公开(公告)号：TW201921159A

公开(公告)日：2019-06-01

申请号：TW107134092

申请日：2018-09-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉益倫 ,  LIU, YI LUN ,  羅元彥 ,  LO, YUAN YEN ,  郭明誌 ,  KUO, MING JHIH

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 一種評估極紫外光(EUV)微影設備焦距控制之方法，包括準備藉由使用極紫外光微影設備來曝光的晶圓。晶圓包括由光阻所形成的測試圖案、及藉由不同曝光焦距之極紫外光多次曝光所製備之圓形島狀物或孔洞。上述方法更包括測量測試圖案之粗糙度參數，並估算代表粗糙度參數對焦距之相關性之函數。基於函數之極值估算最佳焦距。隨後藉由具有最佳焦距之極紫外光對包括測試圖案的曝光晶圓進行曝光。定期測量曝光晶圓上之測試圖案之粗糙度參數，測試圖案係藉由在最佳焦距下曝光曝光晶圓所獲得。隨後基於測量到之粗糙度參數及函數決定焦距異常性。

Abstract in simplified Chinese: 一种评估极紫外光(EUV)微影设备焦距控制之方法，包括准备借由使用极紫外光微影设备来曝光的晶圆。晶圆包括由光阻所形成的测试图案、及借由不同曝光焦距之极紫外光多次曝光所制备之圆形岛状物或孔洞。上述方法更包括测量测试图案之粗糙度参数，并估算代表粗糙度参数对焦距之相关性之函数。基于函数之极值估算最佳焦距。随后借由具有最佳焦距之极紫外光对包括测试图案的曝光晶圆进行曝光。定期测量曝光晶圆上之测试图案之粗糙度参数，测试图案系借由在最佳焦距下曝光曝光晶圆所获得。随后基于测量到之粗糙度参数及函数决定焦距异常性。

公开(公告)号：TW201732977A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105136591

申请日：2016-11-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 羅元彥 ,  LO, YUAN YEN ,  郭明誌 ,  KUO, MING JHIH ,  劉家助 ,  LIU, CHIA CHU

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70641 ,  H01L22/12 ,  H01L22/30 ,  H01L22/34

Abstract: 本揭露的一實施例提供一種焦距監測方法，包括使用第一焦距條件處理第一矽晶圓，第一矽晶圓包括：第一測試圖案以及第二測試圖案，第一測試圖案以及第二測試圖案不同。此方法更包括判定用於第一測試圖案的第一臨界尺寸；判定用於第二測試圖案的第二臨界尺寸；基於第一臨界尺寸以及第二臨界尺寸判定焦距值差值；以及使用第二焦距條件處理第二矽晶圓，而第二焦距條件是基於焦距值差值。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露的一实施例提供一种焦距监测方法，包括使用第一焦距条件处理第一硅晶圆，第一硅晶圆包括：第一测试图案以及第二测试图案，第一测试图案以及第二测试图案不同。此方法更包括判定用于第一测试图案的第一临界尺寸；判定用于第二测试图案的第二临界尺寸；基于第一临界尺寸以及第二临界尺寸判定焦距值差值；以及使用第二焦距条件处理第二硅晶圆，而第二焦距条件是基于焦距值差值。

公开(公告)号：TWI687780B

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：TW107134092

申请日：2018-09-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉益倫 ,  LIU, YI LUN ,  羅元彥 ,  LO, YUAN YEN ,  郭明誌 ,  KUO, MING JHIH

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

公开(公告)号：TW201803020A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106114254

申请日：2017-04-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 羅元彥 ,  LO, YUAN YEN ,  王之妤 ,  WANG, JHIH YU ,  陳俊華 ,  CHEN, JHUN HUA ,  謝弘璋 ,  HSIEH, HUNG CHANG

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/535 ,  H01L27/088 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553

Abstract: 方法包括沉積蝕刻停止層於基板上；圖案化蝕刻停止層，使圖案化的蝕刻停止層覆蓋第一區的基板，且圖案化的蝕刻停止層的開口露出第二區的基板；沉積第一介電層於第一區中的蝕刻停止層上以及第二區中的基板上；圖案化第一介電層，以形成第一溝槽穿過第一區中的第一介電層，且第一溝槽露出蝕刻停止層；形成金屬結構於第一溝槽中；沉積第二介電層於第一區中的金屬結構上以及第二區中的第一介電層上；以及進行圖案化製程，以形成第二溝槽穿過第一區中的第二介電層，並形成第三溝槽穿過第二區中的第二介電層與第一介電層。

Abstract in simplified Chinese: 方法包括沉积蚀刻停止层于基板上；图案化蚀刻停止层，使图案化的蚀刻停止层覆盖第一区的基板，且图案化的蚀刻停止层的开口露出第二区的基板；沉积第一介电层于第一区中的蚀刻停止层上以及第二区中的基板上；图案化第一介电层，以形成第一沟槽穿过第一区中的第一介电层，且第一沟槽露出蚀刻停止层；形成金属结构于第一沟槽中；沉积第二介电层于第一区中的金属结构上以及第二区中的第一介电层上；以及进行图案化制程，以形成第二沟槽穿过第一区中的第二介电层，并形成第三沟槽穿过第二区中的第二介电层与第一介电层。