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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI480958B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW101123980
申请日：2012-07-04
Inventor： 余紹銘 , YU, SHAO MING , 張長昀 , CHANG, CHANG YUN , 張志豪 , CHANG, CHIH HAO , 陳欣志 , CHEN, HSIN CHIH , 張開泰 , CHANG, KAI TAI , 謝銘峯 , SHIEH, MING FENG , 呂奎亮 , LU, KUEI LIANG , 林以唐 , LIN, YI TANG
IPC: H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/785
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公开(公告)号：TW201820481A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106120371
申请日：2017-06-19
Inventor： 周雷峻 , CHOU, LEI-CHUN , 陳志良 , CHEN, CHIH-LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH-MING , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 曾晉沅 , TSENG, CHIN-YUAN , 陳欣志 , CHEN, HSIN-CHIH , 朱熙甯 , JU, SHI-NING , 曾健庭 , TZENG, JIANN-TYNG , 蕭錦濤 , SIO, KAM-TOU , 劉如淦 , LIU, RU-GUN , 林威呈 , LIN, WEI-CHENG , 林緯良 , LIN, WEI-LIANG
IPC: H01L21/336 , H01L29/41
Abstract: 一種製造半導體裝置的方法包括：在基底上沉積第一材料；在所述基底上沉積第二材料，所述第二材料的蝕刻選擇性與所述第一材料的蝕刻選擇性不同；在所述第一材料及所述第二材料上沉積間隙壁材料；以及使用所述間隙壁材料作為蝕刻罩幕來蝕刻所述基底，以在所述第一材料之下形成鰭以及在所述第二材料之下形成鰭。
Abstract in simplified Chinese: 一种制造半导体设备的方法包括：在基底上沉积第一材料；在所述基底上沉积第二材料，所述第二材料的蚀刻选择性与所述第一材料的蚀刻选择性不同；在所述第一材料及所述第二材料上沉积间隙壁材料；以及使用所述间隙壁材料作为蚀刻罩幕来蚀刻所述基底，以在所述第一材料之下形成鳍以及在所述第二材料之下形成鳍。
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公开(公告)号：TW201801164A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105143315
申请日：2016-12-27
Inventor： 嚴永松 , YEN, YUNG SUNG , 劉如淦 , LIU, RU GUN , 林緯良 , LIN, WEI LIANG , 陳欣志 , CHEN, HSIN CHIH
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/31055 , H01L21/76229 , H01L21/823431 , H01L21/823481
Abstract: 本發明實施例係關於製造半導體元件的方法。此方法包括形成第一可流動材料層於基板之上。第一區域中第一可流動材料層之上表面高於第二區域中第一可流動材料層之上表面。此方法亦包括在第一區域中形成犧牲插塞以覆蓋第一可流動材料層，在第一區域中犧牲插塞之上及第二區域中第一可流動材料層之上形成第二可流動材料層。執行第一下凹製程以致第一區域中之第二可流動材料層被移除。執行第二下凹製程於第二區域中之第二可流動材料層，此時第一可流動材料層被第一區域之犧牲插塞保護。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系关于制造半导体组件的方法。此方法包括形成第一可流动材料层于基板之上。第一区域中第一可流动材料层之上表面高于第二区域中第一可流动材料层之上表面。此方法亦包括在第一区域中形成牺牲插塞以覆盖第一可流动材料层，在第一区域中牺牲插塞之上及第二区域中第一可流动材料层之上形成第二可流动材料层。运行第一下凹制程以致第一区域中之第二可流动材料层被移除。运行第二下凹制程于第二区域中之第二可流动材料层，此时第一可流动材料层被第一区域之牺牲插塞保护。
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公开(公告)号：TW201824372A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106119614
申请日：2017-06-13
Inventor： 曾晉沅 , TSENG, CHIN YUAN , 林緯良 , LIN, WEI LIANG , 陳欣志 , CHEN, HSIN CHIH , 朱熙甯 , JU, SHI NING , 謝艮軒 , HSIEH, KEN HSIEN , 嚴永松 , YEN, YUNG SUNG , 劉如淦 , LIU, RU GUN
IPC: H01L21/28
Abstract: 此處揭露之方法用於圖案化積體電路裝置如鰭狀場效電晶體裝置。例示性的方法包括形成材料層，其包含鰭狀結構的陣列；以及進行鰭狀物切割製程，以移除鰭狀結構的子集。鰭狀結構切割製程包含以切割圖案露出鰭狀結構的子集，並移除露出之鰭狀結構的子集。切割圖案部份地露出鰭狀結構之子集的至少一鰭狀結構。在鰭狀物切割製程為優先切割鰭狀物的製程之實施方式中，材料層為芯層且鰭狀結構為芯。在鰭狀物切割製程為最後切割鰭狀物的製程之實施方式中，材料層為基板(或其材料層)且鰭狀結構為定義於基板(或其材料層)中的鰭狀物。
Abstract in simplified Chinese: 此处揭露之方法用于图案化集成电路设备如鳍状场效应管设备。例示性的方法包括形成材料层，其包含鳍状结构的数组；以及进行鳍状物切割制程，以移除鳍状结构的子集。鳍状结构切割制程包含以切割图案露出鳍状结构的子集，并移除露出之鳍状结构的子集。切割图案部份地露出鳍状结构之子集的至少一鳍状结构。在鳍状物切割制程为优先切割鳍状物的制程之实施方式中，材料层为芯层且鳍状结构为芯。在鳍状物切割制程为最后切割鳍状物的制程之实施方式中，材料层为基板(或其材料层)且鳍状结构为定义于基板(或其材料层)中的鳍状物。
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公开(公告)号：TW201332021A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101123980
申请日：2012-07-04
Inventor： 余紹銘 , YU, SHAO MING , 張長昀 , CHANG, CHANG YUN , 張志豪 , CHANG, CHIH HAO , 陳欣志 , CHEN, HSIN CHIH , 張開泰 , CHANG, KAI TAI , 謝銘峯 , SHIEH, MING FENG , 呂奎亮 , LU, KUEI LIANG , 林以唐 , LIN, YI TANG
IPC: H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本發明提供了一種半導體結構。此半導體結構包括：一半導體基板；一隔離元件，形成於該半導體基板內；一第一主動區與一第二主動區，形成於該半導體基板內，其中該第一主動區與該第二主動區沿一第一方向沿伸並為該隔離元件所相分隔；以及一假閘極，設置於該隔離元件上，其中該假閘極沿著該第一方向自一側延伸至該第一主動區處以及自另一側延伸至該第二主動區處。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种半导体结构。此半导体结构包括：一半导体基板；一隔离组件，形成于该半导体基板内；一第一主动区与一第二主动区，形成于该半导体基板内，其中该第一主动区与该第二主动区沿一第一方向沿伸并为该隔离组件所相分隔；以及一假闸极，设置于该隔离组件上，其中该假闸极沿着该第一方向自一侧延伸至该第一主动区处以及自另一侧延伸至该第二主动区处。
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