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公开(公告)号：TW201919205A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107137828
申请日：2018-10-25
发明人： 林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 邱德馨 , CHIU, TE-HSIN , 吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 鄧立峯 , TENG, LI-FENG , 張健宏 , CHANG, CHIEN-HUNG
IPC分类号： H01L27/115 , B24B37/10
CPC分类号： H01L27/11286 , H01L21/76229 , H01L21/765 , H01L23/562 , H01L27/11524 , H01L27/11534 , H01L27/11546 , H01L29/0649 , H01L29/40114 , H01L29/404 , H01L29/66825
摘要： 提供一種半導體結構，包括半導體基底及至少一個圖案化的介電層。半導體基底包括半導體部分、至少一個第一元件、至少一個第二元件與至少一個第一虛設環。至少一個第一元件設置於被半導體部分環繞的第一區。至少一個第二元件與至少一個第一虛設環設置於第二區上，且第二區環繞第一區。至少一個圖案化的介電層覆蓋半導體基底。
简体摘要： 提供一种半导体结构，包括半导体基底及至少一个图案化的介电层。半导体基底包括半导体部分、至少一个第一组件、至少一个第二组件与至少一个第一虚设环。至少一个第一组件设置于被半导体部分环绕的第一区。至少一个第二组件与至少一个第一虚设环设置于第二区上，且第二区环绕第一区。至少一个图案化的介电层覆盖半导体基底。
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公开(公告)号：TWI688778B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107113750
申请日：2018-04-23
发明人： 邱德馨 , CHIU, TE-HSIN , 林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 吳偉成 , WU, WEI-CHENG
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公开(公告)号：TWI690059B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107137828
申请日：2018-10-25
发明人： 林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 邱德馨 , CHIU, TE-HSIN , 吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 鄧立峯 , TENG, LI-FENG , 張健宏 , CHANG, CHIEN-HUNG
IPC分类号： H01L27/115 , B24B37/10
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公开(公告)号：TWI669817B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW107136361
申请日：2018-10-16
发明人： 林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 邱德馨 , CHIU, TE-HSIN , 吳偉成 , WU, WEI-CHENG
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公开(公告)号：TW201919233A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107136357
申请日：2018-10-16
发明人： 林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 邱德馨 , CHIU, TE-HSIN , 吳偉成 , WU, WEI-CHENG
摘要： 本揭露涉及在主動區域內之電晶體元件，主動區域具有經配置以降低電晶體元件對鄰近隔離結構中之缺口導致的效能劣化（例如扭結效應）之感受性的形狀。電晶體元件具有基底，其包含將溝渠定義在基底之上部表面內之內表面。介電材料配置於溝渠內。介電材料定義暴露基底之上部表面的開放區域。開放區域具有在基底內之源極區域上方的源極開放區域、在基底內之汲極區域上方的汲極開放區域，以及在源極與汲極開放區域之間的通道開放區域。源極及汲極開放區域具有小於通道開放區域之寬度。閘極結構在源極與汲極區域之間的開放區域上方延伸。
简体摘要： 本揭露涉及在主动区域内之晶体管组件，主动区域具有经配置以降低晶体管组件对邻近隔离结构中之缺口导致的性能劣化（例如扭结效应）之感受性的形状。晶体管组件具有基底，其包含将沟渠定义在基底之上部表面内之内表面。介电材料配置于沟渠内。介电材料定义暴露基底之上部表面的开放区域。开放区域具有在基底内之源极区域上方的源极开放区域、在基底内之汲极区域上方的汲极开放区域，以及在源极与汲极开放区域之间的信道开放区域。源极及汲极开放区域具有小于信道开放区域之宽度。闸极结构在源极与汲极区域之间的开放区域上方延伸。
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