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公开(公告)号：TWI683469B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW104134864
申请日：2015-10-23
Inventor： 川上貴洋 , KAWAKAMI, TAKAHIRO , 落合輝明 , OCHIAI, TERUAKI , 吉富修平 , YOSHITOMI, SHUHEI , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 元吉真子 , MOTOYOSHI, MAKO , 門馬洋平 , MOMMA, YOHEI , 後藤準也 , GOTO, JUNYA
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/1391
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公开(公告)号：TWI649918B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW103140993
申请日：2014-11-26
Inventor： 川上貴洋 , KAWAKAMI, TAKAHIRO , 三上真弓 , MIKAMI, MAYUMI , 足立駿介 , ADACHI, SHUNSUKE , 吉富修平 , YOSHITOMI, SHUHEI , 落合輝明 , OCHIAI, TERUAKI , 米田祐美子 , YONEDA, YUMIKO , 門馬洋平 , MOMMA, YOHEI , 瀬尾哲史 , SEO, SATOSHI
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/131 , H01M10/052
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公开(公告)号：TW201626623A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104134864
申请日：2015-10-23
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 川上貴洋 , KAWAKAMI, TAKAHIRO , 落合輝明 , OCHIAI, TERUAKI , 吉富修平 , YOSHITOMI, SHUHEI , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 元吉真子 , MOTOYOSHI, MAKO , 門馬洋平 , MOMMA, YOHEI , 後藤準也 , GOTO, JUNYA
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/1391
CPC classification number: H01M4/505 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/366 , H01M2220/30
Abstract: 本發明的一個實施方式的目的之一是提高蓄電裝置的每重量的容量。本發明的一個實施方式是一種粒子，該粒子具有第一區域、與第一區域的表面的至少一部分接觸並位於第一區域的外側的第二區域、以及與第二區域的表面的至少一部分接觸並位於第二區域的外側的第三區域，第一區域及第二區域包含鋰和氧，第一區域和第二區域中的至少一個包含錳，第一區域和第二區域中的至少一個包含元素M，第一區域含有具有層狀岩鹽型結構的第一結晶，第二區域含有具有尖晶石型結構的第二結晶，第一結晶的配向和第二結晶的配向不同。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的之一是提高蓄电设备的每重量的容量。本发明的一个实施方式是一种粒子，该粒子具有第一区域、与第一区域的表面的至少一部分接触并位于第一区域的外侧的第二区域、以及与第二区域的表面的至少一部分接触并位于第二区域的外侧的第三区域，第一区域及第二区域包含锂和氧，第一区域和第二区域中的至少一个包含锰，第一区域和第二区域中的至少一个包含元素M，第一区域含有具有层状岩盐型结构的第一结晶，第二区域含有具有尖晶石型结构的第二结晶，第一结晶的配向和第二结晶的配向不同。
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公开(公告)号：TWI525835B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW100121823
申请日：2011-06-22
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 井上卓之 , INOUE, TAKAYUKI , 平石鈴之介 , HIRAISHI, SUZUNOSUKE , 菊地彫 , KIKUCHI, ERUMU , 鄉戶宏充 , GODO, HIROMICHI , 吉富修平 , YOSHITOMI, SHUHEI , 井上弘毅 , INOUE, KOKI , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/408
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公开(公告)号：TW202027328A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW109106951
申请日：2015-04-30
Inventor： 川上貴洋 , KAWAKAMI, TAKAHIRO , 池沼達也 , IKENUMA, TATSUYA , 落合輝明 , OCHIAI, TERUAKI , 吉富修平 , YOSHITOMI, SHUHEI , 元吉真子 , MOTOYOSHI, MAKO , 三宅裕之 , MIYAKE, HIROYUKI , 門馬洋平 , MOMMA, YOHEI , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 瀬尾哲史 , SEO, SATOSHI
IPC: H01M10/0525 , H01M4/1393 , H01M4/583 , H01M4/50 , H01M4/52
Abstract: 本發明提供一種容量大的鋰離子二次電池。另外，本發明提供一種循環特性得到提高的鋰離子二次電池。本發明的一實施方式是一種活性材料，包括具有劈開面的粒子、覆蓋劈開面的至少一部分的包含碳的層，其中，具有劈開面的粒子包含鋰、錳、鎳和氧。包含碳的層較佳為石墨烯。藉由將作為活性材料包含劈開面的至少一部分被包含碳的層覆蓋的粒子的電極用於鋰離子二次電池，可以實現放電容量的增大和循環特性的提高。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种容量大的锂离子二次电池。另外，本发明提供一种循环特性得到提高的锂离子二次电池。本发明的一实施方式是一种活性材料，包括具有噼开面的粒子、覆盖噼开面的至少一部分的包含碳的层，其中，具有噼开面的粒子包含锂、锰、镍和氧。包含碳的层较佳为石墨烯。借由将作为活性材料包含噼开面的至少一部分被包含碳的层覆盖的粒子的电极用于锂离子二次电池，可以实现放电容量的增大和循环特性的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201907609A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107138826
申请日：2014-10-01
Inventor： 池沼達也 , IKENUMA, TATSUYA , 吉富修平 , YOSHITOMI, SHUHEI , 川上貴洋 , KAWAKAMI, TAKAHIRO , 米田祐美子 , YONEDA, YUMIKO , 門馬洋平 , MOMMA, YOHEI
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/36 , H01M10/052 , H01M4/131
Abstract: 本發明的目的是增大能夠嵌入正極活性物質或從正極活性物質脫嵌的鋰離子的體積密度或重量密度；增大二次電池的容量；並且實現高能量密度。為了實現上述目的，將一種以LixMnyMzOw表示的鋰錳複合氧化物用於正極活性物質，該鋰錳複合氧化物包括屬於空間群C2/c的區域且被包含碳的層覆蓋。元素M是鋰、錳以外的元素。該鋰錳複合氧化物在結構的穩定性上優異，並且具有良好的容量特性。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的是增大能够嵌入正极活性物质或从正极活性物质脱嵌的锂离子的体积密度或重量密度；增大二次电池的容量；并且实现高能量密度。为了实现上述目的，将一种以LixMnyMzOw表示的锂锰复合氧化物用于正极活性物质，该锂锰复合氧化物包括属于空间群C2/c的区域且被包含碳的层覆盖。元素M是锂、锰以外的元素。该锂锰复合氧化物在结构的稳定性上优异，并且具有良好的容量特性。
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公开(公告)号：TWI629822B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW103123639
申请日：2014-07-09
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 川上貴洋 , KAWAKAMI, TAKAHIRO , 吉富修平 , YOSHITOMI, SHUHEI , 落合輝明 , OCHIAI, TERUAKI , 齋藤祐美子 , SAITO, YUMIKO , 門馬洋平 , MOMMA, YOHEI , 瀬尾哲史 , SEO, SATOSHI
IPC: H01M4/505 , H01M4/131 , H01M10/052
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公开(公告)号：TW201727752A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106108757
申请日：2010-08-31
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 吉富修平 , YOSHITOMI, SHUHEI , 辻隆博 , TUJI, TAKAHIRO , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 戶松浩之 , TOMATSU, HIROYUKI , 早川昌彥 , HAYAKAWA, MASAHIKO
IPC: H01L21/324 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1262 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02595 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 發明之目的在於提供包含氧化物半導體膜之薄膜電晶體的結構之製造方法，其中，形成通道的臨界電壓為正的且儘可能接近0V。形成保護絕緣層以覆蓋包含藉由第一熱處理來予以脫水或脫氫的氧化物半導電層的薄膜電晶體，並且，以低於第一熱處理的溫度之溫度，執行溫度升上及下降重複多次的第二熱處理，因而可以製造包含氧化物半導電層的薄膜電晶體，其中，形成通道的臨界電壓是正的且儘可能接近0V，但不會視通道長度而定。
Abstract in simplified Chinese: 发明之目的在于提供包含氧化物半导体膜之薄膜晶体管的结构之制造方法，其中，形成信道的临界电压为正的且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包含借由第一热处理来予以脱水或脱氢的氧化物半导电层的薄膜晶体管，并且，以低于第一热处理的温度之温度，运行温度升上及下降重复多次的第二热处理，因而可以制造包含氧化物半导电层的薄膜晶体管，其中，形成信道的临界电压是正的且尽可能接近0V，但不会视信道长度而定。
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公开(公告)号：TW201834074A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107118544
申请日：2010-08-31
Inventor： 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 吉富修平 , YOSHITOMI, SHUHEI , 辻隆博 , TUJI, TAKAHIRO , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 戶松浩之 , TOMATSU, HIROYUKI , 早川昌彥 , HAYAKAWA, MASAHIKO
IPC: H01L21/324 , H01L21/336
Abstract: 發明之目的在於提供包含氧化物半導體膜之薄膜電晶體的結構之製造方法，其中，形成通道的臨界電壓為正的且儘可能接近0V。形成保護絕緣層以覆蓋包含藉由第一熱處理來予以脫水或脫氫的氧化物半導電層的薄膜電晶體，並且，以低於第一熱處理的溫度之溫度，執行溫度升上及下降重複多次的第二熱處理，因而可以製造包含氧化物半導電層的薄膜電晶體，其中，形成通道的臨界電壓是正的且儘可能接近0V，但不會視通道長度而定。
Abstract in simplified Chinese: 发明之目的在于提供包含氧化物半导体膜之薄膜晶体管的结构之制造方法，其中，形成信道的临界电压为正的且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包含借由第一热处理来予以脱水或脱氢的氧化物半导电层的薄膜晶体管，并且，以低于第一热处理的温度之温度，运行温度升上及下降重复多次的第二热处理，因而可以制造包含氧化物半导电层的薄膜晶体管，其中，形成信道的临界电压是正的且尽可能接近0V，但不会视信道长度而定。
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公开(公告)号：TWI632613B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW106108757
申请日：2010-08-31
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 吉富修平 , YOSHITOMI, SHUHEI , 辻隆博 , TUJI, TAKAHIRO , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 戶松浩之 , TOMATSU, HIROYUKI , 早川昌彥 , HAYAKAWA, MASAHIKO
IPC: H01L21/324 , H01L21/336
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