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公开(公告)号：TW201343369A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102111064
申请日：2013-03-28
申请人： 可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人： 今野貴文 , KONNO, TAKAFUMI , 砂本辰也 , SUNAMOTO, TATSUYA , 小野寺稔 , ONODERA, MINORU , 松永修始 , MATSUNAGA, SHUJI , 大森一行 , OHMORI, KAZUYUKI
CPC分类号： B29C35/02 , B29C55/005 , B29C55/12 , B29C55/143 , B29D7/01 , B29K2101/00 , B29K2105/0079 , B29L2007/00 , C08J5/18 , C08J2300/20 , C08J2300/22 , C08J2367/04 , C09K19/3809 , C09K2219/03
摘要： 本發明係提供熱塑性液晶聚合物薄膜及其製造方法。前述製造方法係具備：準備步驟：準備於MD方向及TD方向均具有3.25以下之介電係數的熱塑性液晶聚合物薄膜；及拉伸步驟：在比薄膜的熱變形溫度(Td)低60℃之溫度(Td-60℃)~比Td低5℃之溫度(Td-5℃)的範圍內，加熱並拉伸前述薄膜。例如，拉伸步驟的加熱溫度係可在比被拉伸的薄膜的熱變形溫度(Td)低40℃之溫度(Td-40℃)~比Td低10℃之溫度(Td-10℃)的範圍內。
简体摘要： 本发明系提供热塑性液晶聚合物薄膜及其制造方法。前述制造方法系具备：准备步骤：准备于MD方向及TD方向均具有3.25以下之介电系数的热塑性液晶聚合物薄膜；及拉伸步骤：在比薄膜的热变形温度(Td)低60℃之温度(Td-60℃)~比Td低5℃之温度(Td-5℃)的范围内，加热并拉伸前述薄膜。例如，拉伸步骤的加热温度系可在比被拉伸的薄膜的热变形温度(Td)低40℃之温度(Td-40℃)~比Td低10℃之温度(Td-10℃)的范围内。
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公开(公告)号：TW201518353A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103134333
申请日：2014-10-02
申请人： 可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人： 中島崇裕 , NAKASHIMA, TAKAHIRO , 高橋健 , TAKAHASHI, TAKESHI , 小野寺稔 , ONODERA, MINORU
CPC分类号： H05K1/036 , B32B3/04 , B32B7/045 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/08 , B32B27/36 , B32B2307/306 , B32B2307/50 , B32B2457/08 , C08J5/18 , C08J2367/04 , C09K19/3809 , H05K1/0298 , H05K1/0326 , H05K3/4611 , H05K3/4632 , H05K2201/0129 , H05K2201/0141
摘要： 本發明提供一種熱接著性優異之熱塑性液晶聚合物薄膜、電路基板、及其製造方法。該熱塑性液晶聚合物薄膜的分子配向度SOR為0.8~1.4，且含水率為300ppm以下。該電路基板具備複數片選自至少一側的面上形成有導體層之絕緣基板、接合片(bonding sheet)及覆蓋層(coverlay)之至少一種的電路基板材料。該電路基板材料之至少1片，係熱塑性液晶聚合物薄膜。在根據JIS C5012之方法之焊浴290℃的環境下將電路基板靜置60秒的情況，電路基板具有焊接耐熱性。
简体摘要： 本发明提供一种热接着性优异之热塑性液晶聚合物薄膜、电路基板、及其制造方法。该热塑性液晶聚合物薄膜的分子配向度SOR为0.8~1.4，且含水率为300ppm以下。该电路基板具备复数片选自至少一侧的面上形成有导体层之绝缘基板、接合片(bonding sheet)及覆盖层(coverlay)之至少一种的电路基板材料。该电路基板材料之至少1片，系热塑性液晶聚合物薄膜。在根据JIS C5012之方法之焊浴290℃的环境下将电路基板静置60秒的情况，电路基板具有焊接耐热性。
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公开(公告)号：TWI695655B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW104136588
申请日：2015-11-06
申请人： 日商可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人： 高橋健 , TAKAHASHI, TAKESHI , 中島崇裕 , NAKASHIMA, TAKAHIRO , 小野寺稔 , ONODERA, MINORU , 原哲也 , HARA, TETSUYA
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4.发明专利熱塑性液晶聚合物薄膜及使用其之積層體及電路基板、積層體之製造方法、以及熱塑性液晶聚合物薄膜之製造方法 有权热塑性液晶聚合物薄膜及使用其之积层体及电路基板、积层体之制造方法、以及热塑性液晶聚合物薄膜之制造方法
公开(公告)号：TWI616328B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW101140027
申请日：2012-10-30
申请人： 可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人： 小野寺稔 , ONODERA, MINORU , 砂本辰也 , SUNAMOTO, TATSUYA , 松永修始 , MATSUNAGA, SHUJI , 今野貴文 , KONNO, TAKAFUMI
CPC分类号： H05K1/0313 , B32B15/08 , B32B15/09 , B32B15/20 , B32B27/20 , B32B27/286 , B32B27/32 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/182 , B32B2250/42 , B32B2305/55 , B32B2307/202 , B32B2309/02 , B32B2309/105 , B32B2457/00 , C08J5/18 , C08J2300/12 , C08J2367/03 , C09K19/3809 , H05K1/024 , H05K1/032 , H05K1/0326 , H05K3/022 , H05K3/4626 , H05K2201/0141 , H05K2203/068 , Y10T428/31678
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公开(公告)号：TW201702067A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105113024
申请日：2016-04-27
申请人： 可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人： 砂本辰也 , SUNAMOTO, TATSUYA , 中島崇裕 , NAKASHIMA, TAKAHIRO , 高橋健 , TAKAHASHI, TAKESHI , 小野寺稔 , ONODERA, MINORU
摘要： 本發明係關於一種熱塑性液晶聚合物薄膜，其在將該熱塑性液晶聚合物薄膜與導體層熱壓接後，利用以ASTM D882為依據的方法所測量出的薄膜韌性為30MPa以上100MPa以下。
简体摘要： 本发明系关于一种热塑性液晶聚合物薄膜，其在将该热塑性液晶聚合物薄膜与导体层热压接后，利用以ASTM D882为依据的方法所测量出的薄膜韧性为30MPa以上100MPa以下。
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公开(公告)号：TWI644950B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW103134333
申请日：2014-10-02
申请人： 可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人： 中島崇裕 , NAKASHIMA, TAKAHIRO , 高橋健 , TAKAHASHI, TAKESHI , 小野寺稔 , ONODERA, MINORU
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公开(公告)号：TW201800213A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106107322
申请日：2017-03-07
申请人： 可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人： 中島崇裕 , NAKASHIMA, TAKAHIRO , 高橋健 , TAKAHASHI, TAKESHI , 小野寺稔 , ONODERA, MINORU
摘要： 本發明提供一種熱塑性液晶聚合物薄膜與金屬片的覆金屬積層板之製造方法。該製造方法係藉由捲對捲製程製造於熱塑性液晶聚合物薄膜之至少一側表面接合金屬片的覆金屬積層板的方法，其中該金屬片與熱塑性液晶聚合物薄膜接觸之面的十點平均粗糙度(Rz)為5.0μm以下，該方法至少具備：積層板準備步驟，得到將該熱塑性液晶聚合物薄膜與該金屬片接合的積層板；乾燥步驟，針對該積層板，使其通過滿足以下條件(1)及(2)的乾燥區：(1)乾燥步驟的溫度為小於該熱塑性液晶聚合物薄膜之熔點的溫度；(2)乾燥步驟的時間為10秒以上；及熱處理步驟，在該乾燥步驟之後，連續在該熱塑性液晶聚合物薄膜之熔點以上的溫度條件下使其通過加熱區。
简体摘要： 本发明提供一种热塑性液晶聚合物薄膜与金属片的覆金属积层板之制造方法。该制造方法系借由卷对卷制程制造于热塑性液晶聚合物薄膜之至少一侧表面接合金属片的覆金属积层板的方法，其中该金属片与热塑性液晶聚合物薄膜接触之面的十点平均粗糙度(Rz)为5.0μm以下，该方法至少具备：积层板准备步骤，得到将该热塑性液晶聚合物薄膜与该金属片接合的积层板；干燥步骤，针对该积层板，使其通过满足以下条件(1)及(2)的干燥区：(1)干燥步骤的温度为小于该热塑性液晶聚合物薄膜之熔点的温度；(2)干燥步骤的时间为10秒以上；及热处理步骤，在该干燥步骤之后，连续在该热塑性液晶聚合物薄膜之熔点以上的温度条件下使其通过加热区。
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公开(公告)号：TW201628467A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104136588
申请日：2015-11-06
申请人： 可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人： 高橋健 , TAKAHASHI, TAKESHI , 中島崇裕 , NAKASHIMA, TAKAHIRO , 小野寺稔 , ONODERA, MINORU , 原哲也 , HARA, TETSUYA
CPC分类号： H05K3/4632 , B29C65/02 , B29C66/034 , B29C66/1122 , B29C66/45 , B29C66/7352 , B29C66/7392 , B29C66/73921 , B29C66/742 , B29C66/91411 , B29C66/91445 , B29C66/91933 , B29L2031/3425 , B32B15/08 , B32B38/0036 , H05K1/0313 , H05K1/0393 , H05K3/10 , H05K3/4635 , H05K2201/0129 , H05K2201/0141 , H05K2201/0355 , H05K2203/0278 , H05K2203/111 , H05K2203/1178 , H05K2203/1194
摘要： 本發明係提供一種層間接著性及焊錫耐熱性優異之電路基板及其製造方法。藉由以下的製造方法，可進行電路基板之製造，該製造方法包含：準備複數之至少一種的熱塑性液晶聚合物薄膜的步驟；於該複數薄膜之至少一片，在薄膜的單面或雙面上形成導體層，作成單元電路基板的步驟；將包含該單元電路基板之該複數薄膜予以積層而形成積層體的步驟；在對該積層體加壓的狀態下，加熱至產生層間接著之第1溫度而進行一體化的熱壓接步驟；及在該第1溫度下的加熱之後，將該積層體以較該第1溫度更低溫且該複數的熱塑性液晶聚合物薄膜中之熔點最低之熱塑性液晶聚合物薄膜之熔點更低溫的第2溫度進行加熱，施行既定時間結構控制熱處理的步驟。
简体摘要： 本发明系提供一种层间接着性及焊锡耐热性优异之电路基板及其制造方法。借由以下的制造方法，可进行电路基板之制造，该制造方法包含：准备复数之至少一种的热塑性液晶聚合物薄膜的步骤；于该复数薄膜之至少一片，在薄膜的单面或双面上形成导体层，作成单元电路基板的步骤；将包含该单元电路基板之该复数薄膜予以积层而形成积层体的步骤；在对该积层体加压的状态下，加热至产生层间接着之第1温度而进行一体化的热压接步骤；及在该第1温度下的加热之后，将该积层体以较该第1温度更低温且该复数的热塑性液晶聚合物薄膜中之熔点最低之热塑性液晶聚合物薄膜之熔点更低温的第2温度进行加热，施行既定时间结构控制热处理的步骤。
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公开(公告)号：TWI396486B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW095127053
申请日：2006-07-25
申请人： 可樂麗股份有限公司 , KURARAY, CO., LTD.
发明人： 小野寺稔 , ONODERA, MINORU , 吉川淳夫 , YOSHIKAWA, TADAO
CPC分类号： H05K3/281 , B32B27/36 , B32B2307/54 , H05K2201/0141 , H05K2203/068 , H05K2203/163 , Y10T428/15
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公开(公告)号：TWI686291B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW105112217
申请日：2016-04-20
申请人： 日商可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人： 中島崇裕 , NAKASHIMA, TAKAHIRO , 高橋健 , TAKAHASHI, TAKESHI , 小野寺稔 , ONODERA, MINORU
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