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公开(公告)号:TWI693199B
公开(公告)日:2020-05-11
申请号:TW106107596
申请日:2017-03-08
发明人: 石洋行 , ISHITSUKA, YOKO , 渡部厚 , WATABE, ATSUSHI , 原田大実 , HARADA, DAIJITSU , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI
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公开(公告)号:TWI693198B
公开(公告)日:2020-05-11
申请号:TW105118242
申请日:2016-06-08
发明人: 八木寿 , YAGI, HISASHI , 原田大実 , HARADA, DAIJITSU , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI , 代田和雄 , SHIROTA, KAZUO , 青木一彦 , AOKI, KAZUHIKO
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公开(公告)号:TWI647185B
公开(公告)日:2019-01-11
申请号:TW104101668
申请日:2015-01-19
发明人: 松井晴信 , MATSUI, HARUNOBU , 原田大実 , HARADA, DAIJITSU , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI
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公开(公告)号:TW201840489A
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:TW107103162
申请日:2018-01-30
发明人: 松井晴信 , MATSUI, HARUNOBU , 原田大実 , HARADA, DAIJITSU , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI
摘要: 本發明解決手段為製造合成石英玻璃被覆蓋用基材,再者,藉由在金屬膜或金屬化合物膜之上,形成金屬系接著層,而製造合成石英玻璃被覆蓋,其中該石英玻璃被覆蓋用基材係在合成石英玻璃基板之表面上,具有金屬膜或金屬化合物膜,金屬膜或金屬化合物膜包含銀及鉍,進一步包含選自由磷、銻、錫及銦所成之群組的1個以上之元素。 效果為依照本發明,可提供合成石英玻璃被覆蓋及作為其基材的合成石英玻璃被覆蓋用基材,該石英玻璃被覆蓋係即使與收容紫外線區域等短波長區域的光學元件之收容構件接著時,也能長期間安定地維持接著狀態,再者可得到即使於施加應力的環境下,也不破壞接著部,可長期間安定地使用之光學元件封裝。
简体摘要: 本发明解决手段为制造合成石英玻璃被覆盖用基材,再者,借由在金属膜或金属化合物膜之上,形成金属系接着层,而制造合成石英玻璃被覆盖,其中该石英玻璃被覆盖用基材系在合成石英玻璃基板之表面上,具有金属膜或金属化合物膜,金属膜或金属化合物膜包含银及铋,进一步包含选自由磷、锑、锡及铟所成之群组的1个以上之元素。 效果为依照本发明,可提供合成石英玻璃被覆盖及作为其基材的合成石英玻璃被覆盖用基材,该石英玻璃被覆盖系即使与收容紫外线区域等短波长区域的光学组件之收容构件接着时,也能长期间安定地维持接着状态,再者可得到即使于施加应力的环境下,也不破坏接着部,可长期间安定地使用之光学组件封装。
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公开(公告)号:TW201339096A
公开(公告)日:2013-10-01
申请号:TW101148072
申请日:2012-12-18
发明人: 松井晴信 , MATSUI, HARUNOBU , 原田大実 , HARADA, DAIJITSU , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI
IPC分类号: C01F17/00
CPC分类号: C09K3/1409 , C01F17/0043 , C09G1/02
摘要: 本發明之解決手段是一種氧化鈰之回收方法,其係從以研磨玻璃基板所產生之氧化鈰為主成分的廢研磨材料中回收氧化鈰之回收方法,其特徵為包含:(i)添加鹼性物質的水溶液之步驟,(ii)添加沉降劑,生成以氧化鈰為主成分之沉澱物後,去除上澄液之步驟,(iii)將酸性物質的溶液添加於所得之沉澱物,使前述沉澱物成為弱酸性~中性之步驟,(iv)使用有機溶劑來洗淨所得之沉澱物之步驟,以及(v)使沉澱物乾燥並粉碎之步驟。本發明之效果如下:根據本發明,係可將能夠使用在以光罩、倍縮光罩為首之最先進半導體用途之合成石英玻璃基板的研磨加工,且雜質少之以氧化鈰為主成分之研磨材料予以回收再生,並且有益於抑制珍貴稀土之鈰的供給不穩定。
简体摘要: 本发明之解决手段是一种氧化铈之回收方法,其系从以研磨玻璃基板所产生之氧化铈为主成分的废研磨材料中回收氧化铈之回收方法,其特征为包含:(i)添加碱性物质的水溶液之步骤,(ii)添加沉降剂,生成以氧化铈为主成分之沉淀物后,去除上澄液之步骤,(iii)将酸性物质的溶液添加于所得之沉淀物,使前述沉淀物成为弱酸性~中性之步骤,(iv)使用有机溶剂来洗净所得之沉淀物之步骤,以及(v)使沉淀物干燥并粉碎之步骤。本发明之效果如下:根据本发明,系可将能够使用在以光罩、倍缩光罩为首之最雪铁龙半导体用途之合成石英玻璃基板的研磨加工,且杂质少之以氧化铈为主成分之研磨材料予以回收再生,并且有益于抑制珍贵稀土之铈的供给不稳定。
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公开(公告)号:TW201706075A
公开(公告)日:2017-02-16
申请号:TW105114739
申请日:2016-05-12
发明人: 松井晴信 , MATSUI, HARUNOBU , 原田大実 , HARADA, DAIJITSU , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI
摘要: 一種在基板尤其是合成石英玻璃基板之加工中,可抑制可能成為致命缺陷之基板表面缺陷,且不使用昂貴裝置或高精度壓盤,使用既有設備即可減低加工中之不良率,且可提高良率之基板之製造方法。 一種基板之製造方法,其包含如下步驟:將基板保持於設於下壓盤上之載具上形成之工件孔中,以對該基板表面塗佈衝擊吸收液之狀態邊旋轉下壓盤邊將上壓盤盤壓於上述基板表面,其次邊於上述基板表面添加研磨漿料邊使上下壓盤旋轉而研磨加工上述基板。
简体摘要: 一种在基板尤其是合成石英玻璃基板之加工中,可抑制可能成为致命缺陷之基板表面缺陷,且不使用昂贵设备或高精度压盘,使用既有设备即可减低加工中之不良率,且可提高良率之基板之制造方法。 一种基板之制造方法,其包含如下步骤:将基板保持于设于下压盘上之载具上形成之工件孔中,以对该基板表面涂布冲击吸收液之状态边旋转下压盘边将上压盘盘压于上述基板表面,其次边于上述基板表面添加研磨浆料边使上下压盘旋转而研磨加工上述基板。
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公开(公告)号:TW201602024A
公开(公告)日:2016-01-16
申请号:TW104105663
申请日:2015-02-17
发明人: 八木寿 , YAGI, HISASHI , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI , 原田大実 , HARADA, DAIJITSU
CPC分类号: C03B25/02 , C03B19/1453 , C03B32/00 , C03B2201/23
摘要: 本發明的解決手段係一種合成石英玻璃之熱處理方法,其係包含:將OH基濃度之最大值與最小值的差(△OH)未達350ppm之合成石英玻璃於1150~1060℃保持一定時間之第1熱處理步驟、以一定速度冷卻至第2熱處理溫度之冷卻步驟、於1030~950℃保持一定時間之第2熱處理步驟、與以-25~-85℃/hr之速度徐冷之步驟之合成石英玻璃之熱處理方法,其中前述第2熱處理步驟時間為5小時以上。 本發明之效果係,依照本發明,藉由進行2階段之熱處理,可於受雷射照射之有效範圍內得到適合的低雙折射率之合成石英玻璃作為ArF準分子雷射用光學構件。
简体摘要: 本发明的解决手段系一种合成石英玻璃之热处理方法,其系包含:将OH基浓度之最大值与最小值的差(△OH)未达350ppm之合成石英玻璃于1150~1060℃保持一定时间之第1热处理步骤、以一定速度冷却至第2热处理温度之冷却步骤、于1030~950℃保持一定时间之第2热处理步骤、与以-25~-85℃/hr之速度徐冷之步骤之合成石英玻璃之热处理方法,其中前述第2热处理步骤时间为5小时以上。 本发明之效果系,依照本发明,借由进行2阶段之热处理,可于受激光照射之有效范围内得到适合的低双折射率之合成石英玻璃作为ArF准分子激光用光学构件。
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公开(公告)号:TWI497196B
公开(公告)日:2015-08-21
申请号:TW099143229
申请日:2010-12-10
发明人: 原田大實 , HARADA, DAIJITSU , 森川護 , MORIKAWA, MAMORU , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI , 柴野由紀夫 , SHIBANO, YUKIO
IPC分类号: G03F1/60 , H01L21/027
CPC分类号: G03F1/60 , G03F1/14 , Y10T428/24488
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公开(公告)号:TWI495714B
公开(公告)日:2015-08-11
申请号:TW100126181
申请日:2011-07-25
发明人: 松井晴信 , MATSUI, HARUNOBU , 原田大實 , HARADA, DAIJITSU , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI
CPC分类号: B24B1/00 , B24B37/044 , C03C19/00 , C09G1/02
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公开(公告)号:TWI428264B
公开(公告)日:2014-03-01
申请号:TW097128805
申请日:2008-07-30
发明人: 森川護 , MORIKAWA, MAMORU , 原田大實 , HARADA, DAIJITSU , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI
CPC分类号: H01L21/67359 , H01L21/67393 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1314
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