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公开(公告)号：TW201332021A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101123980
申请日：2012-07-04
Inventor： 余紹銘 , YU, SHAO MING , 張長昀 , CHANG, CHANG YUN , 張志豪 , CHANG, CHIH HAO , 陳欣志 , CHEN, HSIN CHIH , 張開泰 , CHANG, KAI TAI , 謝銘峯 , SHIEH, MING FENG , 呂奎亮 , LU, KUEI LIANG , 林以唐 , LIN, YI TANG
IPC: H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本發明提供了一種半導體結構。此半導體結構包括：一半導體基板；一隔離元件，形成於該半導體基板內；一第一主動區與一第二主動區，形成於該半導體基板內，其中該第一主動區與該第二主動區沿一第一方向沿伸並為該隔離元件所相分隔；以及一假閘極，設置於該隔離元件上，其中該假閘極沿著該第一方向自一側延伸至該第一主動區處以及自另一側延伸至該第二主動區處。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种半导体结构。此半导体结构包括：一半导体基板；一隔离组件，形成于该半导体基板内；一第一主动区与一第二主动区，形成于该半导体基板内，其中该第一主动区与该第二主动区沿一第一方向沿伸并为该隔离组件所相分隔；以及一假闸极，设置于该隔离组件上，其中该假闸极沿着该第一方向自一侧延伸至该第一主动区处以及自另一侧延伸至该第二主动区处。
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公开(公告)号：TW202008505A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108112743
申请日：2019-04-11
Inventor： 張開泰 , CHANG, KAI TAI , 李東穎 , LEE, TUNG YING
Abstract: 在一方法中，蝕刻半導體基材以形成溝渠，藉此溝渠定義出通道部。沉積硬罩幕層於通道部之側壁上。非等向性地蝕刻半導體基材，以加深溝渠，藉此加深之溝渠進一步定義出位於通道部與硬罩幕層下方的基部。將硬罩幕層從通道部之側壁移除。以隔離材料填充加深之溝渠。凹入隔離材料以形成隔離結構，其中通道部凸出於隔離結構。
Abstract in simplified Chinese: 在一方法中，蚀刻半导体基材以形成沟渠，借此沟渠定义出信道部。沉积硬罩幕层于信道部之侧壁上。非等向性地蚀刻半导体基材，以加深沟渠，借此加深之沟渠进一步定义出位于信道部与硬罩幕层下方的基部。将硬罩幕层从信道部之侧壁移除。以隔离材料填充加深之沟渠。凹入隔离材料以形成隔离结构，其中信道部凸出于隔离结构。
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公开(公告)号：TWI480958B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW101123980
申请日：2012-07-04
Inventor： 余紹銘 , YU, SHAO MING , 張長昀 , CHANG, CHANG YUN , 張志豪 , CHANG, CHIH HAO , 陳欣志 , CHEN, HSIN CHIH , 張開泰 , CHANG, KAI TAI , 謝銘峯 , SHIEH, MING FENG , 呂奎亮 , LU, KUEI LIANG , 林以唐 , LIN, YI TANG
IPC: H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/785
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