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公开(公告)号：TW201735184A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106101373
申请日：2017-01-16
申请人： 創世舫電子有限公司 , TRANSPHORM INC.
发明人： 紐菲爾德 卡爾喬瑟夫 , NEUFELD, CARL JOSEPH , 伍墨 , WU, MO , 吉川俊英 , KIKKAWA, TOSHIHIDE , 米喜拉 鄔梅西 , MISHRA, UMESH , 劉翔 , LIU, XIANG , 羅狄絲 大衛麥可 , RHODES, DAVID MICHAEL , 葛瑞特斯 約翰克里克 , GRITTERS, JOHN KIRK , 萊爾 拉克許K , LAL, RAKESH K.
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/517 , H01L29/7787 , H01L29/7831
摘要： 一種電晶體，其包括：III-N通道層；III-N阻障層，其在該III-N通道層上；源極接點及汲極接點，該源極接點及該汲極接點電氣耦合至該III-N通道層；絕緣體層，其在該III-N阻障層上；閘極絕緣體，其部分地在該絕緣體層上且部分地在該III-N通道層上，該閘極絕緣體包括一非晶形Al1-xSixO層，其中0.2 ＜ x ＜ 0.8；以及閘電極，其在該閘極絕緣體之上，該閘電極定位在該源極接點與該汲極接點之間。
简体摘要： 一种晶体管，其包括：III-N信道层；III-N阻障层，其在该III-N信道层上；源极接点及汲极接点，该源极接点及该汲极接点电气耦合至该III-N信道层；绝缘体层，其在该III-N阻障层上；闸极绝缘体，其部分地在该绝缘体层上且部分地在该III-N信道层上，该闸极绝缘体包括一非晶形Al1-xSixO层，其中0.2 ＜ x ＜ 0.8；以及闸电极，其在该闸极绝缘体之上，该闸电极定位在该源极接点与该汲极接点之间。
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公开(公告)号：TW201806165A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106117881
申请日：2017-05-31
申请人： 創世舫電子有限公司 , TRANSPHORM INC.
发明人： 米喜拉 鄔梅西 , MISHRA, UMESH , 萊爾 拉克許K , LAL, RAKESH K. , 古普塔 基泰克 , GUPTA, GEETAK , 紐菲爾德 卡爾喬瑟夫 , NEUFELD, CARL JOSEPH , 羅狄絲 大衛 , RHODES, DAVID
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/872 , H01L29/205
CPC分类号： H01L29/0688 , H01L23/49562 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/408 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/66462 , H01L29/7785 , H01L29/7786 , H01L29/872
摘要： III-N裝置包括：III-N層結構，III-N層結構包括III-N通道層、III-N通道層上的III-N阻隔層、及III-N阻隔層上的漸變III-N層，漸變III-N層具有與III-N阻隔層相鄰的第一側以及與第一側相反的第二側；第一功率電極與第二功率電極；以及第一與第二功率電極之間的閘極，閘極係在III-N層結構上。將漸變III-N層的組成物漸變，而使得與第一側相鄰的漸變III-N層的帶隙大於與第二側相鄰的漸變III-N層的帶隙。漸變III-N層的區域係（i）在閘極與第二功率電極之間，以及（ii）與第一功率電極電連接，並與第二功率電極電隔離。
简体摘要： III-N设备包括：III-N层结构，III-N层结构包括III-N信道层、III-N信道层上的III-N阻隔层、及III-N阻隔层上的渐变III-N层，渐变III-N层具有与III-N阻隔层相邻的第一侧以及与第一侧相反的第二侧；第一功率电极与第二功率电极；以及第一与第二功率电极之间的闸极，闸极系在III-N层结构上。将渐变III-N层的组成物渐变，而使得与第一侧相邻的渐变III-N层的带隙大于与第二侧相邻的渐变III-N层的带隙。渐变III-N层的区域系（i）在闸极与第二功率电极之间，以及（ii）与第一功率电极电连接，并与第二功率电极电隔离。
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