半導體裝置
    7.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号:TW201719908A

    公开(公告)日:2017-06-01

    申请号:TW106101018

    申请日:2010-11-30

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L29/45

    Abstract: 本發明之目的係提供高度可靠的電晶體及包括該電晶體的半導體裝置。提供一種半導體裝置,包括閘極電極;在該閘極電極上方的閘極絕緣膜;在該閘極絕緣膜上方的氧化物半導體膜;以及在該氧化物半導體膜上方的源極電極及汲極電極,其中當大於或等於臨界電壓的電壓施加至該閘極電極時,從在該源極電極及該閘極電極之間流動的電流(導通狀態電流)之溫度相依性得到的該氧化物半導體膜之活化能大於或等於0meV且少於或等於25meV。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的系提供高度可靠的晶体管及包括该晶体管的半导体设备。提供一种半导体设备,包括闸极电极;在该闸极电极上方的闸极绝缘膜;在该闸极绝缘膜上方的氧化物半导体膜;以及在该氧化物半导体膜上方的源极电极及汲极电极,其中当大于或等于临界电压的电压施加至该闸极电极时,从在该源极电极及该闸极电极之间流动的电流(导通状态电流)之温度相依性得到的该氧化物半导体膜之活化能大于或等于0meV且少于或等于25meV。

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