公开(公告)号：TW201214704A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100107545

申请日：2011-03-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 周漢源 ,  張立偉 ,  朱 鳴 ,  楊寶如 ,  莊 學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/66545

Abstract: 本發明揭示了一種半導體元件，包括：一基板，包括一第一主動區、一第二主動區以及插入於該第一主動區與該第二主動區間之具有一第一寬度之一隔離區；一P金屬閘電極，位於該第一主動區之上且延伸於該隔離區之該第一寬度之上至少約2/3；以及一N金屬閘電極，位於該第二主動區之上並延伸於該第一寬度之上不超過1/3，該N金屬閘電極電性連結於位於該隔離區之上之該P金屬閘電極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示了一种半导体组件，包括：一基板，包括一第一主动区、一第二主动区以及插入于该第一主动区与该第二主动区间之具有一第一宽度之一隔离区；一P金属闸电极，位于该第一主动区之上且延伸于该隔离区之该第一宽度之上至少约2/3；以及一N金属闸电极，位于该第二主动区之上并延伸于该第一宽度之上不超过1/3，该N金属闸电极电性链接于位于该隔离区之上之该P金属闸电极。

公开(公告)号：TW201123424A

公开(公告)日：2011-07-01

申请号：TW099111224

申请日：2010-04-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 張立偉 ,  朱鳴 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/165 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本發明提供一半導體元件，包含半導體基板；閘極結構形成於基板上；側壁間隔物形成於閘極結構兩側之側壁上；源極及汲極形成於半導體基板中，位於閘極結構兩側，且具有第一型導電性；淡摻雜區形成於基板中，對準閘極結構之側壁，且具有第一型導電性；以及阻障區形成於半導體基板中並鄰接汲極，且具有第二型導電性。上述阻障區摻雜有第二型導電性之摻質，且第一型導電型與第二型導電性不同。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一半导体组件，包含半导体基板；闸极结构形成于基板上；侧壁间隔物形成于闸极结构两侧之侧壁上；源极及汲极形成于半导体基板中，位于闸极结构两侧，且具有第一型导电性；淡掺杂区形成于基板中，对准闸极结构之侧壁，且具有第一型导电性；以及阻障区形成于半导体基板中并邻接汲极，且具有第二型导电性。上述阻障区掺杂有第二型导电性之掺质，且第一型导电型与第二型导电性不同。

公开(公告)号：TW201133649A

公开(公告)日：2011-10-01

申请号：TW100101389

申请日：2011-01-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 莊學理 ,  張立偉 ,  朱鳴

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66659 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明係提供一種橫向擴散金氧半電晶體之製造方法包含：形成虛置閘極於基材上；形成源極及汲極於基材上之虛置閘極兩側；形成第一矽化物於源極上；形成第二矽化物於汲極上，以使源極或汲極至少其一之未矽化區與虛置閘極相鄰，汲極之未矽化區提供一阻抗區，能足以負載高電壓橫向擴散金氧半導體應用所需之電壓；對虛置閘極進行閘極替換製程以形成閘極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种横向扩散金氧半晶体管之制造方法包含：形成虚置闸极于基材上；形成源极及汲极于基材上之虚置闸极两侧；形成第一硅化物于源极上；形成第二硅化物于汲极上，以使源极或汲极至少其一之未硅化区与虚置闸极相邻，汲极之未硅化区提供一阻抗区，能足以负载高电压横向扩散金属氧化物半导体应用所需之电压；对虚置闸极进行闸极替换制程以形成闸极。

公开(公告)号：TWI446457B

公开(公告)日：2014-07-21

申请号：TW100101389

申请日：2011-01-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  張立偉 ,  TEO, LEE-WEE ,  朱鳴 ,  ZHU, MING

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66659 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI433301B

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW099111224

申请日：2010-04-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張立偉 ,  TEO, LEE-WEE ,  朱鳴 ,  ZHU, MING ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/165 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

公开(公告)号：TWI478340B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW100107545

申请日：2011-03-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 周漢源 ,  CHEW, HAN-GUAN ,  張立偉 ,  TEO, LEE-WEE ,  朱鳴 ,  ZHU, MING ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊 學理 ,  CHUANG, HARRY-HAK-LAY

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/66545