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    包含接觸插塞的半導體元件及其形成方法
    2.
    发明专利
    包含接觸插塞的半導體元件及其形成方法 审中-公开
    包含接触插塞的半导体组件及其形成方法

    公开(公告)号：TW201919171A

    公开(公告)日：2019-05-16

    申请号：TW107118802

    申请日：2018-05-31

    Applicant: 南韓商三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

    Inventor： 郭玟燦 ,  GWAK, MIN CHAN ,  全輝璨 ,  JUN, HWI CHAN ,  申憲宗 ,  SHIN, HEON JONG ,  劉素羅 ,  YOU, SO RA ,  李相炫 ,  LEE, SANG HYUN ,  黃寅燦 ,  HWANG, IN CHAN

    IPC: H01L23/482 ,  H01L21/768

    Abstract: 一種半導體元件包含在基板上彼此間隔開且成直線地平行延伸之多個主動區。閘極電極跨越多個主動區，且對應的汲極區在閘極電極之第一側面上的主動區中之對應一個上及/或主動區中之對應一個中，且對應的源極區在閘極電極之第二側面上的主動區中之對應一個上及/或主動區中之對應一個中。汲極插塞設置於汲極區上且源極插塞設置於源極區上。閘極插塞設置於在汲極插塞與源極插塞之間的閘極電極上，以使得穿過汲極插塞之中心及源極插塞之中心的直線與閘極插塞相交。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包含在基板上彼此间隔开且成直线地平行延伸之多个主动区。闸极电极跨越多个主动区，且对应的汲极区在闸极电极之第一侧面上的主动区中之对应一个上及/或主动区中之对应一个中，且对应的源极区在闸极电极之第二侧面上的主动区中之对应一个上及/或主动区中之对应一个中。汲极插塞设置于汲极区上且源极插塞设置于源极区上。闸极插塞设置于在汲极插塞与源极插塞之间的闸极电极上，以使得穿过汲极插塞之中心及源极插塞之中心的直线与闸极插塞相交。

    積體電路裝置及其製作方法
    5.
    发明专利
    積體電路裝置及其製作方法 审中-公开
    集成电路设备及其制作方法

    公开(公告)号：TW201843838A

    公开(公告)日：2018-12-16

    申请号：TW106140660

    申请日：2017-11-23

    Applicant: 南韓商三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

    Inventor： 全輝璨 ,  JUN, HWI-CHAN ,  申憲宗 ,  SHIN, HEON-JONG ,  張在蘭 ,  JANG, JAE-RAN ,  黃寅燦 ,  HWANG, IN-CHAN

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

    Abstract: 一種積體電路裝置及其製作方法。鰭型主動區在基底上在第一水平方向上延伸。閘極線在鰭型主動區上在與第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸。源極/汲極區在鰭型主動區中位於閘極線的一側。絕緣蓋平行於基底延伸，閘極線及源極/汲極區排列在絕緣蓋與基底之間。源極/汲極觸點垂直地延伸穿過絕緣蓋，源極/汲極觸點具有被絕緣蓋覆蓋的第一側壁及連接到源極/汲極區的端部。鰭隔離絕緣單元垂直地延伸穿過絕緣蓋而延伸到鰭型主動區中。源極/汲極區排列在鰭隔離絕緣單元與閘極線之間。

    Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路设备及其制作方法。鳍型主动区在基底上在第一水平方向上延伸。闸极线在鳍型主动区上在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸。源极/汲极区在鳍型主动区中位于闸极线的一侧。绝缘盖平行于基底延伸，闸极线及源极/汲极区排列在绝缘盖与基底之间。源极/汲极触点垂直地延伸穿过绝缘盖，源极/汲极触点具有被绝缘盖覆盖的第一侧壁及连接到源极/汲极区的端部。鳍隔离绝缘单元垂直地延伸穿过绝缘盖而延伸到鳍型主动区中。源极/汲极区排列在鳍隔离绝缘单元与闸极线之间。

    具有金屬通孔的半導體裝置
    8.
    发明专利
    具有金屬通孔的半導體裝置 审中-公开
    具有金属通孔的半导体设备

    公开(公告)号：TW201904003A

    公开(公告)日：2019-01-16

    申请号：TW107118864

    申请日：2018-06-01

    Applicant: 南韓商三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

    Inventor： 洪瑟氣 ,  HONG, SEUL KI ,  申憲宗 ,  SHIN, HEON JONG ,  全輝璨 ,  JUN, HWI CHAN ,  郭玟燦 ,  GWAK, MIN CHAN

    IPC: H01L23/52 ,  H01L23/528

    Abstract: 一種半導體裝置包括基底，所述基底具有裝置隔離區，所述裝置隔離區界定主動區。主動鰭位於所述主動區中。閘極結構沿與所述基底的上表面正交的方向與所述主動鰭交疊，且在與第一方向相交的第二方向上延伸。源極/汲極區設置在所述主動鰭上。接觸塞連接到所述源極/汲極區且與所述主動鰭交疊。金屬通孔位於所述基底上方的比所述接觸塞的上表面高的第一水平高度且與所述主動鰭間隔開。金屬線位於所述基底上方的比所述第一水平高度高的第二水平高度且連接到所述金屬通孔。通孔連接層從所述接觸塞的上部部分延伸且連接到所述金屬通孔。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包括基底，所述基底具有设备隔离区，所述设备隔离区界定主动区。主动鳍位于所述主动区中。闸极结构沿与所述基底的上表面正交的方向与所述主动鳍交叠，且在与第一方向相交的第二方向上延伸。源极/汲极区设置在所述主动鳍上。接触塞连接到所述源极/汲极区且与所述主动鳍交叠。金属通孔位于所述基底上方的比所述接触塞的上表面高的第一水平高度且与所述主动鳍间隔开。金属线位于所述基底上方的比所述第一水平高度高的第二水平高度且连接到所述金属通孔。通孔连接层从所述接触塞的上部部分延伸且连接到所述金属通孔。

    半導體裝置
    9.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201642442A

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：TW105112200

    申请日：2016-04-20

    Applicant: 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

    Inventor： 金成玟 ,  KIM, SUNGMIN ,  姜智秀 ,  KANG, JISU ,  朴宰賢 ,  PARK, JAEHYUN ,  申憲宗 ,  SHIN, HEONJONG ,  李宥利 ,  LEE, YURI

    IPC: H01L27/105 ,  H01L29/06

    CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/785

    Abstract: 一種半導體裝置包括：第一主動區及第二主動區，安置於半導體基板中並具有彼此面對的側表面；隔離圖案，安置於所述第一主動區與所述第二主動區之間；半導體延伸層，安置於所述第一主動區與所述第二主動區之間；第一源極/汲極半導體層，安置於所述第一主動區上；以及第二源極/汲極半導體層，安置於所述第二主動區上。所述第一主動區與所述第二主動區的面對的所述側表面較所述隔離圖案更靠近所述半導體延伸層。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包括：第一主动区及第二主动区，安置于半导体基板中并具有彼此面对的侧表面；隔离图案，安置于所述第一主动区与所述第二主动区之间；半导体延伸层，安置于所述第一主动区与所述第二主动区之间；第一源极/汲极半导体层，安置于所述第一主动区上；以及第二源极/汲极半导体层，安置于所述第二主动区上。所述第一主动区与所述第二主动区的面对的所述侧表面较所述隔离图案更靠近所述半导体延伸层。

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