公开(公告)号：TWI691077B

公开(公告)日：2020-04-11

申请号：TW105109784

申请日：2016-03-29

Applicant: 南韓商三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： 朴秀蕙 ,  PARK, SUEHYE ,  金倫楷 ,  KIM, YOONHAE ,  裵德漢 ,  BAE, DEOKHAN ,  張在蘭 ,  JANG, JAERAN ,  全輝璨 ,  JUN, HWICHAN

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/66

公开(公告)号：TW201843838A

公开(公告)日：2018-12-16

申请号：TW106140660

申请日：2017-11-23

Applicant: 南韓商三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： 全輝璨 ,  JUN, HWI-CHAN ,  申憲宗 ,  SHIN, HEON-JONG ,  張在蘭 ,  JANG, JAE-RAN ,  黃寅燦 ,  HWANG, IN-CHAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 一種積體電路裝置及其製作方法。鰭型主動區在基底上在第一水平方向上延伸。閘極線在鰭型主動區上在與第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸。源極/汲極區在鰭型主動區中位於閘極線的一側。絕緣蓋平行於基底延伸，閘極線及源極/汲極區排列在絕緣蓋與基底之間。源極/汲極觸點垂直地延伸穿過絕緣蓋，源極/汲極觸點具有被絕緣蓋覆蓋的第一側壁及連接到源極/汲極區的端部。鰭隔離絕緣單元垂直地延伸穿過絕緣蓋而延伸到鰭型主動區中。源極/汲極區排列在鰭隔離絕緣單元與閘極線之間。

Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路设备及其制作方法。鳍型主动区在基底上在第一水平方向上延伸。闸极线在鳍型主动区上在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸。源极/汲极区在鳍型主动区中位于闸极线的一侧。绝缘盖平行于基底延伸，闸极线及源极/汲极区排列在绝缘盖与基底之间。源极/汲极触点垂直地延伸穿过绝缘盖，源极/汲极触点具有被绝缘盖覆盖的第一侧壁及连接到源极/汲极区的端部。鳍隔离绝缘单元垂直地延伸穿过绝缘盖而延伸到鳍型主动区中。源极/汲极区排列在鳍隔离绝缘单元与闸极线之间。

公开(公告)号：TW201709516A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105109784

申请日：2016-03-29

Applicant: 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： 朴秀蕙 ,  PARK, SUEHYE ,  金倫楷 ,  KIM, YOONHAE ,  裵德漢 ,  BAE, DEOKHAN ,  張在蘭 ,  JANG, JAERAN ,  全輝璨 ,  JUN, HWICHAN

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092

Abstract: 本發明描述一種半導體裝置，其包含：基板，其具備主動圖案；跨所述主動圖案延伸的閘電極；分別在所述閘電極之間設置於所述主動圖案的上部部分中的源極/汲極區；以及第一接點及第二接點，所述第一接點及所述第二接點分別設置於所述閘電極之間且電連接至所述源極/汲極區。所述第一接點及所述第二接點是以接點的接點中心線與對應閘極中心線隔開第一距離及第二距離的方式安置。所述第一距離不同於所述第二距離。

Abstract in simplified Chinese: 本发明描述一种半导体设备，其包含：基板，其具备主动图案；跨所述主动图案延伸的闸电极；分别在所述闸电极之间设置于所述主动图案的上部部分中的源极/汲极区；以及第一接点及第二接点，所述第一接点及所述第二接点分别设置于所述闸电极之间且电连接至所述源极/汲极区。所述第一接点及所述第二接点是以接点的接点中心线与对应闸极中心线隔开第一距离及第二距离的方式安置。所述第一距离不同于所述第二距离。