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公开(公告)号：TW201349453A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102115371
申请日：2013-04-30
Inventor： 彭永州 , PENG, YUNG CHOW , 周文昇 , CHOU, WEN SHEN , 黃睿政 , HUANG, JUI CHENG
IPC: H01L27/04 , H01L27/105
CPC classification number: G06F17/5072 , H01L27/0207 , H01L27/04
Abstract: 多層密度梯度平滑佈局中，複數的單胞配置於具有一特徵密度的陣列中。陣列的一或多個邊界上形成第一邊緣次陣列，具有比陣列的特徵密度小的特徵密度。第一邊緣次陣列的一或多個邊界上形成第二邊緣次陣列，具有比第一邊緣次陣列的特徵密度小但接近背景電路的特徵密度的特徵密度。
Abstract in simplified Chinese: 多层密度梯度平滑布局中，复数的单胞配置于具有一特征密度的数组中。数组的一或多个边界上形成第一边缘次数组，具有比数组的特征密度小的特征密度。第一边缘次数组的一或多个边界上形成第二边缘次数组，具有比第一边缘次数组的特征密度小但接近背景电路的特征密度的特征密度。
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公开(公告)号：TW201612673A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104117662
申请日：2015-06-01
Inventor： 張清河 , CHANG, CHINHO , 洪照俊 , HORNG, JAWJUINN , 彭永州 , PENG, YUNGCHOW
IPC: G05F3/26
Abstract: 一種裝置包含能隙參考級、鏡射電流源、電壓控制電路和電阻元件。鏡射電流源包含控制端電性耦接能隙參考級的第一內部節點。電壓控制電路包含第一端電性耦接能隙參考級的第二內部節點，及第二端電性耦接鏡射電流源的第一端。電阻元件包含第一端電性耦接電壓控制電路的第三端。
Abstract in simplified Chinese: 一种设备包含能隙参考级、镜射电流源、电压控制电路和电阻组件。镜射电流源包含控制端电性耦接能隙参考级的第一内部节点。电压控制电路包含第一端电性耦接能隙参考级的第二内部节点，及第二端电性耦接镜射电流源的第一端。电阻组件包含第一端电性耦接电压控制电路的第三端。
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公开(公告)号：TWI472942B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW101144432
申请日：2012-11-28
Inventor： 彭永州 , PENG, YUNG CHOW , 陳重輝 , CHEN, CHUNG HUI , 陳建宏 , CHEN, CHIEN HUNG , 康伯堅 , KANG, PO ZENG
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F1/70
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公开(公告)号：TWI448114B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW099135703
申请日：2010-10-20
Inventor： 彭永州 , PENG, YUNG CHOW , 林育群 , LIN, YU CHUN
IPC: H04L25/03
CPC classification number: H04L25/03885 , H04L25/03006 , H04L25/03057 , H04L2025/03535 , H04L2025/03681 , H04L2025/03707 , H04L2025/03745
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公开(公告)号：TW201331776A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101144432
申请日：2012-11-28
Inventor： 彭永州 , PENG, YUNG CHOW , 陳重輝 , CHEN, CHUNG HUI , 陳建宏 , CHEN, CHIEN HUNG , 康伯堅 , KANG, PO ZENG
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F1/70
Abstract: 一種驗證方法，用以驗證半導體裝置佈局的元件特性密度變化及偏差。將一佈局設計切分成複數視窗。測量判斷每一視窗的元件特性密度。佈局設計具有許多元件區。比較一元件區與圍繞區域或是其它區域間的元件特性密度平均值，用以得知元件特性密度變化。從一特定區域到圍繞區域的元件特性密度變化亦被監測。驗證方法係儲存於一電腦可讀取儲存媒體中，並由一處理器所執行。
Abstract in simplified Chinese: 一种验证方法，用以验证半导体设备布局的组件特性密度变化及偏差。将一布局设计切分成复数窗口。测量判断每一窗口的组件特性密度。布局设计具有许多组件区。比较一组件区与围绕区域或是其它区域间的组件特性密度平均值，用以得知组件特性密度变化。从一特定区域到围绕区域的组件特性密度变化亦被监测。验证方法系存储于一电脑可读取存储媒体中，并由一处理器所运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW202008540A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108114846
申请日：2019-04-29
Inventor： 陳泰邑 , CHEN, TAI-YI , 楊忠傑 , YANG, CHUNG-CHIEH , 彭永州 , PENG, YUNG-CHOW
Abstract: 此處揭露低電容的電容器結構。在一例中，揭露的電容器結構包括第一電極與第二電極。第一電極包括第一金屬指。第二電極包括第二金屬指與第三金屬指，且第二金屬指與第三金屬指彼此平行並平行於第一金屬指。第一金屬指形成於第二金屬指與第三金屬指之間。電容器結構亦包含第四金屬指形成於第一金屬指與第二金屬指之間並作為虛置金屬指，以及第五金屬指形成於第一金屬指與第三金屬指之間並作為另一虛置金屬指。第四金屬指與第五金屬指平行於第一金屬指。
Abstract in simplified Chinese: 此处揭露低电容的电容器结构。在一例中，揭露的电容器结构包括第一电极与第二电极。第一电极包括第一金属指。第二电极包括第二金属指与第三金属指，且第二金属指与第三金属指彼此平行并平行于第一金属指。第一金属指形成于第二金属指与第三金属指之间。电容器结构亦包含第四金属指形成于第一金属指与第二金属指之间并作为虚置金属指，以及第五金属指形成于第一金属指与第三金属指之间并作为另一虚置金属指。第四金属指与第五金属指平行于第一金属指。
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公开(公告)号：TWI556080B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104117662
申请日：2015-06-01
Inventor： 張清河 , CHANG, CHINHO , 洪照俊 , HORNG, JAWJUINN , 彭永州 , PENG, YUNGCHOW
IPC: G05F3/26
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公开(公告)号：TW201533908A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103134427
申请日：2014-10-02
Inventor： 張清河 , CHANG, CHINGHO , 洪照俊 , HORNG, JAWJUINN , 彭永州 , PENG, YUNGCHOW
CPC classification number: G05F3/262 , G06F17/5072 , H01L27/0617 , H01L27/0705 , H01L27/10 , H01L29/42376
Abstract: 一種積體電路，包含複數個電晶體。該些電晶體以串聯方式電性連接，且其對應的閘極彼此連接。該些電晶體實作在一電晶體陣列中，電性連接於一第一參考端與一第二參考端之間，該些電晶體鄰近於第一參考端的一非支配部份實作在電晶體陣列的角落區域。
Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路，包含复数个晶体管。该些晶体管以串联方式电性连接，且其对应的闸极彼此连接。该些晶体管实作在一晶体管数组中，电性连接于一第一参考端与一第二参考端之间，该些晶体管邻近于第一参考端的一非支配部份实作在晶体管数组的角落区域。
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公开(公告)号：TWI696303B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW107118014
申请日：2018-05-25
Inventor： 楊忠傑 , YANG, CHUNG CHIEH , 彭永州 , PENG, YUNG CHOW , 謝仲朋 , HSIEH, CHUNG PENG , 劉莎莉 , LIU, SA LLY
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公开(公告)号：TWI524470B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW102136461
申请日：2013-10-09
Inventor： 彭永州 , PENG, YUNG CHOW , 洪照俊 , HORNG, JAW JUINN , 劉思麟 , LIU, SZU LIN , 康伯堅 , KANG, PO ZENG
IPC: H01L21/768 , G06F17/50
CPC classification number: H01L27/0207 , G06F17/5063 , G06F17/5068 , G06F17/5081 , H01L25/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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