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公开(公告)号:TWI676383B
公开(公告)日:2019-11-01
申请号:TW106126972
申请日:2017-08-09
Inventor: 楊淑君 , YANG, SHU-CHUN , 林木山 , LIN, MU-SHAN , 黃文宏 , HUANG, WEN-HUNG
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公开(公告)号:TW201840132A
公开(公告)日:2018-11-01
申请号:TW106141346
申请日:2017-11-28
Inventor: 蔡孟庭 , TSAI, MENG TING , 蔡健群 , TSAI, CHIEN CHUN , 林木山 , LIN, MU SHAN , 黃文宏 , HUANG, WEN HUNG , 陳佑齊 , CHEN, YU CHI
Abstract: 本發明實施例提供一種數位控制延遲線。數位控制延遲線包括耦接成一鏈之複數延遲單元耦接成一鏈,形成一傳輸路徑以傳輸一輸入信號並將輸入信號延遲一第一延遲時間。當在鏈中之一單一延遲單元是操作在一回授模式、於鏈中在單一延遲單元之前的延遲單元是操作在一傳輸模式、於鏈中在單一延遲單元之後的一第一後續延遲單元是操作在一待機模式,以及於鏈中在第一延續延遲單元之後的延遲單元是操作在一閒置模式時,形成第一傳輸路徑。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种数码控制延迟线。数码控制延迟线包括耦接成一链之复数延迟单元耦接成一链,形成一传输路径以传输一输入信号并将输入信号延迟一第一延迟时间。当在链中之一单一延迟单元是操作在一回授模式、于链中在单一延迟单元之前的延迟单元是操作在一传输模式、于链中在单一延迟单元之后的一第一后续延迟单元是操作在一待机模式,以及于链中在第一延续延迟单元之后的延迟单元是操作在一闲置模式时,形成第一传输路径。
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公开(公告)号:TW318215B
公开(公告)日:1997-10-21
申请号:TW086104704
申请日:1997-04-12
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
Abstract: 本發明提供一種具雙層結構的衰減式相位移光罩(Attenuated Phase Shift Mask,APSM)的製造方法,該具雙層結構的衰減式相位移光罩只須進行1次的電子束值接書寫與1次的光阻層覆蓋,故可省時與省成本。又本發明之邊界係利用不透光之材質所組成,預防了重覆曝光所導致的不良圖形轉移的情形發生。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种具双层结构的衰减式相位移光罩(Attenuated Phase Shift Mask,APSM)的制造方法,该具双层结构的衰减式相位移光罩只须进行1次的电子束值接书写与1次的光阻层覆盖,故可省时与省成本。又本发明之边界系利用不透光之材质所组成,预防了重复曝光所导致的不良图形转移的情形发生。
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公开(公告)号:TW201822499A
公开(公告)日:2018-06-16
申请号:TW106126972
申请日:2017-08-09
Inventor: 楊淑君 , YANG, SHU-CHUN , 林木山 , LIN, MU-SHAN , 黃文宏 , HUANG, WEN-HUNG
Abstract: 本發明實施例揭露一種電子系統,其包含一第一時脈域之傳輸電路及一第二域之接收電路。當該第一時脈域之一時脈訊號之一相位超前於與一數位輸入訊號相關聯之一時脈訊號之一相位時,該傳輸電路使用該第一時脈域之該時脈訊號之上升邊緣來使該數位輸入訊號重新定時。否則,當該第一時脈域之該時脈訊號之該相位不超前於與一數位輸入訊號相關聯之該時脈訊號之該相位時,該傳輸電路使用該第一時脈域之該時脈訊號之下降邊緣來使該數位輸入訊號重新定時。該接收電路自該傳輸電路接收該經重新定時數位輸入訊號。其後,當與該經重新定時數位輸入訊號相關聯之一時脈訊號之一相位超前於該第二時脈域之一時脈訊號之一相位時,該接收電路使用與該經重新定時數位輸入訊號相關聯之該時脈訊號之該相位之上升邊緣來使該經重新定時數位輸入訊號重新定時。否則,當與該經重新定時數位輸入訊號相關聯之一時脈訊號之該相位不超前於該第二時脈域之一時脈訊號之該相位時,該接收電路使用與該經重新定時數位輸入訊號相關聯之該時脈訊號之該相位之下降邊緣來使該經重新定時數位輸入訊號重新定時。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭露一种电子系统,其包含一第一时脉域之传输电路及一第二域之接收电路。当该第一时脉域之一时脉信号之一相位超前于与一数码输入信号相关联之一时脉信号之一相位时,该传输电路使用该第一时脉域之该时脉信号之上升边缘来使该数码输入信号重新定时。否则,当该第一时脉域之该时脉信号之该相位不超前于与一数码输入信号相关联之该时脉信号之该相位时,该传输电路使用该第一时脉域之该时脉信号之下降边缘来使该数码输入信号重新定时。该接收电路自该传输电路接收该经重新定时数码输入信号。其后,当与该经重新定时数码输入信号相关联之一时脉信号之一相位超前于该第二时脉域之一时脉信号之一相位时,该接收电路使用与该经重新定时数码输入信号相关联之该时脉信号之该相位之上升边缘来使该经重新定时数码输入信号重新定时。否则,当与该经重新定时数码输入信号相关联之一时脉信号之该相位不超前于该第二时脉域之一时脉信号之该相位时,该接收电路使用与该经重新定时数码输入信号相关联之该时脉信号之该相位之下降边缘来使该经重新定时数码输入信号重新定时。
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公开(公告)号:TW318214B
公开(公告)日:1997-10-21
申请号:TW085115604
申请日:1996-12-17
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
Abstract: 一種半透明相位移光罩的製造方法,該相位移光罩包含基板、第一透射率層和第二透射率層,光罩的圖案是刻畫在第一透射率層,第二透射率層是用作對準用。在光罩的製程流程中,必須塗布兩次光阻,第一光阻可以使用高感度光阻,以縮短曝光時間,而且在塗布第二光阻的步驟中,可以使用保護膜,省卻光罩對準和曝光的時間,還可以在製程中檢修光罩,增加光罩生產的良率。
Abstract in simplified Chinese: 一种半透明相位移光罩的制造方法,该相位移光罩包含基板、第一透射率层和第二透射率层,光罩的图案是刻画在第一透射率层,第二透射率层是用作对准用。在光罩的制程流程中,必须涂布两次光阻,第一光阻可以使用高感度光阻,以缩短曝光时间,而且在涂布第二光阻的步骤中,可以使用保护膜,省却光罩对准和曝光的时间,还可以在制程中检修光罩,增加光罩生产的良率。
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公开(公告)号:TWI423592B
公开(公告)日:2014-01-11
申请号:TW099130479
申请日:2010-09-09
Inventor: 彭永州 , PENG, YUNG CHOW , 黃文宏 , HUANG, WEN HUNG , 林有為 , LIN, YU WEI
IPC: H03M1/12
CPC classification number: H03M1/002 , B81B7/008 , H03M1/0626 , H03M1/12 , H03M3/30
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7.微機電系統以及其操作方法 MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS (MEMS), SYSTEMS AND OPERATING METHODS THEREOF 审中-公开
Simplified title: 微机电系统以及其操作方法 MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS (MEMS), SYSTEMS AND OPERATING METHODS THEREOF公开(公告)号:TW201121248A
公开(公告)日:2011-06-16
申请号:TW099130479
申请日:2010-09-09
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H03M
CPC classification number: H03M1/002 , B81B7/008 , H03M1/0626 , H03M1/12 , H03M3/30
Abstract: 一種微機電系統,包括:一微機械架構,用於產生一第一電信號;以及一類比數位轉換器(ADC),耦接該微機械架構,其中該微機電系統不包括任何放大器位於該微機械架構與該類比數位轉換器之間。
Abstract in simplified Chinese: 一种微机电系统,包括:一微机械架构,用于产生一第一电信号;以及一模拟数码转换器(ADC),耦接该微机械架构,其中该微机电系统不包括任何放大器位于该微机械架构与该模拟数码转换器之间。
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公开(公告)号:TW472172B
公开(公告)日:2002-01-11
申请号:TW090112375
申请日:2001-05-23
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: G03F
Abstract: 本發明提供一修補衰減式相移光罩(Attenuated Phase Shift Mask, APSM)的方法,係利用光學鄰近效應修正技術(Optical Proximity Correction, OPC),藉由修補機器蝕刻或沉積的作用,在異常缺陷的部位周圍設計不於光阻上成像的OPC圖案。這些OPC圖案將能增強或減弱欲修補區域的光強度,達到修補衰減式相移光罩的異常缺陷的目的。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一修补衰减式相移光罩(Attenuated Phase Shift Mask, APSM)的方法,系利用光学邻近效应修正技术(Optical Proximity Correction, OPC),借由修补机器蚀刻或沉积的作用,在异常缺陷的部位周围设计不于光阻上成像的OPC图案。这些OPC图案将能增强或减弱欲修补区域的光强度,达到修补衰减式相移光罩的异常缺陷的目的。
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