公开(公告)号：TW201608657A

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW104117126

申请日：2015-05-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蕭煥廷 ,  HSIAO, HUANG TING ,  徐 安泰 ,  XU, AN-TAI ,  曹佩華 ,  TSAO, PEI HAW ,  蔡承紘 ,  TSAI, CHENG HUNG ,  陳翠媚 ,  CHEN, TSUI MEI ,  盧乃誠 ,  LU, NAI CHENG

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/304

CPC classification number: G01R31/3025 ,  G01R31/2822 ,  G06K7/10316 ,  G06K7/10336 ,  G06K7/10366 ,  G06K19/0722 ,  G06K19/07749 ,  H01L21/304 ,  H01L22/34

Abstract: 根據一個示範性實施例，提供一種偵測待測晶粒之邊緣裂縫的方法。偵測方法包括以下步驟：接收指令信號；由指令信號提供電源；基於指令信號提供回應信號；以及根據指令信號的指示進行自毀。

Abstract in simplified Chinese: 根据一个示范性实施例，提供一种侦测待测晶粒之边缘裂缝的方法。侦测方法包括以下步骤：接收指令信号；由指令信号提供电源；基于指令信号提供回应信号；以及根据指令信号的指示进行自毁。

公开(公告)号：TWI576935B

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW104117126

申请日：2015-05-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蕭煥廷 ,  HSIAO, HUANG TING ,  徐 安泰 ,  XU, AN-TAI ,  曹佩華 ,  TSAO, PEI HAW ,  蔡承紘 ,  TSAI, CHENG HUNG ,  陳翠媚 ,  CHEN, TSUI MEI ,  盧乃誠 ,  LU, NAI CHENG

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/304

CPC classification number: G01R31/3025 ,  G01R31/2822 ,  G06K7/10316 ,  G06K7/10336 ,  G06K7/10366 ,  G06K19/0722 ,  G06K19/07749 ,  H01L21/304 ,  H01L22/34

公开(公告)号：TW506035B

公开(公告)日：2002-10-11

申请号：TW090132949

申请日：2001-12-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 盧乃誠 ,  廖于婷 ,  劉福松

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭露一種探針組(Probe Set)及其製造方法，適用於積體電路(IC)的製程中。本發明之探針組係利用半導體技術在略大於晶圓之半導體基材上製作而成。由於，半導體技術已相當成熟，且本發明屬晶圓級尺寸製造。因此可在相當低的成本下，於一片基材上製作出大量的探針組，且可應用來進行晶圓級尺寸的量測，在應用上相當便利，且應用可變性極高。而且，藉由控制製程參數，可大量製作出具有所需特性且精密度以及均勻度極佳之探針組。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种探针组(Probe Set)及其制造方法，适用于集成电路(IC)的制程中。本发明之探针组系利用半导体技术在略大于晶圆之半导体基材上制作而成。由于，半导体技术已相当成熟，且本发明属晶圆级尺寸制造。因此可在相当低的成本下，于一片基材上制作出大量的探针组，且可应用来进行晶圆级尺寸的量测，在应用上相当便利，且应用可变性极高。而且，借由控制制程参数，可大量制作出具有所需特性且精密度以及均匀度极佳之探针组。

公开(公告)号：TW366511B

公开(公告)日：1999-08-11

申请号：TW087104321

申请日：1998-03-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 盧乃誠

IPC: H01J

Abstract: 一種場發射器之製造方法，其首先在基底上依序形成濃摻雜之複晶矽層、二氧化矽層、濃摻雜之複晶矽層、二氧化矽層及氮化矽層。然後，蝕刻氮化矽層以定義欲形成場發射極尖端之區域並得到一開口。接著，在開口側邊形成側壁，並以側壁為罩幕蝕刻兩層二氧化矽層及上方之複晶矽層，藉以得到口徑漸縮之開口。隨後，以二氧化矽層將上述各層覆蓋，並利用二氧化矽層無法完全覆蓋開口之特性得到一尖狀部；以及在此二氧化矽層上定義數個支撐開口。然後，沈積一濃摻雜之複晶矽層以構成場發射器之陰極，並以濕式蝕刻去除陰極下方之二氧化矽，及在低壓下以鈦金屬層密封得到之場發射器。

Abstract in simplified Chinese: 一种场发射器之制造方法，其首先在基底上依序形成浓掺杂之复晶硅层、二氧化硅层、浓掺杂之复晶硅层、二氧化硅层及氮化硅层。然后，蚀刻氮化硅层以定义欲形成场发射极尖端之区域并得到一开口。接着，在开口侧边形成侧壁，并以侧壁为罩幕蚀刻两层二氧化硅层及上方之复晶硅层，借以得到口径渐缩之开口。随后，以二氧化硅层将上述各层覆盖，并利用二氧化硅层无法完全覆盖开口之特性得到一尖状部；以及在此二氧化硅层上定义数个支撑开口。然后，沉积一浓掺杂之复晶硅层以构成场发射器之阴极，并以湿式蚀刻去除阴极下方之二氧化硅，及在低压下以钛金属层密封得到之场发射器。

公开(公告)号：TW444244B

公开(公告)日：2001-07-01

申请号：TW088120018

申请日：1999-11-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 盧乃誠

IPC: H01L

Abstract: 一種以微真空管技術形成積體電路元件之製造方法，主要係在基底上形成一由絕緣層、導電層、及罩幕層組成之堆疊層;然後定義罩幕層以形成一第一開口，於第一開口側壁形成一絕緣間隔層，然後定義前述堆疊層之絕緣層和導電層以形成一露出基底表面之第二開口，接著於此第二開口處形成一倒尖端狀絕緣層，其並延伸至堆疊層表面;隨之定義此倒尖端狀絕緣層以於第二開口周圍形成露出堆疊層表面之極點圖案開口;於前述倒尖端狀絕緣層表面形成一下表面具有倒尖端部之倒尖端狀導電層並填滿極點圖案開口;除去倒尖端狀絕緣層以形成一露出前述倒尖端狀導電層之倒尖端部及部分基底之真空管;及全面性形成另一導電層以密封此真空管。

Abstract in simplified Chinese: 一种以微真空管技术形成集成电路组件之制造方法，主要系在基底上形成一由绝缘层、导电层、及罩幕层组成之堆栈层;然后定义罩幕层以形成一第一开口，于第一开口侧壁形成一绝缘间隔层，然后定义前述堆栈层之绝缘层和导电层以形成一露出基底表面之第二开口，接着于此第二开口处形成一倒尖端状绝缘层，其并延伸至堆栈层表面;随之定义此倒尖端状绝缘层以于第二开口周围形成露出堆栈层表面之极点图案开口;于前述倒尖端状绝缘层表面形成一下表面具有倒尖端部之倒尖端状导电层并填满极点图案开口;除去倒尖端状绝缘层以形成一露出前述倒尖端状导电层之倒尖端部及部分基底之真空管;及全面性形成另一导电层以密封此真空管。