

    半導體封止用之附有基材之封止材、半導體裝置以及半導體裝置之製造方法
    7.
    发明专利
    半導體封止用之附有基材之封止材、半導體裝置以及半導體裝置之製造方法 审中-公开
    半导体封止用之附有基材之封止材、半导体设备以及半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201807760A

    公开(公告)日：2018-03-01

    申请号：TW106115348

    申请日：2017-05-09

    Applicant: 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    Inventor： 中村朋陽 ,  NAKAMURA, TOMOAKI ,  秋葉秀樹 ,  AKIBA, HIDEKI ,  塩原利夫 ,  SHIOBARA, TOSHIO

    IPC: H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

    CPC classification number: H01L23/295 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/562 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/3511

    Abstract: 本發明課題在於提供一種在封止大面積之封裝體時，也能抑制封裝體之翹曲的半導體封止用之附有基材之封止材。解決手段為一種半導體封止用之附有基材之封止材，其係用來一體封止配載有半導體元件的半導體元件配載基板的元件配載面，或形成有半導體元件的半導體元件形成晶圓的元件形成面的半導體封止用之附有基材之封止材，其中該半導體封止用之附有基材之封止材係具有基材，與形成於該基材之其中一表面之包含未硬化或半硬化之熱硬化性樹脂成分的封止樹脂層，藉由該半導體封止用之附有基材之封止材所封止之前述半導體元件的線膨脹係數α1、前述封止樹脂層之硬化物的線膨脹係數α2，及前述基材的線膨脹係數α3係同時滿足下述式(1)及(2)：α1

    Abstract in simplified Chinese: 本发明课题在于提供一种在封止大面积之封装体时，也能抑制封装体之翘曲的半导体封止用之附有基材之封止材。解决手段为一种半导体封止用之附有基材之封止材，其系用来一体封止配载有半导体组件的半导体组件配载基板的组件配载面，或形成有半导体组件的半导体组件形成晶圆的组件形成面的半导体封止用之附有基材之封止材，其中该半导体封止用之附有基材之封止材系具有基材，与形成于该基材之其中一表面之包含未硬化或半硬化之热硬化性树脂成分的封止树脂层，借由该半导体封止用之附有基材之封止材所封止之前述半导体组件的线膨胀系数α1、前述封止树脂层之硬化物的线膨胀系数α2，及前述基材的线膨胀系数α3系同时满足下述式(1)及(2)：α1<α3<α2 (1) -2<α1+α2-2α3<2 (2)(惟，线膨胀系数的单位为ppm/K)。

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