利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

58 条记录 (耗时 0.037 秒)

    積體電路
    4.
    发明专利
    積體電路 审中-公开
    集成电路

    公开(公告)号：TW201724219A

    公开(公告)日：2017-07-01

    申请号：TW105141158

    申请日：2016-12-13

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 吳偉成 ,  WU, WEI-CHENG ,  陳奕靜 ,  CHEN, I-CHING

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/792

    CPC分类号： H01L27/1157 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32133 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H03K19/08

    摘要： 一種使用高介電值（高k值）金屬閘極（HKMG）技術且具有嵌式金屬-氧化物-氮化物-氧化物-矽（MONOS）記憶胞的積體電路（IC）。邏輯裝置設置於半導體基底上，且包括邏輯閘極。記憶胞設置於半導體基底上，且包括在橫向上彼此鄰近的控制電晶體與選擇電晶體。控制電晶體及選擇電晶體分別包括控制閘極及選擇閘極，且控制電晶體更包括位於控制閘極下方的電荷陷獲層。邏輯閘極、及控制閘極與選擇閘極中的一者或兩者是金屬，且排列於各自的高k值介電層內。本發明亦提供一種製造所述積體電路的最後高k值方法。

    简体摘要： 一种使用高介电值（高k值）金属闸极（HKMG）技术且具有嵌式金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅（MONOS）记忆胞的集成电路（IC）。逻辑设备设置于半导体基底上，且包括逻辑门极。记忆胞设置于半导体基底上，且包括在横向上彼此邻近的控制晶体管与选择晶体管。控制晶体管及选择晶体管分别包括控制闸极及选择闸极，且控制晶体管更包括位于控制闸极下方的电荷陷获层。逻辑门极、及控制闸极与选择闸极中的一者或两者是金属，且排列于各自的高k值介电层内。本发明亦提供一种制造所述集成电路的最后高k值方法。

    積體電路
    5.
    发明专利
    積體電路 审中-公开
    集成电路

    公开(公告)号：TW201724216A

    公开(公告)日：2017-07-01

    申请号：TW105138163

    申请日：2016-11-22

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 吳偉成 ,  WU, WEI-CHENG ,  鄧立峯 ,  TENG, LI-FENG

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8247

    CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66833

    摘要： 本發明實施例提供一種積體電路，所述積體電路包括高介電常數金屬閘極非揮發性記憶體裝置並提供小尺寸及高效能。在一些實施例中，積體電路包括邏輯區及鄰近邏輯區安置的嵌入式記憶體區。邏輯區具有邏輯裝置，所述邏輯裝置安置於基底之上且包括安置於第一高介電常數閘極介電層之上的第一金屬閘極。記憶體區具有非揮發性記憶體裝置，所述非揮發性記憶體裝置包括安置於第二高介電常數閘極介電層之上的第二金屬閘極。藉由在邏輯區及記憶體區二者中具有高介電常數金屬閘極結構，在新興技術節點中積體電路效能被提高且進一步按比例縮小成為可能。

    简体摘要： 本发明实施例提供一种集成电路，所述集成电路包括高介电常数金属闸极非挥发性内存设备并提供小尺寸及高性能。在一些实施例中，集成电路包括逻辑区及邻近逻辑区安置的嵌入式内存区。逻辑区具有逻辑设备，所述逻辑设备安置于基底之上且包括安置于第一高介电常数闸极介电层之上的第一金属闸极。内存区具有非挥发性内存设备，所述非挥发性内存设备包括安置于第二高介电常数闸极介电层之上的第二金属闸极。借由在逻辑区及内存区二者中具有高介电常数金属闸极结构，在新兴技术节点中集成电路性能被提高且进一步按比例缩小成为可能。

    半導體裝置及其製造方法
    9.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201830666A

    公开(公告)日：2018-08-16

    申请号：TW106128488

    申请日：2017-08-22

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 吳偉成 ,  WU, WEI-CHENG ,  鄧立峯 ,  TENG, LI-FENG

    IPC分类号： H01L27/115

    摘要： 一種半導體裝置包括非揮發性記憶體。所述非揮發性記憶體包括：第一介電層，設置於基底上；浮置閘極，設置於所述介電層上；控制閘極。第二介電層設置於所述浮置閘極與所述控制閘極之間，且具有氮化矽層、氧化矽層及其多層中的一者。第三介電層設置於所述第二介電層與所述控制閘極之間，且包含介電常數比氮化矽高的介電材料。

    简体摘要： 一种半导体设备包括非挥发性内存。所述非挥发性内存包括：第一介电层，设置于基底上；浮置闸极，设置于所述介电层上；控制闸极。第二介电层设置于所述浮置闸极与所述控制闸极之间，且具有氮化硅层、氧化硅层及其多层中的一者。第三介电层设置于所述第二介电层与所述控制闸极之间，且包含介电常数比氮化硅高的介电材料。

    積體電路
    10.
    发明专利
    積體電路 审中-公开
    集成电路

    公开(公告)号：TW201724374A

    公开(公告)日：2017-07-01

    申请号：TW105138169

    申请日：2016-11-22

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 吳偉成 ,  WU, WEI-CHENG ,  陳姿妤 ,  CHEN, TZU-YU

    IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

    摘要： 本發明是有關於一種積體電路（IC）及其形成方法，所述積體電路包括高介電值（high-k）金屬閘極（HKMG）非揮發性記憶體（NVM）裝置並提供小尺寸及高效能。在一些實施例中，積體電路包括具有在基底之上橫向地間隔開的選擇電晶體與控制電晶體的記憶體區。選擇閘極及控制閘極安置於高介電值閘介電層及記憶體閘氧化物之上。邏輯區鄰近所述記憶體區安置且具有邏輯裝置，所述邏輯裝置包括安置於高介電值閘介電層及邏輯閘氧化物之上的金屬閘極。選擇閘極及控制閘極可為多晶矽電極。

    简体摘要： 本发明是有关于一种集成电路（IC）及其形成方法，所述集成电路包括高介电值（high-k）金属闸极（HKMG）非挥发性内存（NVM）设备并提供小尺寸及高性能。在一些实施例中，集成电路包括具有在基底之上横向地间隔开的选择晶体管与控制晶体管的内存区。选择闸极及控制闸极安置于高介电值闸介电层及内存闸氧化物之上。逻辑区邻近所述内存区安置且具有逻辑设备，所述逻辑设备包括安置于高介电值闸介电层及逻辑门氧化物之上的金属闸极。选择闸极及控制闸极可为多晶硅电极。