公开(公告)号：TW538457B

公开(公告)日：2003-06-21

申请号：TW091110456

申请日：2002-05-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 盧欣榮 ,  藍和谷

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭露一種強化負調感光性材料(Negative-tone Photosensitive Material)結構之多重曝光方法，其係先以低曝光能量，透過具有所需圖案之光罩，對負調感光性材料，例如感光型聚亞醯胺(Polyimide；PI)，進行第一次的不飽和曝光。再對曝光後之負調感光性材料進行顯影，而將圖案轉移至光阻中。因此，可避免在非預期的區域發生交聯，而防止光阻殘渣(Scum)的產生，並可縮短顯影的時間，減少顯影劑的用量。接著，以高曝光能量對負調感光性材料進行第二次曝光，使負調感光性材料的交聯(Cross-link)達到飽和，藉以強化負調感光性材料之結構。因此，不僅可輕易達到強化負調感光性材料結構的目的，更可降低成本，提高製程良率與產能。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种强化负调感光性材料(Negative-tone Photosensitive Material)结构之多重曝光方法，其系先以低曝光能量，透过具有所需图案之光罩，对负调感光性材料，例如感光型聚亚酰胺(Polyimide；PI)，进行第一次的不饱和曝光。再对曝光后之负调感光性材料进行显影，而将图案转移至光阻中。因此，可避免在非预期的区域发生交联，而防止光阻残渣(Scum)的产生，并可缩短显影的时间，减少显影剂的用量。接着，以高曝光能量对负调感光性材料进行第二次曝光，使负调感光性材料的交联(Cross-link)达到饱和，借以强化负调感光性材料之结构。因此，不仅可轻易达到强化负调感光性材料结构的目的，更可降低成本，提高制程良率与产能。

公开(公告)号：TW332265B

公开(公告)日：1998-05-21

申请号：TW086108905

申请日：1997-06-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳世雄 ,  陳明發 ,  趙應誠 ,  藍和谷

IPC: G03F

Abstract: 一種可防止金屬阻隔膜剝落之光罩。其中，該光罩具有一光罩主體，例如玻璃或石英；複數片金屬阻隔膜，形成於該光罩主體表面，用以定義該光罩之圖案，其中該些金屬阻隔膜之間係以空白切割道分隔；以及複數條金屬連線，形成於上述空白切割道，用來連接相鄰之金屬阻隔膜以增加該些金屬阻隔膜之有效面積。

Abstract in simplified Chinese: 一种可防止金属阻隔膜剥落之光罩。其中，该光罩具有一光罩主体，例如玻璃或石英；复数片金属阻隔膜，形成于该光罩主体表面，用以定义该光罩之图案，其中该些金属阻隔膜之间系以空白切割道分隔；以及复数条金属连接，形成于上述空白切割道，用来连接相邻之金属阻隔膜以增加该些金属阻隔膜之有效面积。

公开(公告)号：TW392252B

公开(公告)日：2000-06-01

申请号：TW086114972

申请日：1997-10-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 郭正錚 ,  陳世雄 ,  陳宏志 ,  藍和谷

IPC: H01L

Abstract: 本發明提供一種解決聚亞胺薄膜之氣泡缺陷的方法，係在進行聚亞胺薄膜之塗佈時，通入惰性氣體來降低環境中的相對濕度，可避免發生聚合反應而造成氣泡缺陷，或者是在進行聚亞胺薄膜塗佈後的15分鐘內，以80-120℃的溫度烘烤聚亞胺薄膜基體，也可避免氣泡缺陷的產生。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种解决聚亚胺薄膜之气泡缺陷的方法，系在进行聚亚胺薄膜之涂布时，通入惰性气体来降低环境中的相对湿度，可避免发生聚合反应而造成气泡缺陷，或者是在进行聚亚胺薄膜涂布后的15分钟内，以80-120℃的温度烘烤聚亚胺薄膜基体，也可避免气泡缺陷的产生。

公开(公告)号：TW431648U

公开(公告)日：2001-04-21

申请号：TW086220165

申请日：1997-12-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 藍和谷 ,  郭正錚 ,  陳宏志 ,  陳世雄

IPC: H01L

Abstract: 本創作係一種聚醯亞胺（POLYIMIDE）之供應裝置，其係指一種供應晶片製程中所需聚醯亞胺（POLYIMIDE）之裝置，該裝置係藉由高壓氣體進行加壓之工作，而使在供應槽中之原料可流入與緩衝槽連接之輸送管中，進而藉由該輸送管插置在緩衝槽內一端呈尖銳狀端緣之導引，而能沿著緩衝槽之內槽壁面緩緩地向下滑落，進而使外界之空氣不致進入聚醯亞胺（POLYIMIDE）中，而令流入緩衝槽中之聚醯亞胺（POLYIMIDE）中藉由高壓氣體加壓由緩衝槽底端之管路輸送至生產線上時，不致有氣泡產生，進而提高產品之良率。

Abstract in simplified Chinese: 本创作系一种聚酰亚胺（POLYIMIDE）之供应设备，其系指一种供应芯片制程中所需聚酰亚胺（POLYIMIDE）之设备，该设备系借由高压气体进行加压之工作，而使在供应槽中之原料可流入与缓冲槽连接之输送管中，进而借由该输送管插置在缓冲槽内一端呈尖锐状端缘之导引，而能沿着缓冲槽之内槽壁面缓缓地向下滑落，进而使外界之空气不致进入聚酰亚胺（POLYIMIDE）中，而令流入缓冲槽中之聚酰亚胺（POLYIMIDE）中借由高压气体加压由缓冲槽底端之管路输送至生产在线时，不致有气泡产生，进而提高产品之良率。

公开(公告)号：TW383441B

公开(公告)日：2000-03-01

申请号：TW087116857

申请日：1998-10-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳步芳 ,  謝靜華 ,  藍和谷 ,  蔡瀚輝

IPC: H01L

Abstract: 一種用以在晶圓上定位結晶原始微粒之方法包括了下列之步驟:首先，形成複數個重覆之圖案於該晶圓上，再發射一入射光至該晶圓表面之複數個重覆圖案上以產生反射光。然後，偵測該反射光以獲得該複數個重覆圖案之影像資料，再根據所得到複數個重覆圓案之影像資料形成複數個資料庫。接著，比對該複數個資料庫以定義該晶圓表面之結晶原始微粒的位置及數量，其中該複數個資料庫彼此不相容之位置即為該晶圓表面之結晶原始微粒。

Abstract in simplified Chinese: 一种用以在晶圆上定位结晶原始微粒之方法包括了下列之步骤:首先，形成复数个重复之图案于该晶圆上，再发射一入射光至该晶圆表面之复数个重复图案上以产生反射光。然后，侦测该反射光以获得该复数个重复图案之影像数据，再根据所得到复数个重复圆案之影像数据形成复数个数据库。接着，比对该复数个数据库以定义该晶圆表面之结晶原始微粒的位置及数量，其中该复数个数据库彼此不兼容之位置即为该晶圆表面之结晶原始微粒。

公开(公告)号：TW369684B

公开(公告)日：1999-09-11

申请号：TW085112624

申请日：1996-10-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 傅文瑞 ,  趙應誠 ,  藍和谷

IPC: H01L

Abstract: 本發明係關於一種可降低半導體積體電路表面因覆蓋聚合物製程所造成漏電流之處理方法，尤指一種可改善晶片表面覆蓋聚合物(POLYIMIDE)及乾式蝕刻作業後，易導致兩相鄰焊墊(PAD)間漏電流增加之問題，亦即本發明主要為在進行聚合物之覆蓋及乾式蝕刻作業完成後，更在氮氣或大氣環境中進行約在250～400℃之熱處理步驟，即令兩相鄰焊墊間恢復至高阻抗狀態，達到防止兩相鄰焊墊間漏電流增加者。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种可降低半导体集成电路表面因覆盖聚合物制程所造成漏电流之处理方法，尤指一种可改善芯片表面覆盖聚合物(POLYIMIDE)及干式蚀刻作业后，易导致两相邻焊垫(PAD)间漏电流增加之问题，亦即本发明主要为在进行聚合物之覆盖及干式蚀刻作业完成后，更在氮气或大气环境中进行约在250～400℃之热处理步骤，即令两相邻焊垫间恢复至高阻抗状态，达到防止两相邻焊垫间漏电流增加者。