公开(公告)号：TW201735184A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW106101373

申请日：2017-01-16

申请人： 創世舫電子有限公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 紐菲爾德 卡爾喬瑟夫 ,  NEUFELD, CARL JOSEPH ,  伍墨 ,  WU, MO ,  吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE ,  米喜拉 鄔梅西 ,  MISHRA, UMESH ,  劉翔 ,  LIU, XIANG ,  羅狄絲 大衛麥可 ,  RHODES, DAVID MICHAEL ,  葛瑞特斯 約翰克里克 ,  GRITTERS, JOHN KIRK ,  萊爾 拉克許K ,  LAL, RAKESH K.

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7831

摘要： 一種電晶體，其包括：III-N通道層；III-N阻障層，其在該III-N通道層上；源極接點及汲極接點，該源極接點及該汲極接點電氣耦合至該III-N通道層；絕緣體層，其在該III-N阻障層上；閘極絕緣體，其部分地在該絕緣體層上且部分地在該III-N通道層上，該閘極絕緣體包括一非晶形Al1-xSixO層，其中0.2 ＜ x ＜ 0.8；以及閘電極，其在該閘極絕緣體之上，該閘電極定位在該源極接點與該汲極接點之間。

简体摘要： 一种晶体管，其包括：III-N信道层；III-N阻障层，其在该III-N信道层上；源极接点及汲极接点，该源极接点及该汲极接点电气耦合至该III-N信道层；绝缘体层，其在该III-N阻障层上；闸极绝缘体，其部分地在该绝缘体层上且部分地在该III-N信道层上，该闸极绝缘体包括一非晶形Al1-xSixO层，其中0.2 ＜ x ＜ 0.8；以及闸电极，其在该闸极绝缘体之上，该闸电极定位在该源极接点与该汲极接点之间。