公开(公告)号：TWI605573B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW105102068

申请日：2016-01-22

申请人： 超捷公司 ,  SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.

发明人： 吳滿堂 ,  WU, MAN TANG ,  楊正威 ,  YANG, JENG WEI ,  蘇 堅昇 ,  SU, CHIEN-SHENG ,  陳俊明 ,  CHEN, CHUN MING ,  杜 恩漢 ,  DO, NHAN

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/66537 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/66825

公开(公告)号：TWI596774B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW102142436

申请日：2013-11-21

申请人： 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： 柳泰光 ,  YU, TEA KWANG ,  權倍成 ,  KWON, BAE SEONG ,  金龍泰 ,  KIM, YONG TAE ,  鄭喆浩 ,  CHUNG, CHUL HO ,  崔容碩 ,  CHOI, YONG SUK

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

公开(公告)号：TWI591831B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW102128077

申请日：2013-08-06

申请人： 愛思開海力士有限公司 ,  SK HYNIX INC.

发明人： 朴聖根 ,  PARK, SUNG-KUN

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11517 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11541 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11558 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7884

公开(公告)号：TWI578446B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW104139922

申请日：2015-11-30

申请人： 超捷公司 ,  SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.

发明人： 周峰 ,  ZHOU, FENG ,  呂祥 ,  LIU, XIAN ,  杜 恩漢 ,  DO, NHAN

IPC分类号： H01L21/8239 ,  G11C16/06

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

公开(公告)号：TWI567946B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW103121308

申请日：2014-06-20

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 路斯奇 伊羅 路斯奇 ,  LUSETSKY, IGOR LUSETSKY ,  凡 班特 拉夫 ,  VAN BENTUM, RALF

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/11546 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

公开(公告)号：TWI503924B

公开(公告)日：2015-10-11

申请号：TW097149200

申请日：2008-12-17

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 盧安C 崔恩 ,  TRAN, LUAN C.

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/02518 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/788

公开(公告)号：TWI466269B

公开(公告)日：2014-12-21

申请号：TW096125423

申请日：2007-07-12

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 加藤清 ,  KATO, KIYOSHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C8/12 ,  G11C8/14 ,  G11C16/0458 ,  G11C16/0491 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124

公开(公告)号：TWI416738B

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：TW096108773

申请日：2007-03-14

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  淺見良信 ,  ASAMI, YOSHINOBU ,  高野圭惠 ,  TAKANO, TAMAE ,  古野誠 ,  FURUNO, MAKOTO

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/7881

公开(公告)号：TWI397993B

公开(公告)日：2013-06-01

申请号：TW096103177

申请日：2007-01-29

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/1237 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11536 ,  H01L27/11539 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42324

公开(公告)号：TWI312550B

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：TW095131644

申请日：2006-08-28

申请人： 英飛凌科技股份有限公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG

发明人： 丹尼‧柏群‧岑 DANNY PAK-CHUM SHUM ,  阿明‧蒂爾克 ARMIN TILKE ,  楊將 JIANG YAN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

摘要： 本案是揭露快閃記憶體裝置結構及其製造方法。所述快閃記憶體裝置是於絕緣體覆矽(SOI)基板上製造。所述SOI基板的淺溝渠隔離(STI)區域與埋入式氧化物層是用以隔離相鄰的裝置。所述製造方法需要的蝕刻罩幕較少,並且可於獨立的快閃記憶體裝置、埋入式快閃記憶體裝置以及晶片上系統(SoC)快閃記憶體裝置實施。

简体摘要： 本案是揭露闪存设备结构及其制造方法。所述闪存设备是于绝缘体覆硅(SOI)基板上制造。所述SOI基板的浅沟渠隔离(STI)区域与埋入式氧化物层是用以隔离相邻的设备。所述制造方法需要的蚀刻罩幕较少,并且可于独立的闪存设备、埋入式闪存设备以及芯片上系统(SoC)闪存设备实施。