公开(公告)号：TWI559458B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW103136668

申请日：2014-10-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳常明 ,  WU, CHANGMING ,  吳偉成 ,  WU, WEICHENG ,  曾元泰 ,  TSENG, YUANTAI ,  劉世昌 ,  LIU, SHIHCHANG ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIASHIUNG ,  李汝諒 ,  LEE, RULIANG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAKLAY

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI540708B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW103144582

申请日：2014-12-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAKLAY ,  吳偉成 ,  WU, WEICHENG ,  高雅真 ,  KAO, YACHEN

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/1157 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

公开(公告)号：TWI534988B

公开(公告)日：2016-05-21

申请号：TW102114964

申请日：2013-04-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HAK-LAY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

公开(公告)号：TW201537689A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW103136668

申请日：2014-10-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳常明 ,  WU, CHANGMING ,  吳偉成 ,  WU, WEICHENG ,  曾元泰 ,  TSENG, YUANTAI ,  劉世昌 ,  LIU, SHIHCHANG ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIASHIUNG ,  李汝諒 ,  LEE, RULIANG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAKLAY

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提出在一先進邏輯電路中的一種非揮發性記憶體以及其製造方法。在非揮發性記憶體中，字元線及抹除閘極之頂面低於控制閘極之頂面。此外，在施行一自動對準矽化製程之前，以介電材料環繞字元線及抹除閘極。因此，無金屬矽化物形成於字元線及抹除閘極上，在後續的化學機械研磨製程中亦不會產生短路及漏電流的問題。

Abstract in simplified Chinese: 提出在一雪铁龙逻辑电路中的一种非挥发性内存以及其制造方法。在非挥发性内存中，字符线及抹除闸极之顶面低于控制闸极之顶面。此外，在施行一自动对准硅化制程之前，以介电材料环绕字符线及抹除闸极。因此，无金属硅化物形成于字符线及抹除闸极上，在后续的化学机械研磨制程中亦不会产生短路及漏电流的问题。

公开(公告)号：TWI478218B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW098135566

申请日：2009-10-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  楊文誌 ,  YANG, WEN CHIH ,  陳建良 ,  CHEN, CHIEN LIANG ,  費中豪 ,  FEI, CHUNG HAU ,  張啟新 ,  CHANG, MAXI ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/085

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TWI433265B

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW098127357

申请日：2009-08-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0629 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201403794A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102114964

申请日：2013-04-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HAK-LAY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本發明提供之半導體元件與其形成方法，具有五個閘極堆疊於基板的不同區域上。半導體元件包括半導體基板與隔離結構以分隔基板上的不同區域，這些區域包含p型場效電晶體核心區、輸入/輸出p型場效電晶體區、n型場效電晶體核心區、輸入/輸出n型場效電晶體區、與高電阻區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供之半导体组件与其形成方法，具有五个闸极堆栈于基板的不同区域上。半导体组件包括半导体基板与隔离结构以分隔基板上的不同区域，这些区域包含p型场效应管内核区、输入/输出p型场效应管区、n型场效应管内核区、输入/输出n型场效应管区、与高电阻区。

公开(公告)号：TW201351652A

公开(公告)日：2013-12-16

申请号：TW102118370

申请日：2013-05-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY-HAK-LAY ,  吳欣樺 ,  WU, SIN HUA ,  費中豪 ,  FEI, CHUNG HAU ,  朱鳴 ,  ZHU, MING ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  李彥儒 ,  LEE, YEN RU ,  李啓弘 ,  LI, CHII HORNG ,  李資良 ,  LEE, TZE LIANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L27/1116 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814

Abstract: 一種半導體元件之製造方法，包括：形成一第一金氧半導體元件之一第一閘堆疊物於一半導體基板上；形成一第二金氧半導體元件之一第二閘堆疊物於該半導體基板上，其中該第一金氧半導體元件與該第二金氧半導體元件具有相反導電性；施行一第一磊晶製程，以形成用於該第二金氧半導體元件之一源極/汲極應力源，其中該源極/汲極應力源係鄰近該第二閘堆疊物；以及施行一第二磊晶製程，以同時形成一第一矽層與一第二矽層，其中該第一矽層係位於該半導體基板之一第一部上，且鄰近該第一閘堆疊物，且其中該第二矽層覆蓋了該源極/汲極應力源。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件之制造方法，包括：形成一第一金属氧化物半导体组件之一第一闸堆栈物于一半导体基板上；形成一第二金属氧化物半导体组件之一第二闸堆栈物于该半导体基板上，其中该第一金属氧化物半导体组件与该第二金属氧化物半导体组件具有相反导电性；施行一第一磊晶制程，以形成用于该第二金属氧化物半导体组件之一源极/汲极应力源，其中该源极/汲极应力源系邻近该第二闸堆栈物；以及施行一第二磊晶制程，以同时形成一第一硅层与一第二硅层，其中该第一硅层系位于该半导体基板之一第一部上，且邻近该第一闸堆栈物，且其中该第二硅层覆盖了该源极/汲极应力源。

公开(公告)号：TWI408735B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：TW098115789

申请日：2009-05-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖舜章 ,  LIAO, SHUN JANG ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TWI408546B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：TW098128477

申请日：2009-08-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 羅明健 ,  LAW, OSCAR M. K. ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: G06F1/32 ,  H03K17/12

CPC classification number: H03K19/0013