Abstract in simplified Chinese:一种评估极紫外光(EUV)微影设备焦距控制之方法,包括准备借由使用极紫外光微影设备来曝光的晶圆。晶圆包括由光阻所形成的测试图案、及借由不同曝光焦距之极紫外光多次曝光所制备之圆形岛状物或孔洞。上述方法更包括测量测试图案之粗糙度参数,并估算代表粗糙度参数对焦距之相关性之函数。基于函数之极值估算最佳焦距。随后借由具有最佳焦距之极紫外光对包括测试图案的曝光晶圆进行曝光。定期测量曝光晶圆上之测试图案之粗糙度参数,测试图案系借由在最佳焦距下曝光曝光晶圆所获得。随后基于测量到之粗糙度参数及函数决定焦距异常性。
Abstract in simplified Chinese:本揭露的一实施例提供一种焦距监测方法,包括使用第一焦距条件处理第一硅晶圆,第一硅晶圆包括:第一测试图案以及第二测试图案,第一测试图案以及第二测试图案不同。此方法更包括判定用于第一测试图案的第一临界尺寸;判定用于第二测试图案的第二临界尺寸;基于第一临界尺寸以及第二临界尺寸判定焦距值差值;以及使用第二焦距条件处理第二硅晶圆,而第二焦距条件是基于焦距值差值。
Abstract in simplified Chinese:方法包括沉积蚀刻停止层于基板上;图案化蚀刻停止层,使图案化的蚀刻停止层覆盖第一区的基板,且图案化的蚀刻停止层的开口露出第二区的基板;沉积第一介电层于第一区中的蚀刻停止层上以及第二区中的基板上;图案化第一介电层,以形成第一沟槽穿过第一区中的第一介电层,且第一沟槽露出蚀刻停止层;形成金属结构于第一沟槽中;沉积第二介电层于第一区中的金属结构上以及第二区中的第一介电层上;以及进行图案化制程,以形成第二沟槽穿过第一区中的第二介电层,并形成第三沟槽穿过第二区中的第二介电层与第一介电层。