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    半導體元件
    1.
    发明专利
    半導體元件 审中-公开
    半导体组件

    公开(公告)号：TW201810667A

    公开(公告)日：2018-03-16

    申请号：TW105128279

    申请日：2016-09-01

    申请人： 力晶科技股份有限公司 ,  POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION

    发明人： 車行遠 ,  CHE, SHYNG-YEUAN ,  李芃葳 ,  LEE, PENG-WEI ,  彭康鈞 ,  PENG, KANG-JUN

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    摘要： 本發明提供一種半導體元件，其包括一基底、二摻雜區、一閘極以及一側壁子。基底包括一主動區，且摻雜區設置於基底之主動區內。閘極設置於基底表面並位於主動區內，在平行於基底表面之第一方向上，閘極位於兩摻雜區之間，且閘極內包括複數個開孔。一部分之側壁子覆蓋閘極之側壁，而另一部分之側壁子填入閘極之開孔中。

    简体摘要： 本发明提供一种半导体组件，其包括一基底、二掺杂区、一闸极以及一侧壁子。基底包括一主动区，且掺杂区设置于基底之主动区内。闸极设置于基底表面并位于主动区内，在平行于基底表面之第一方向上，闸极位于两掺杂区之间，且闸极内包括复数个开孔。一部分之侧壁子覆盖闸极之侧壁，而另一部分之侧壁子填入闸极之开孔中。

    半導體元件及其製造方法
    3.
    发明专利
    半導體元件及其製造方法 审中-公开
    半导体组件及其制造方法

    公开(公告)号：TW201714221A

    公开(公告)日：2017-04-16

    申请号：TW104133813

    申请日：2015-10-15

    申请人： 力晶科技股份有限公司 30078 新竹科學工業園區力行一路12號 ,  POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION

    发明人： 彭康鈞 ,  PENG, KANG-JUN ,  車行遠 ,  CHE, SHYNG-YEUAN ,  李芃葳 ,  LEE, PENG-WEI

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/772

    摘要： 一種半導體元件及其製造方法，其製造方法包括下列步驟。提供基底。形成閘介電層以覆蓋部分基底。形成閘極位於閘介電層上。對部分閘極進行第一摻雜製程以在閘極形成多個閘極摻雜區和至少一個閘極未摻雜區，至少一個閘極未摻雜區位於閘極摻雜區之間且至少一個閘極未摻雜區的寬度總合為第一寬度。形成介電層以覆蓋閘極的頂表面和側壁。對基底進行第二摻雜製程以形成源極區和汲極區，其中源極區和汲極區之間的最短距離為第二寬度。

    简体摘要： 一种半导体组件及其制造方法，其制造方法包括下列步骤。提供基底。形成闸介电层以覆盖部分基底。形成闸极位于闸介电层上。对部分闸极进行第一掺杂制程以在闸极形成多个闸极掺杂区和至少一个闸极未掺杂区，至少一个闸极未掺杂区位于闸极掺杂区之间且至少一个闸极未掺杂区的宽度总合为第一宽度。形成介电层以覆盖闸极的顶表面和侧壁。对基底进行第二掺杂制程以形成源极区和汲极区，其中源极区和汲极区之间的最短距离为第二宽度。