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公开(公告)号：TW546815B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW091124057
申请日：2002-10-18
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 一種具有微小間隙壁之分離式閘極快閃記憶體製作方法於此揭露。首先，依序形成閘極氧化層與浮置閘極於半導體底材上。接著，在浮置閘極上表面形成氧化區塊，並使浮置閘極兩側邊角向上凸起。接著，形成穿隧氧化層於浮置閘極、氧化區塊、閘極氧化層與半導體底材表面上。並且，沉積氮化矽層於穿遂氧化層表面上。然後，使用磷酸溶液對氮化矽層進行濕式蝕刻程序，以便在浮置閘極側壁底部形成氮化矽間隙壁。隨後，定義控制閘極於穿隧氧化層與氮化矽間隙壁上表面，控制閘極會覆蓋於部份浮置閘極上方，且延伸至半導體底材上表面，其中氮化矽間隙壁可使控制閘極具有較平緩的形狀，而降低逆穿遂效應的發生。再定義源極區域與汲極區域於半導體底材中。
Abstract in simplified Chinese: 一种具有微小间隙壁之分离式闸极闪存制作方法于此揭露。首先，依序形成闸极氧化层与浮置闸极于半导体底材上。接着，在浮置闸极上表面形成氧化区块，并使浮置闸极两侧边角向上凸起。接着，形成穿隧氧化层于浮置闸极、氧化区块、闸极氧化层与半导体底材表面上。并且，沉积氮化硅层于穿遂氧化层表面上。然后，使用磷酸溶液对氮化硅层进行湿式蚀刻进程，以便在浮置闸极侧壁底部形成氮化硅间隙壁。随后，定义控制闸极于穿隧氧化层与氮化硅间隙壁上表面，控制闸极会覆盖于部份浮置闸极上方，且延伸至半导体底材上表面，其中氮化硅间隙壁可使控制闸极具有较平缓的形状，而降低逆穿遂效应的发生。再定义源极区域与汲极区域于半导体底材中。
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公开(公告)号：TW530370B
公开(公告)日：2003-05-01
申请号：TW090129740
申请日：2001-11-30
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 一種電容器之製造方法。本發明之電容器之製造方法適用於上電極的電極面積小於下電極的電極面積之電容器，且其特色為在習知上電極金屬層與光阻層間加上一材質例如可為氮化鈦(TiN)之硬遮罩層(hard mask)，如此可將剝除光阻層的步驟提前至乾蝕刻上電極金屬層之後以臨場(in-situ)的方式進行。此外，由於上述剝除光阻層的步驟係使用氧氣電漿，因此可使在乾蝕刻上電極金屬層的過程中因介電層亦被蝕刻而外漏的下電極多晶矽層之表面形成具保護作用之氧化層。運用本發明之電容器之製造方法可改善上電極金屬層之腐蝕問題以及可避免下電極多晶矽層被溼蝕刻溶液侵蝕之情況發生。
Abstract in simplified Chinese: 一种电容器之制造方法。本发明之电容器之制造方法适用于上电极的电极面积小于下电极的电极面积之电容器，且其特色为在习知上电极金属层与光阻层间加上一材质例如可为氮化钛(TiN)之硬遮罩层(hard mask)，如此可将剥除光阻层的步骤提前至干蚀刻上电极金属层之后以临场(in-situ)的方式进行。此外，由于上述剥除光阻层的步骤系使用氧气等离子，因此可使在干蚀刻上电极金属层的过程中因介电层亦被蚀刻而外漏的下电极多晶硅层之表面形成具保护作用之氧化层。运用本发明之电容器之制造方法可改善上电极金属层之腐蚀问题以及可避免下电极多晶硅层被湿蚀刻溶液侵蚀之情况发生。
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公开(公告)号：TW473856B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW090102686
申请日：2001-02-07
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 本發明提出一種控制晶圓表面極性以降低微粒污染的方法，其包括了下列步驟：使用含氧的電漿離子對一表面遭到損壞的矽基底進行同步(in-situ)轟擊，以降低微粒附著在此矽基底表面上時，微粒與此矽基底表面的接觸角(contact angle)大小，其中此矽基底表面遭到損壞的原因包含對此矽基底進行離子佈植或蝕刻程序、以及將此矽基底浸入微位清潔槽中，以除去此矽基底上之聚合物，其中此矽基底之表面將形成一氧化物膜層，使得此矽基底之表面極性變成親水性(hydrophilic)。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提出一种控制晶圆表面极性以降低微粒污染的方法，其包括了下列步骤：使用含氧的等离子离子对一表面遭到损坏的硅基底进行同步(in-situ)轰击，以降低微粒附着在此硅基底表面上时，微粒与此硅基底表面的接触角(contact angle)大小，其中此硅基底表面遭到损坏的原因包含对此硅基底进行离子布植或蚀刻进程、以及将此硅基底浸入微位清洁槽中，以除去此硅基底上之聚合物，其中此硅基底之表面将形成一氧化物膜层，使得此硅基底之表面极性变成亲水性(hydrophilic)。
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公开(公告)号：TW332265B
公开(公告)日：1998-05-21
申请号：TW086108905
申请日：1997-06-25
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: G03F
Abstract: 一種可防止金屬阻隔膜剝落之光罩。其中，該光罩具有一光罩主體，例如玻璃或石英；複數片金屬阻隔膜，形成於該光罩主體表面，用以定義該光罩之圖案，其中該些金屬阻隔膜之間係以空白切割道分隔；以及複數條金屬連線，形成於上述空白切割道，用來連接相鄰之金屬阻隔膜以增加該些金屬阻隔膜之有效面積。
Abstract in simplified Chinese: 一种可防止金属阻隔膜剥落之光罩。其中，该光罩具有一光罩主体，例如玻璃或石英；复数片金属阻隔膜，形成于该光罩主体表面，用以定义该光罩之图案，其中该些金属阻隔膜之间系以空白切割道分隔；以及复数条金属连接，形成于上述空白切割道，用来连接相邻之金属阻隔膜以增加该些金属阻隔膜之有效面积。
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公开(公告)号：TW533527B
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：TW090128762
申请日：2001-11-20
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 一種下電極上之晶圓位置的量測裝置和方法。本發明的量測裝置至少包括至少一個壓力量測元件安裝於承載晶圓之下電極上。本發明的量測方法係通入固定流量的氣體於電漿反應室，並控制此電漿反應室於預設壓力值，再藉由量測晶圓上方與承載晶圓之下電極上的壓力值差來量測晶圓於下電極上的位置是否有所偏差(shift)。本發明可僅量測單一個壓力值差便可得知晶圓於下電極上的位置是否有所偏差，更可量測複數個壓力值差以準確地得知晶圓於下電極上所產生偏差的位置。運用本發明可即時(real-time)偵測出晶圓的位置偏差，藉以避免下電極暴露於電漿中而引起電弧和產生微粒等損害，更可避免晶圓發生蝕刻過度(over-etch)和蝕刻不足(under-etch)的現象。
Abstract in simplified Chinese: 一种下电极上之晶圆位置的量测设备和方法。本发明的量测设备至少包括至少一个压力量测组件安装于承载晶圆之下电极上。本发明的量测方法系通入固定流量的气体于等离子反应室，并控制此等离子反应室于默认压力值，再借由量测晶圆上方与承载晶圆之下电极上的压力值差来量测晶圆于下电极上的位置是否有所偏差(shift)。本发明可仅量测单一个压力值差便可得知晶圆于下电极上的位置是否有所偏差，更可量测复数个压力值差以准确地得知晶圆于下电极上所产生偏差的位置。运用本发明可实时(real-time)侦测出晶圆的位置偏差，借以避免下电极暴露于等离子中而引起电弧和产生微粒等损害，更可避免晶圆发生蚀刻过度(over-etch)和蚀刻不足(under-etch)的现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW431648U
公开(公告)日：2001-04-21
申请号：TW086220165
申请日：1997-12-03
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 本創作係一種聚醯亞胺（POLYIMIDE）之供應裝置，其係指一種供應晶片製程中所需聚醯亞胺（POLYIMIDE）之裝置，該裝置係藉由高壓氣體進行加壓之工作，而使在供應槽中之原料可流入與緩衝槽連接之輸送管中，進而藉由該輸送管插置在緩衝槽內一端呈尖銳狀端緣之導引，而能沿著緩衝槽之內槽壁面緩緩地向下滑落，進而使外界之空氣不致進入聚醯亞胺（POLYIMIDE）中，而令流入緩衝槽中之聚醯亞胺（POLYIMIDE）中藉由高壓氣體加壓由緩衝槽底端之管路輸送至生產線上時，不致有氣泡產生，進而提高產品之良率。
Abstract in simplified Chinese: 本创作系一种聚酰亚胺（POLYIMIDE）之供应设备，其系指一种供应芯片制程中所需聚酰亚胺（POLYIMIDE）之设备，该设备系借由高压气体进行加压之工作，而使在供应槽中之原料可流入与缓冲槽连接之输送管中，进而借由该输送管插置在缓冲槽内一端呈尖锐状端缘之导引，而能沿着缓冲槽之内槽壁面缓缓地向下滑落，进而使外界之空气不致进入聚酰亚胺（POLYIMIDE）中，而令流入缓冲槽中之聚酰亚胺（POLYIMIDE）中借由高压气体加压由缓冲槽底端之管路输送至生产在线时，不致有气泡产生，进而提高产品之良率。
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公开(公告)号：TW411514B
公开(公告)日：2000-11-11
申请号：TW087118957
申请日：1998-11-16
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 本發明提供一種定義護層圖案的方法，其特徵在於將傳統護層蝕刻所使用之正光阻改採為一種曝光後會形成鏈結網狀結構的感光性聚亞胺薄膜，來轉移所欲蝕刻的銲墊區域圖案，並且在蝕刻完畢後留下聚亞胺薄膜作為後續構裝時的應力緩衝層。該方法可有效解決護層破洞與光阻擠出的問題，且不需額外的曝光、顯影步驟來形成聚亞胺薄膜，可大幅降低成本。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种定义护层图案的方法，其特征在于将传统护层蚀刻所使用之正光阻改采为一种曝光后会形成链结网状结构的感光性聚亚胺薄膜，来转移所欲蚀刻的焊垫区域图案，并且在蚀刻完毕后留下聚亚胺薄膜作为后续构装时的应力缓冲层。该方法可有效解决护层破洞与光阻挤出的问题，且不需额外的曝光、显影步骤来形成聚亚胺薄膜，可大幅降低成本。
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公开(公告)号：TW367574B
公开(公告)日：1999-08-21
申请号：TW087104771
申请日：1998-03-30
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 本發明係有關於一種量測曝光機在晶圓曝光過程中之熱效應調整參數之方法，其係以一特定圖案利用曝光機在一測試晶圓表面分別進行冷機曝光和熱機曝光，由於曝光機在不同溫度曝光下所得到的圖案之線寬會有差異，本發明係對晶圓在冷機曝光和熱機曝光下所造成曝光線寬之差異歸納出熱效應調整參數以做為曝光機熱效應調整之依據，將該熱效應調整參數輸入控制曝光機之軟體中，使晶圓在曝光過程中受熱效應產生之影響控制在可接受之範圍內。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关于一种量测曝光机在晶圆曝光过程中之热效应调整参数之方法，其系以一特定图案利用曝光机在一测试晶圆表面分别进行冷机曝光和热机曝光，由于曝光机在不同温度曝光下所得到的图案之线宽会有差异，本发明系对晶圆在冷机曝光和热机曝光下所造成曝光线宽之差异归纳出热效应调整参数以做为曝光机热效应调整之依据，将该热效应调整参数输入控制曝光机之软件中，使晶圆在曝光过程中受热效应产生之影响控制在可接受之范围内。
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公开(公告)号：TW330988B
公开(公告)日：1998-05-01
申请号：TW086104551
申请日：1997-04-09
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: G03F
Abstract: 本發明具有一利用光可穿透性材料所製成光罩基座，光罩基座上具有許多光罩圖案，光罩圖案將做為轉換至晶圓之圖案，此光罩圖案為利用導電且不透光之鉻金屬所組成，一薄之薄電薄膜覆蓋於光罩基座以及光罩圖案之上，此導電薄膜用來防止靜電之過度集中於圖案之尖角，例如導電薄膜為使用 10至 50埃之銀金屬，此厚度可以有效讓輻射光源通過而不會造成太多的衰減，以本發明之厚度約造成小於3％之衰減。
Abstract in simplified Chinese: 本发明具有一利用光可穿透性材料所制成光罩基座，光罩基座上具有许多光罩图案，光罩图案将做为转换至晶圆之图案，此光罩图案为利用导电且不透光之铬金属所组成，一薄之薄电薄膜覆盖于光罩基座以及光罩图案之上，此导电薄膜用来防止静电之过度集中于图案之尖角，例如导电薄膜为使用 10至 50埃之银金属，此厚度可以有效让辐射光源通过而不会造成太多的衰减，以本发明之厚度约造成小于3％之衰减。
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公开(公告)号：TW313322U
公开(公告)日：1997-08-11
申请号：TW085212168
申请日：1996-08-09
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 一種應用於化學機械研磨製程後之光罩結構，包括：一晶方視窗、一環狀邊緣區、一第一清除視窗、以一第二清除視窗，其中，該環狀邊緣區將該晶方視窗圍繞於中央部份，而該第一清除視窗和該第二清除視窗位於該環狀邊緣區之一側。其特徵在於：該第二清除視窗具有較該第一清除視窗大的尺寸。
Abstract in simplified Chinese: 一种应用于化学机械研磨制程后之光罩结构，包括：一晶方窗口、一环状边缘区、一第一清除窗口、以一第二清除窗口，其中，该环状边缘区将该晶方窗口围绕于中央部份，而该第一清除窗口和该第二清除窗口位于该环状边缘区之一侧。其特征在于：该第二清除窗口具有较该第一清除窗口大的尺寸。
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