公开(公告)号：TWI622129B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW105138672

申请日：2016-11-24

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1083 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TWI618143B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW105108959

申请日：2016-03-23

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 土手暁 ,  DOTE, AKI ,  石剛 ,  ISHITSUKA, TAKESHI ,  北田秀樹 ,  KITADA, HIDEKI

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562

公开(公告)号：TW201806116A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106109427

申请日：2017-03-22

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 坪井信生 ,  TSUBOI, NOBUO

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/1207 ,  G11C11/412 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1108 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66772

摘要： 本發明提供一種半導體裝置及半導體裝置之製造方法，改善半導體裝置的特性。構成一種半導體裝置，使其具有：SOI基板，具有活性區與元件隔離區（元件隔離絕緣膜STI）；閘極電極GE1，於活性區隔著閘極絕緣膜GI1而形成；以及虛設閘極電極DGE1，形成於元件隔離區。此外，於虛設閘極電極DGE1之兩側，形成虛設側壁膜DSW，此側壁膜，配置為和活性區與元件隔離區（元件隔離絕緣膜STI）之邊界一致或重疊。若依此一構造，則在接觸洞C1偏離形成之情況中，仍可防止插塞P1到達至深層，例如到達至絕緣層BOX或支持基板SB。

简体摘要： 本发明提供一种半导体设备及半导体设备之制造方法，改善半导体设备的特性。构成一种半导体设备，使其具有：SOI基板，具有活性区与组件隔离区（组件隔离绝缘膜STI）；闸极电极GE1，于活性区隔着闸极绝缘膜GI1而形成；以及虚设闸极电极DGE1，形成于组件隔离区。此外，于虚设闸极电极DGE1之两侧，形成虚设侧壁膜DSW，此侧壁膜，配置为和活性区与组件隔离区（组件隔离绝缘膜STI）之边界一致或重叠。若依此一构造，则在接触洞C1偏离形成之情况中，仍可防止插塞P1到达至深层，例如到达至绝缘层BOX或支持基板SB。

公开(公告)号：TW201803020A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106114254

申请日：2017-04-28

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 羅元彥 ,  LO, YUAN YEN ,  王之妤 ,  WANG, JHIH YU ,  陳俊華 ,  CHEN, JHUN HUA ,  謝弘璋 ,  HSIEH, HUNG CHANG

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/823475 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/535 ,  H01L27/088 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553

摘要： 方法包括沉積蝕刻停止層於基板上；圖案化蝕刻停止層，使圖案化的蝕刻停止層覆蓋第一區的基板，且圖案化的蝕刻停止層的開口露出第二區的基板；沉積第一介電層於第一區中的蝕刻停止層上以及第二區中的基板上；圖案化第一介電層，以形成第一溝槽穿過第一區中的第一介電層，且第一溝槽露出蝕刻停止層；形成金屬結構於第一溝槽中；沉積第二介電層於第一區中的金屬結構上以及第二區中的第一介電層上；以及進行圖案化製程，以形成第二溝槽穿過第一區中的第二介電層，並形成第三溝槽穿過第二區中的第二介電層與第一介電層。

简体摘要： 方法包括沉积蚀刻停止层于基板上；图案化蚀刻停止层，使图案化的蚀刻停止层覆盖第一区的基板，且图案化的蚀刻停止层的开口露出第二区的基板；沉积第一介电层于第一区中的蚀刻停止层上以及第二区中的基板上；图案化第一介电层，以形成第一沟槽穿过第一区中的第一介电层，且第一沟槽露出蚀刻停止层；形成金属结构于第一沟槽中；沉积第二介电层于第一区中的金属结构上以及第二区中的第一介电层上；以及进行图案化制程，以形成第二沟槽穿过第一区中的第二介电层，并形成第三沟槽穿过第二区中的第二介电层与第一介电层。

公开(公告)号：TW201801164A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW105143315

申请日：2016-12-27

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 嚴永松 ,  YEN, YUNG SUNG ,  劉如淦 ,  LIU, RU GUN ,  林緯良 ,  LIN, WEI LIANG ,  陳欣志 ,  CHEN, HSIN CHIH

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31055 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481

摘要： 本發明實施例係關於製造半導體元件的方法。此方法包括形成第一可流動材料層於基板之上。第一區域中第一可流動材料層之上表面高於第二區域中第一可流動材料層之上表面。此方法亦包括在第一區域中形成犧牲插塞以覆蓋第一可流動材料層，在第一區域中犧牲插塞之上及第二區域中第一可流動材料層之上形成第二可流動材料層。執行第一下凹製程以致第一區域中之第二可流動材料層被移除。執行第二下凹製程於第二區域中之第二可流動材料層，此時第一可流動材料層被第一區域之犧牲插塞保護。

简体摘要： 本发明实施例系关于制造半导体组件的方法。此方法包括形成第一可流动材料层于基板之上。第一区域中第一可流动材料层之上表面高于第二区域中第一可流动材料层之上表面。此方法亦包括在第一区域中形成牺牲插塞以覆盖第一可流动材料层，在第一区域中牺牲插塞之上及第二区域中第一可流动材料层之上形成第二可流动材料层。运行第一下凹制程以致第一区域中之第二可流动材料层被移除。运行第二下凹制程于第二区域中之第二可流动材料层，此时第一可流动材料层被第一区域之牺牲插塞保护。

公开(公告)号：TWI608543B

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：TW105121426

申请日：2016-07-06

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 李智聖 ,  LI, CHIH SHENG ,  黃信傑 ,  HUANG, HSIN CHIEH ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924

公开(公告)号：TW201737323A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW105110744

申请日：2016-04-06

申请人： 瑞昱半導體股份有限公司 ,  REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.

发明人： 葉達勳 ,  YEH, TA HSUN ,  羅正瑋 ,  LUO, CHENG WEI ,  顏孝璁 ,  YEN, HSIAO TSUNG ,  簡育生 ,  JEAN, YUH SHENG

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823481 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653

摘要： 一種鰭式場效電晶體。鰭式場效電晶體包括基底、鰭片結構、閘極堆疊結構及隔離結構。鰭片結構設置於基底上並具有多個溝渠，而閘極堆疊結構其覆蓋於鰭片結構。隔離結構配置於基底上，以隔離閘極堆疊結構與基底，其中隔離結構具有不同的厚度。

简体摘要： 一种鳍式场效应管。鳍式场效应管包括基底、鳍片结构、闸极堆栈结构及隔离结构。鳍片结构设置于基底上并具有多个沟渠，而闸极堆栈结构其覆盖于鳍片结构。隔离结构配置于基底上，以隔离闸极堆栈结构与基底，其中隔离结构具有不同的厚度。

公开(公告)号：TWI600159B

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：TW103134233

申请日：2014-10-01

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 童宇誠 ,  TUNG, YU CHENG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/823821 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

公开(公告)号：TW201733114A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105144025

申请日：2016-12-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 蔡俊雄 ,  TSAI, CHUN-HSIUNG ,  陳科維 ,  CHEN, KEI-WEI ,  王參群 ,  WANG, TSAN-CHUN ,  方 子韋 ,  FANG, ZIWEI

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： 一種鰭狀場效電晶體，所述鰭狀場效電晶體包括基底、至少一個閘極堆疊以及磊晶材料部分。所述基底具有鰭片及位於鰭片之間的絕緣體，且鰭片包括通道部分及位於通道部分旁邊的側翼部分。至少一個閘極堆疊設置於絕緣體之上以及鰭片的通道部分之上。磊晶材料部分設置於鰭片的側翼部分之上且位於至少一個閘極堆疊的相對兩側。設置於鰭片的側翼部分上的磊晶材料部分彼此分離。

简体摘要： 一种鳍状场效应管，所述鳍状场效应管包括基底、至少一个闸极堆栈以及磊晶材料部分。所述基底具有鳍片及位于鳍片之间的绝缘体，且鳍片包括信道部分及位于信道部分旁边的侧翼部分。至少一个闸极堆栈设置于绝缘体之上以及鳍片的信道部分之上。磊晶材料部分设置于鳍片的侧翼部分之上且位于至少一个闸极堆栈的相对两侧。设置于鳍片的侧翼部分上的磊晶材料部分彼此分离。

公开(公告)号：TW201731023A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105134960

申请日：2016-10-28

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 黃意君 ,  HUANG, YI JYUN ,  謝東衡 ,  HSIEH, TUNG HENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L29/41791 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

摘要： 本發明實施例提供一種半導體裝置，包括鰭結構、第一閘極結構、第二閘極結構、源極/汲極區、源極/汲極接觸、分隔物和接觸源極/汲極接觸之介層孔插塞和接觸介層孔插塞之導線。鰭結構突出於隔絕絕緣層且以第一方向延伸。第一閘極結構和第二閘極結構，形成於鰭結構上方且以交叉於第一方向的第二方向延伸。源/汲極區設置於第一閘極結構和第二閘極結構之間。層間絕緣層設置於鰭結構、第一閘極結構、第二閘極結構和源/汲極區上方。源極/汲極接觸層，設置於源/汲極區上。分隔物設置相鄰於源極/汲極接觸。第一閘極結構的末端、第二閘極結構的末端和源極/汲極接觸的末端接觸分隔物的相同面。

简体摘要： 本发明实施例提供一种半导体设备，包括鳍结构、第一闸极结构、第二闸极结构、源极/汲极区、源极/汲极接触、分隔物和接触源极/汲极接触之介层孔插塞和接触介层孔插塞之导线。鳍结构突出于隔绝绝缘层且以第一方向延伸。第一闸极结构和第二闸极结构，形成于鳍结构上方且以交叉于第一方向的第二方向延伸。源/汲极区设置于第一闸极结构和第二闸极结构之间。层间绝缘层设置于鳍结构、第一闸极结构、第二闸极结构和源/汲极区上方。源极/汲极接触层，设置于源/汲极区上。分隔物设置相邻于源极/汲极接触。第一闸极结构的末端、第二闸极结构的末端和源极/汲极接触的末端接触分隔物的相同面。