產生能隙參考電壓的裝置和方法
    2.
    发明专利
    產生能隙參考電壓的裝置和方法 审中-公开
    产生能隙参考电压的设备和方法

    公开(公告)号:TW201612673A

    公开(公告)日:2016-04-01

    申请号:TW104117662

    申请日:2015-06-01

    CPC classification number: G05F3/262 G05F1/46

    Abstract: 一種裝置包含能隙參考級、鏡射電流源、電壓控制電路和電阻元件。鏡射電流源包含控制端電性耦接能隙參考級的第一內部節點。電壓控制電路包含第一端電性耦接能隙參考級的第二內部節點,及第二端電性耦接鏡射電流源的第一端。電阻元件包含第一端電性耦接電壓控制電路的第三端。

    Abstract in simplified Chinese: 一种设备包含能隙参考级、镜射电流源、电压控制电路和电阻组件。镜射电流源包含控制端电性耦接能隙参考级的第一内部节点。电压控制电路包含第一端电性耦接能隙参考级的第二内部节点,及第二端电性耦接镜射电流源的第一端。电阻组件包含第一端电性耦接电压控制电路的第三端。

    電容器結構
    6.
    发明专利
    電容器結構 审中-公开
    电容器结构

    公开(公告)号:TW202008540A

    公开(公告)日:2020-02-16

    申请号:TW108114846

    申请日:2019-04-29

    Abstract: 此處揭露低電容的電容器結構。在一例中,揭露的電容器結構包括第一電極與第二電極。第一電極包括第一金屬指。第二電極包括第二金屬指與第三金屬指,且第二金屬指與第三金屬指彼此平行並平行於第一金屬指。第一金屬指形成於第二金屬指與第三金屬指之間。電容器結構亦包含第四金屬指形成於第一金屬指與第二金屬指之間並作為虛置金屬指,以及第五金屬指形成於第一金屬指與第三金屬指之間並作為另一虛置金屬指。第四金屬指與第五金屬指平行於第一金屬指。

    Abstract in simplified Chinese: 此处揭露低电容的电容器结构。在一例中,揭露的电容器结构包括第一电极与第二电极。第一电极包括第一金属指。第二电极包括第二金属指与第三金属指,且第二金属指与第三金属指彼此平行并平行于第一金属指。第一金属指形成于第二金属指与第三金属指之间。电容器结构亦包含第四金属指形成于第一金属指与第二金属指之间并作为虚置金属指,以及第五金属指形成于第一金属指与第三金属指之间并作为另一虚置金属指。第四金属指与第五金属指平行于第一金属指。

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